Abstract:
A mobile device includes frequency synthesizer circuitry (44) for generating a channel frequency at a multiple of a reference frequency. The reference frequency is generated by a free-running crystal oscillator (72), without frequency stabilization circuitry. Variations in the output of the crystal oscillator (72) are compensated by adjusting the multiplication factor of the frequency synthesizer.
Abstract:
Disclosed are methods, circuits and systems for image reject filtering in a multi-tap direct sampling mixer (MTDSM) of an IF or RF system. Disclosed is the use of rotating capacitors among the in-phase and quadrature branches of a signal processing system. The exchange of information among the branches of the I and Q channels is used in the implementation of a complex filter. Rotation of a switched capacitor C R between the I and Q channels of the circuit causes a sharing of the charge among the four paths, I+, I-, Q+, Q-, resulting in a direct sampling and a complex filtering arrangement (10). The preferred embodiment of the filter (10) shown can be seen to have four sub-circuits (12, 14, 16, 18), which may be understood as single-pole IIR filters. Embodiments using cascaded multiple stages of the complex filter to provide higher order complex filters are also disclosed.
Abstract:
Vorgeschlagen wird ein Photosensor (1, 101) mit wenigstens einer integrierten CMOS-Schaltung (5, 105), die in einem Halbleitersubstrat (2, 102, 202) integriert ist, mit aktiven CMOS-Bauelementen sowie einer im Halbleitermaterial ausgebildeten Photodiode. Um eine hohe Lichtquantenausbeute zu ermöglichen, ist die Photodiode aus einer sich im Halbleitersubstrat befindenden dotierten Region (3, 103) und dem verbleibenden Bulkmaterial (6, 106) des Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei die aktiven CMOS- Bauelemente von dem verbleibenden Bulkmaterial des Halbleitersubstrats durch die dotierte Region räumlich getrennt werden. Ferner wird eine Photosensormatrix (300) vorgeschlagen.
Abstract:
Vorgeschlagen wird ein Lötverfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips (1) mit einer Leiterplatte (2) über wenigstens einen Lötkontakt (7) und zum Herstellen einer Schaltung (14), wobei der Halbleiterchip wenigstens ein elektrisch leitendes Pad (5) aufweist und die Leiterplatte wenigstens einen Leiterbahnabschnitt (9) zur Kontaktierung mit wenigstens einem der Pads des Halbleiterchips umfasst, umfassend: eine Auftragung von Lötpaste (10) auf den wenigstens einen Leiterbahnabschnitt, einen Bondingprozess, bei dem ein Höcker (7) aus wenigstens einem Materialabschnitt (6) auf wenigstens eines der Pads gebondet wird, einen Bestückungsvorgang, bei dem die Leiterplatte so mit wenigstens einem der Halbleiterchips bestückt wird, dass wenigstens einer der Lötkontakte mit der Lötpaste in Berührung kommt, einen Heizprozess, bei dem eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Leiterbahnabschnitt und dem Pad hergestellt wird. Zur Verbesserung des Lötverfahrens wird als Lötkontakt ausschließlich der Höcker verwendet, wobei dieser aus einem homogenen Metall oder einer homogenen Metalllegierung besteht. Ferner wird eine nach dem Lötverfahren hergestellte Schaltung (14) vorgeschlagen.
Abstract:
Disclosed are methods, circuits and systems for image reject filtering in a multi-tap direct sampling mixer (MTDSM) of an IF or RF system. Disclosed is the use of rotating capacitors among the in-phase and quadrature branches of a signal processing system. The exchange of information among the branches of the I and Q channels is used in the implementation of a complex filter. Rotation of a switched capacitor C R between the I and Q channels of the circuit causes a sharing of the charge among the four paths, I+, I-, Q+, Q-, resulting in a direct sampling and a complex filtering arrangement (10). The preferred embodiment of the filter (10) shown can be seen to have four sub-circuits (12, 14, 16, 18), which may be understood as single-pole IIR filters. Embodiments using cascaded multiple stages of the complex filter to provide higher order complex filters are also disclosed.
Abstract:
A low noise amplifier (LNA) (400) operates over multiple frequency bands while occupying less silicon area than known LNA implementations. The LNA includes output matching that can be tuned by an adjustable inductor together with a tunable capacitor bank. Output matching is accomplished by an adjustable inductor (402) together with a tunable capacitor bank (404).
Abstract:
Es wird eine Halbleiterfabrik (1) mit Einrichtungen zur Herstellung von Halbleiterbauelementen vorgeschlagen, bei welcher sich wenigstens ein Teil der Einrichtungen (14), (28) zur Herstellung der Halbleiterbauelemente innerhalb einer Kavität (4, 5, 7) in einer geologischen Masse (6) befindet.
Abstract:
A low noise amplifier (LNA) (400) operates over multiple frequency bands while occupying less silicon area than known LNA implementations. The LNA includes output matching that can be tuned by an adjustable inductor together with a tunable capacitor bank. Output matching is accomplished by an adjustable inductor (402) together with a tunable capacitor bank (404).
Abstract:
A mobile device includes frequency synthesizer circuitry (44) for generating a channel frequency at a multiple of a reference frequency. The reference frequency is generated by a free-running crystal oscillator (72), without frequency stabilization circuitry. Variations in the output of the crystal oscillator (72) are compensated by adjusting the multiplication factor of the frequency synthesizer.