離子感測電荷累積電路及方法
    2.
    发明专利
    離子感測電荷累積電路及方法 审中-公开
    离子传感电荷累积电路及方法

    公开(公告)号:TW201712332A

    公开(公告)日:2017-04-01

    申请号:TW106101966

    申请日:2011-06-30

    CPC classification number: G01N27/414 G01N27/302 G01N27/4145 G01N27/4148

    Abstract: 一種離子感測電路,其包括一電荷累積裝置以及至少一控制與讀取電晶體,其中,電荷累積裝置係依據一流體之離子濃度而累積複數電荷封包,控制與讀取電晶體係依據累積之電荷封包而產生一輸出信號,其係表示溶液之離子濃度;電荷累積裝置可包括一第一電荷控制電極、一電性浮動閘極結構、一第二電荷控制電極、及一汲極擴散區域,其中,第一電荷控制電極係設置在第一電極半導體區域上,電性浮動閘極結構係設置在一閘極半導體區域上並位於一離子感測鈍化保護表面下方,第二電荷控制電極係設置在第二電極半導體區域上,第一控制電極可以控制依據一第一控制信號而進入一閘極半導體區域的電荷輸入,離子感測鈍化保護表面可以用來接收流體,第二電荷控制電極可以依據第二控制信號控制電荷封包的穿透率,以穿出閘極半導體區域並進入汲極擴散區域,汲極擴散區域可以經由第二電極半導體區域而從閘極半導體區域接收電荷封包。

    Abstract in simplified Chinese: 一种离子传感电路,其包括一电荷累积设备以及至少一控制与读取晶体管,其中,电荷累积设备系依据一流体之离子浓度而累积复数电荷封包,控制与读取晶体管系依据累积之电荷封包而产生一输出信号,其系表示溶液之离子浓度;电荷累积设备可包括一第一电荷控制电极、一电性浮动闸极结构、一第二电荷控制电极、及一汲极扩散区域,其中,第一电荷控制电极系设置在第一电极半导体区域上,电性浮动闸极结构系设置在一闸极半导体区域上并位于一离子传感钝化保护表面下方,第二电荷控制电极系设置在第二电极半导体区域上,第一控制电极可以控制依据一第一控制信号而进入一闸极半导体区域的电荷输入,离子传感钝化保护表面可以用来接收流体,第二电荷控制电极可以依据第二控制信号控制电荷封包的穿透率,以穿出闸极半导体区域并进入汲极扩散区域,汲极扩散区域可以经由第二电极半导体区域而从闸极半导体区域接收电荷封包。

    具有傳輸器組態的高資料速率積體電路
    4.
    发明专利
    具有傳輸器組態的高資料速率積體電路 审中-公开
    具有传输器组态的高数据速率集成电路

    公开(公告)号:TW201632880A

    公开(公告)日:2016-09-16

    申请号:TW104142338

    申请日:2015-12-16

    CPC classification number: G01N27/4145 G01N27/4148 G06F17/5072 G06F17/5077

    Abstract: 可使用耦接至包含一傳輸器對組態的傳輸器集合的個別功率域中的時脈乘法器實施諸如包含一大感測器陣列的一積體電路的一高資料速率積體電路。所述積體電路上的參考時脈分佈電路系統分佈一相對低速度參考時脈。在一傳輸器對組態中,每一對包括一傳輸器功率域中的一第一傳輸器及一第二傳輸器。又,每一對傳輸器包含產生一本地傳輸時脈的連接至所述參考時脈分佈電路系統且安置於所述第一與第二傳輸器之間的一時脈乘法器。

    Abstract in simplified Chinese: 可使用耦接至包含一传输器对组态的传输器集合的个别功率域中的时脉乘法器实施诸如包含一大传感器数组的一集成电路的一高数据速率集成电路。所述集成电路上的参考时脉分布电路系统分布一相对低速度参考时脉。在一传输器对组态中,每一对包括一传输器功率域中的一第一传输器及一第二传输器。又,每一对传输器包含产生一本地传输时脉的连接至所述参考时脉分布电路系统且安置于所述第一与第二传输器之间的一时脉乘法器。

    用於使用大規模FET陣列量測分析物之方法及設備
    5.
    发明专利
    用於使用大規模FET陣列量測分析物之方法及設備 审中-公开
    用于使用大规模FET数组量测分析物之方法及设备

    公开(公告)号:TW201629480A

    公开(公告)日:2016-08-16

    申请号:TW104142341

    申请日:2015-12-16

    CPC classification number: G01N27/4148

    Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置,其包括串聯連接至一第二場效電晶體(FET)的一第一FET,及串聯連接至所述第一FET及所述第二FET的一第三FET。所述半導體裝置進一步包含耦接至所述第一FET及所述第二FET的偏壓電路,及耦接至所述第二FET的一端子的一輸出導體,其中所述輸出導體自所述第二FET獲得獨立於所述第一FET的一輸出信號。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备,其包括串联连接至一第二场效应管(FET)的一第一FET,及串联连接至所述第一FET及所述第二FET的一第三FET。所述半导体设备进一步包含耦接至所述第一FET及所述第二FET的偏压电路,及耦接至所述第二FET的一端子的一输出导体,其中所述输出导体自所述第二FET获得独立于所述第一FET的一输出信号。

    具有一致感測器表面區域之化學感測器
    6.
    发明专利
    具有一致感測器表面區域之化學感測器 审中-公开
    具有一致传感器表面区域之化学传感器

    公开(公告)号:TW201518721A

    公开(公告)日:2015-05-16

    申请号:TW103129091

    申请日:2014-08-22

    Abstract: 本發明之一實施例係揭露一種化學感測器,該化學感測器包含:一化學敏感場效電晶體,其包含一浮動閘極導體,該浮動閘極導體具有一上表面;一材料,其定義延伸至該浮動閘極導體之該上表面之一開口,該材料包含一第二介電質及位於該第二介電質之下之一第一介電質;以及一導電元件,其接觸該浮動閘極導體之該上表面且延著該開口之一側壁延伸一距離,該距離由該第一介電質之一厚度界定。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之一实施例系揭露一种化学传感器,该化学传感器包含:一化学敏感场效应管,其包含一浮动闸极导体,该浮动闸极导体具有一上表面;一材料,其定义延伸至该浮动闸极导体之该上表面之一开口,该材料包含一第二介电质及位于该第二介电质之下之一第一介电质;以及一导电组件,其接触该浮动闸极导体之该上表面且延着该开口之一侧壁延伸一距离,该距离由该第一介电质之一厚度界定。

    用於測試離子感測場效電晶體(ISFET)陣列之裝置及方法
    8.
    发明专利
    用於測試離子感測場效電晶體(ISFET)陣列之裝置及方法 审中-公开
    用于测试离子传感场效应管(ISFET)数组之设备及方法

    公开(公告)号:TW201716791A

    公开(公告)日:2017-05-16

    申请号:TW105139587

    申请日:2011-06-30

    Abstract: 本發明提供一種化學感測電晶體裝置(如離子感測場效電晶體裝置)之測試,其不需要將裝置暴露於液體中;在一實施例中,本發明係執行一第一測試以計算電晶體之電阻,依據此電阻,本發明接著執行一第二測試,以便將被測試之電晶體轉換於複數個模式之間,依據對應的測量結果,可以利用微小,甚至是不需要增加電路便可以計算一浮動閘極電壓;在另一實施例中,可以利用源極或汲極之寄生電容來偏壓離子感測場效電晶體裝置之浮動閘極,接著輸入一驅動電壓及一偏壓電流,以利用此寄生電容來測試電晶體之功能性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种化学传感晶体管设备(如离子传感场效应管设备)之测试,其不需要将设备暴露于液体中;在一实施例中,本发明系运行一第一测试以计算晶体管之电阻,依据此电阻,本发明接着运行一第二测试,以便将被测试之晶体管转换于复数个模式之间,依据对应的测量结果,可以利用微小,甚至是不需要增加电路便可以计算一浮动闸极电压;在另一实施例中,可以利用源极或汲极之寄生电容来偏压离子传感场效应管设备之浮动闸极,接着输入一驱动电压及一偏压电流,以利用此寄生电容来测试晶体管之功能性。

    具有功率管理的高資料速率積體電路
    9.
    发明专利
    具有功率管理的高資料速率積體電路 审中-公开
    具有功率管理的高数据速率集成电路

    公开(公告)号:TW201636607A

    公开(公告)日:2016-10-16

    申请号:TW104142339

    申请日:2015-12-16

    Abstract: 本發明提供一種感測器裝置,其包含一感測器陣列及與所述感測器陣列進行流體連通的一流槽。偏壓電路系統施加偏壓配置至所述感測器陣列以產生感測器資料。耦接至所述偏壓電路系統的周邊電路系統自所述感測器陣列產生資料串流,所述周邊電路系統具有一主動模式及一閒置模式。提供用以在所述主動模式與所述閒置模式之間切換所述周邊電路系統以控制功率消耗的邏輯。可包含一溫度感測器且所述邏輯可藉由反饋操作以在所述主動模式與所述閒置模式之間切換以將溫度維持於一操作範圍內。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种传感器设备,其包含一传感器数组及与所述传感器数组进行流体连通的一流槽。偏压电路系统施加偏压配置至所述传感器数组以产生传感器数据。耦接至所述偏压电路系统的周边电路系统自所述传感器数组产生数据串流,所述周边电路系统具有一主动模式及一闲置模式。提供用以在所述主动模式与所述闲置模式之间切换所述周边电路系统以控制功率消耗的逻辑。可包含一温度传感器且所述逻辑可借由反馈操作以在所述主动模式与所述闲置模式之间切换以将温度维持于一操作范围内。

    用於測試離子感測場效電晶體(ISFET)陣列之裝置及方法
    10.
    发明专利
    用於測試離子感測場效電晶體(ISFET)陣列之裝置及方法 审中-公开
    用于测试离子传感场效应管(ISFET)数组之设备及方法

    公开(公告)号:TW201627682A

    公开(公告)日:2016-08-01

    申请号:TW105110158

    申请日:2011-06-30

    Abstract: 本發明提供一種化學感測電晶體裝置(如離子感測場效電晶體裝置)之測試,其不需要將裝置暴露於液體中;在一實施例中,本發明係執行一第一測試以計算電晶體之電阻,依據此電阻,本發明接著執行一第二測試,以便將被測試之電晶體轉換於複數個模式之間,依據對應的測量結果,可以利用微小,甚至是不需要增加電路便可以計算一浮動閘極電壓;在另一實施例中,可以利用源極或汲極之寄生電容來偏壓離子感測場效電晶體裝置之浮動閘極,接著輸入一驅動電壓及一偏壓電流,以利用此寄生電容來測試電晶體之功能性。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种化学传感晶体管设备(如离子传感场效应管设备)之测试,其不需要将设备暴露于液体中;在一实施例中,本发明系运行一第一测试以计算晶体管之电阻,依据此电阻,本发明接着运行一第二测试,以便将被测试之晶体管转换于复数个模式之间,依据对应的测量结果,可以利用微小,甚至是不需要增加电路便可以计算一浮动闸极电压;在另一实施例中,可以利用源极或汲极之寄生电容来偏压离子传感场效应管设备之浮动闸极,接着输入一驱动电压及一偏压电流,以利用此寄生电容来测试晶体管之功能性。

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