PROCEDEU PENTRU PROTECTIA LA NEUTRONI A DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE SI A ECHIPAMENTELOR ELECTRONICE

    公开(公告)号:RO82282B1

    公开(公告)日:1984-03-30

    申请号:RO10981083

    申请日:1983-01-22

    Abstract: Inventia se refera la un procedeu pentru protectia la neuroni a dispozitivelor semiconductoare si a echipamentelor electronice. Procedeul, conform inventiei, prevede aplicarea unui strat protector realizat prin amestecul boran trimetilaminei sau a boran tertiar butilaminei, în functie de concentratiile de 10 la puterea B sau de H pe care le solicita fluxul de neutroni pentru care se realizeaza protectie si a compondului rasina poliesterica fenolica melaminica pe suprafata capsulei metalice a dispozitivului semiconductor sau pe folie metalica cu care se placheaza inferior carcasa echipamentului electronic, reticularea acestei pelicule la temperatura, în vederea diminuarii fluxului de neuroni prin reactiile din care au rezultat particule încarcate a caror actiune este anihilata prin proprietatile custii lui Faradaz constituita în cazul dispozitivelor semiconductoare din capsula si ambaza iar în cazul echipamentelor electronice din folia metalica.

Patent Agency Ranking