公开(公告)号：CN105579972A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201380071398.1

申请日：2013-07-05

Applicant: 加州理工学院 ,  德克萨斯A&M大学体系 ,  蒋安虓 ,  李玥 ,  E·恩·加德 ,  M·朗贝格 ,  J·布鲁克

Inventor： 蒋安虓 ,  李玥 ,  E·恩·加德 ,  M·朗贝格 ,  J·布鲁克

IPC: G06F11/08 ,  G11C29/52 ,  H03M13/00

CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C17/146 ,  G11C2029/0411 ,  H03M13/13

Abstract: 重写和错误校正这二者是可用于诸如闪速存储器的非易失性存储器的技术。本文公开了一种针对一次写入存储器模型组合重写和错误校正的编码方案。在一些实施方式中，码构造基于极性码，并且支持任何数量的重写并且校正大量的错误。可以针对二进制对称通道分析所述码。能够将结果扩展到多级单元和更一般的噪声模型。