中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

7 records (took 0.036 seconds)

    場板MESFET FIELD-PLATE MESFET
    1.
    发明专利
    場板MESFET FIELD-PLATE MESFET 有权
    场板MESFET FIELD-PLATE MESFET

    公开(公告)号：TWI293510B

    公开(公告)日：2008-02-11

    申请号：TW092109281

    申请日：2003-04-22

    Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.

    Inventor： 丹 葛地斯 米勒 DAIN CURTIS MILLER ,  盈德 吉特 伯爾 INDER JIT BAHL ,  愛德華 勞倫斯 葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFEN

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/812

    Abstract: 一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與汲極。閘極導體延伸至位於前述源極與汲極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述汲極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述汲極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。

    Abstract in simplified Chinese: 一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与汲极。闸极导体延伸至位于前述源极与汲极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述汲极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述汲极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。

    製作MESFET之方法 METHOD FOR FABRICATING A MESFET
    2.
    发明专利
    製作MESFET之方法 METHOD FOR FABRICATING A MESFET 审中-公开
    制作MESFET之方法 METHOD FOR FABRICATING A MESFET

    公开(公告)号：TW200733257A

    公开(公告)日：2007-09-01

    申请号：TW096100279

    申请日：2007-01-04

    Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.

    Inventor： 威斯洛 湯瑪士 艾倫 WINSLOW, THOMAS AARON

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/66878

    Abstract: 本發明提供一種金屬半導體場效電晶體(MESFET)及其製造方法。該方法包括形成一n型通道部於一基底中及形成一p型通道部於該基底中。該n型通道部的一邊界與該p型通道部的一邊界係界定出一本質區域(intrinsic region)於該基底中。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种金属半导体场效应管(MESFET)及其制造方法。该方法包括形成一n型信道部于一基底中及形成一p型信道部于该基底中。该n型信道部的一边界与该p型信道部的一边界系界定出一本质区域(intrinsic region)于该基底中。

    小型化非線性HBT陣列 COMPACT NON-LINEAR HBT ARRAY
    6.
    发明专利
    小型化非線性HBT陣列 COMPACT NON-LINEAR HBT ARRAY 审中-公开
    小型化非线性HBT数组 COMPACT NON-LINEAR HBT ARRAY

    公开(公告)号：TW200405651A

    公开(公告)日：2004-04-01

    申请号：TW092127074

    申请日：2003-09-30

    Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.

    Inventor： 溫斯洛 托馬斯 亞倫 WINSLOW, THOMAS AARON

    IPC: H03F

    CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304

    Abstract: 在HBT陣列中之HBT架構成非線性排列，亦即交錯式(staggered)排列，因而降低該陣列中之相鄰HBT間之熱耦合影響以及可以不受線性HBT陣列所需之最小集極－集極間距設計規則之影響。使用此種非線性架構，相鄰HBT彼此間不對齊。在一較佳實施例中，該陣列中之相鄰HBT架構成邊角對邊角排列，以及在一更佳實施例中，相鄰HBT之集極係對準或共模(common)，亦即一HBT之集極共享一相鄰HBT之集極。在一最佳實施例中，該些HBT鎮流成射極－鎮流／基極－鎮流樣態(稱為”混合式鎮流(mixedballasting)”或”雙鎮流(dual-ballasting)”)。

    Abstract in simplified Chinese: 在HBT数组中之HBT架构成非线性排列，亦即交错式(staggered)排列，因而降低该数组中之相邻HBT间之热耦合影响以及可以不受线性HBT数组所需之最小集极－集极间距设计守则之影响。使用此种非线性架构，相邻HBT彼此间不对齐。在一较佳实施例中，该数组中之相邻HBT架构成边角对边角排列，以及在一更佳实施例中，相邻HBT之集极系对准或共模(common)，亦即一HBT之集极共享一相邻HBT之集极。在一最佳实施例中，该些HBT镇流成射极－镇流／基极－镇流样态(称为”混合式镇流(mixedballasting)”或”双镇流(dual-ballasting)”)。

    場板MESFET FIELD-PLATE MESFET
    7.
    发明专利
    場板MESFET FIELD-PLATE MESFET 审中-公开
    场板MESFET FIELD-PLATE MESFET

    公开(公告)号：TW200402882A

    公开(公告)日：2004-02-16

    申请号：TW092109281

    申请日：2003-04-22

    Applicant: M/A商業公司 M/A-COM, INC.

    Inventor： 丹 葛地斯 米勒 DAIN CURTIS MILLER ,  盈德 吉特 伯爾 INDER JIT BAHL ,  愛德華 勞倫斯 葛芬 EDWARD LAWRENCE GRIFFIN

    IPC: H01L

    CPC classification number: H01L29/402 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/812

    Abstract: 一種場板MESFET，包括複數個FET元件。每一個FET元件包括摻雜平面通道及耦合於前述通道各端之源極與吸極。閘極導體延伸至位於前述源極與吸極間位置處之前述通道的一部分上方，與前述吸極保持第一預定距離。場板與前述閘極導體相連且朝前述吸極延伸第二預定距離，除與閘極導體連結外，前述場板藉由介電材料與前述通道絕緣。

    Abstract in simplified Chinese: 一种场板MESFET，包括复数个FET组件。每一个FET组件包括掺杂平面信道及耦合于前述信道各端之源极与吸极。闸极导体延伸至位于前述源极与吸极间位置处之前述信道的一部分上方，与前述吸极保持第一预定距离。场板与前述闸极导体相连且朝前述吸极延伸第二预定距离，除与闸极导体链接外，前述场板借由介电材料与前述信道绝缘。

Patent Agency Ranking