公开(公告)号：WO2006126168B1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：PCT/IB2006051653

申请日：2006-05-23

Applicant: KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY ,  MILSOM ROBERT F ,  VANHELMONT FREDERIK W M ,  JANSMAN ANDREAS B M ,  RUIGROK JAAP ,  LOEBL HANS-PETER

Inventor： MILSOM ROBERT F ,  VANHELMONT FREDERIK W M ,  JANSMAN ANDREAS B M ,  RUIGROK JAAP ,  LOEBL HANS-PETER

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02228 ,  H03H9/171 ,  H03H9/175

Abstract: A bulk acoustic wave, BAW, resonator device comprising first and second metal layers (10, 20) and an intervening piezoelectric layer (30), the first metal layer (10) comprising spaced first and second portions (12, 14), wherein the first and second portions (12, 14) are each arranged as a plurality of interconnected fingers (16, 18), and wherein each of the plurality of fingers (16) of the first portion (12) is acoustically coupled to at least one of the fingers (18) of the second portion (14) . In one embodiment the fingers of the first portion (12) are interlaced with the fingers (18) of the second portion (14), thereby providing direct coupling. In another embodiment the acoustic coupling between the fingers of the first and second portions is provided indirectly by further portions (15) of the first metal layer (10).

Abstract translation: 一种包括第一和第二金属层（10,20）和中间压电层（30）的体声波BAW谐振器装置，第一金属层（10）包括间隔开的第一和第二部分（12,14），其中 第一部分（12）和第二部分（14）各自被布置为多个互连的指状物（16,18），并且其中第一部分（12）的多个指状物（16）中的每一个声学地耦合到以下中的至少一个： 第二部分（14）的指状物（18）。 在一个实施例中，第一部分（12）的指状物与第二部分（14）的指状物（18）交织，由此提供直接耦合。 在另一个实施例中，第一和第二部分的指状物之间的声耦合由第一金属层（10）的另外的部分（15）间接提供。

公开(公告)号：WO2006126168A8

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/IB2006051653

申请日：2006-05-23

Applicant: KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY ,  MILSOM ROBERT F ,  VANHELMONT FREDERIK W M ,  JANSMAN ANDREAS B M ,  RUIGROK JAAP ,  LOEBL HANS-PETER

Inventor： MILSOM ROBERT F ,  VANHELMONT FREDERIK W M ,  JANSMAN ANDREAS B M ,  RUIGROK JAAP ,  LOEBL HANS-PETER

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02228 ,  H03H9/171 ,  H03H9/175

Abstract: A bulk acoustic wave, BAW, resonator device comprising first and second metal layers (10, 20) and an intervening piezoelectric layer (30), the first metal layer (10) comprising spaced first and second portions (12, 14), wherein the first and second portions (12, 14) are each arranged as a plurality of interconnected fingers (16, 18), and wherein each of the plurality of fingers (16) of the first portion (12) is acoustically coupled to at least one of the fingers (18) of the second portion (14) . In one embodiment the fingers of the first portion (12) are interlaced with the fingers (18) of the second portion (14), thereby providing direct coupling. In another embodiment the acoustic coupling between the fingers of the first and second portions is provided indirectly by further portions (15) of the first metal layer (10).

Abstract translation: 包括第一和第二金属层（10,20）和中间压电层（30）的体声波BAW谐振器装置，所述第一金属层（10）包括间隔开的第一和第二部分（12,14），其中 第一和第二部分（12,14）各自布置为多个互连的指状物（16,18），并且其中第一部分（12）的多个指状物（16）中的每一个与声音耦合至少一个 第二部分（14）的指状物（18）。 在一个实施例中，第一部分（12）的指状物与第二部分（14）的指状物（18）交织，从而提供直接耦合。 在另一个实施例中，第一和第二部分的指状物之间的声学​​耦合由第一金属层（10）的另外的部分（15）间接提供。

公开(公告)号：WO2006126168A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：PCT/IB2006/051653

申请日：2006-05-23

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  PHILIPS INTELLECTUAL PROPERTY & STANDARDS GMBH ,  MILSOM, Robert, F. ,  VANHELMONT, Frederik, W., M. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  RUIGROK, Jaap ,  LOEBL, Hans-Peter

Inventor： MILSOM, Robert, F. ,  VANHELMONT, Frederik, W., M. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  RUIGROK, Jaap ,  LOEBL, Hans-Peter

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02228 ,  H03H9/171 ,  H03H9/175

Abstract: A bulk acoustic wave, BAW, resonator device comprising first and second metal layers (10, 20) and an intervening piezoelectric layer (30), the first metal layer (10) comprising spaced first and second portions (12 14), wherein the first and second portions (12, 14) are each arranged as a plurality of interconnected fingers (16, 18), and wherein each of the plurality of fingers (16) of the first portion (12) is acoustically coupled to at least one of the fingers (18) of the second portion (14). In one embodiment the first portion (12) are interlaced with the fingers (18) of the second portion (14), thereby providing direct coupling. In another embodiment the acoustic coupling between the fingers of the first and second portions is provided indirectly by further portions (15) of the first metal layer (10).

Abstract translation: 包括第一和第二金属层（10,20）和中间压电层（30）的体声波（BAW）谐振器装置，所述第一金属层（10）包括间隔开的第一和第二部分（12,14），其中所述第一和第二部分 和第二部分（12,14）各自布置为多个互连的指状物（16,18），并且其中第一部分（12）的多个指状物（16）中的每一个声学耦合到至少一个 第二部分（14）的手指（18）。 在一个实施例中，第一部分（12）与第二部分（14）的指状物（18）交织，从而提供直接耦合。 在另一个实施例中，第一和第二部分的指状物之间的声学​​耦合由第一金属层（10）的另外的部分（15）间接提供。

公开(公告)号：WO2009133511A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：PCT/IB2009/051697

申请日：2009-04-24

Applicant: NXP B.V. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  STRIJBOS, Rensinus, C. ,  SPAAN, Erik ,  LOBEEK, Jan-Willem

Inventor： JANSMAN, Andreas, B., M. ,  STRIJBOS, Rensinus, C. ,  SPAAN, Erik ,  LOBEEK, Jan-Willem

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/17

CPC classification number: H03H9/02118 ,  H03H9/175 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005

Abstract: A resonator comprises a bottom electrode layer (12), a top electrode layer (10) which defines a resonator body; and a piezoelectric layer (14) sandwiched between the top and bottom electrode layers. An external region (152) is provided around the outside of the periphery of the resonator body. The cutoff frequency of a first resonance mode of the external region (152) is matched to the cutoff frequency of a second, different, resonance mode of the resonator body. The invention provides a deliberate change (typically increase) in the cutoff frequency the resonance modes in the external region, so that one of the modes has a cutoff frequency close to the cutoff frequency of the fundamental mode of the resonator body.

Abstract translation: 谐振器包括底电极层（12），限定谐振器体的顶电极层（10） 以及夹在顶部和底部电极层之间的压电层（14）。 在谐振器本体的外围的外侧设置有外部区域（152）。 外部区域（152）的第一谐振模式的截止频率与谐振器本体的第二，不同谐振模式的截止频率相匹配。 本发明提供了截止频率对外部区域中的谐振模式的有意的改变（通常增加），使得一个模式具有接近谐振器体的基模的截止频率的截止频率。

公开(公告)号：WO2004112136A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/IB2004/050864

申请日：2004-06-08

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  DEKKER, Ronald ,  HURKX, Godefridus, A., M. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  KEMMEREN, Antonius, L., A., M. ,  BERGERVOET, Jozef, R., M. ,  DE JONG, Gerben, W. ,  STEK, Aalbert

Inventor： DEKKER, Ronald ,  HURKX, Godefridus, A., M. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  KEMMEREN, Antonius, L., A., M. ,  BERGERVOET, Jozef, R., M. ,  DE JONG, Gerben, W. ,  STEK, Aalbert

IPC: H01L25/065

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: The electronic device of the invention comprises a substrate with semiconductor elements, in which substrate one or more cavities are provided. Further active devices are provided in the cavities and coupled to the semiconductor elements through one common multilayer interconnect structure.

Abstract translation: 本发明的电子器件包括具有半导体元件的衬底，其中提供有一个或多个腔体。 另外的有源器件设置在空腔中，并通过一个共同的多层互连结构耦合到半导体元件。

公开(公告)号：WO2004112134A1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：PCT/IB2004/050863

申请日：2004-06-08

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. ,  JANSMAN, Andreas, B., M. ,  DEKKER, Ronald ,  HURKX, Godefridus, A., M. ,  VAN NOORT, Wibo, D. ,  KEMMEREN, Antonius, L., A., M.

Inventor： JANSMAN, Andreas, B., M. ,  DEKKER, Ronald ,  HURKX, Godefridus, A., M. ,  VAN NOORT, Wibo, D. ,  KEMMEREN, Antonius, L., A., M.

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L24/82 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/66 ,  H01L24/24 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: The electronic device comprises a substrate (1) with a cavity (6) in which an active device (8) is present. On the first side (2) of the substrate an interconnect structure (17) extends over the cavity and the substrate. On the second side (3) of the substrate to which the cavity extends, a heat sink (23) is available. The device is particularly suitable for use at high frequencies, for instance higher than 2 GHz and under conditions of high dissipation.

Abstract translation: 电子设备包括具有空腔（6）的衬底（1），其中存在有源器件（8）。 在衬底的第一侧（2）上，互连结构（17）在空腔和衬底上延伸。 在空腔延伸的基板的第二面（3）上，散热片（23）是可用的。 该器件特别适用于高频率，例如高于2GHz和高耗散条件下使用。