公开(公告)号：JP6375290B2

公开(公告)日：2018-08-15

申请号：JP2015509469

申请日：2013-01-28

Applicant: ネクシス ,  NEXCIS

Inventor： ダン,ブレンダン

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0463

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

公开(公告)号：JP2017507486A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016550216

申请日：2014-12-29

Applicant: ネクシスNexcis

Inventor： デュンヌ，ブレンダン ,  アングル，ステファニー

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  H01L21/363 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/047 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本発明は、薄膜太陽電池を最初の基板(1)上に製造するための方法であって、薄膜太陽電池が最初の基板(1)から剥離可能であり、薄膜太陽電池が裏面金属層(2)とp−n接合を備える薄膜積層体(7)とを備え、方法が:−スパッタリングにより裏面金属層(2)を最初の基板(1)上に積層させるステップ(101)と、−薄膜積層体(7)を裏面金属層(2)上に形成するステップとを備え、裏面金属層を堆積させるために使用される電力、温度および圧力が、剪断応力を裏面金属層に制御された様式で導入するように選択されることを特徴とする、方法に関する。

公开(公告)号：JP2015516110A

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：JP2015509469

申请日：2013-01-28

Applicant: ネクシスNexcis

Inventor： ダン，ブレンダン

IPC: H01L31/0463 ,  H01L31/0749

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: 本発明は薄層(CIGS、Mo)を含む光電池セル(C1、C2)の接続を形成する観点から薄層を取り扱う方法に関し、その薄層は少なくとも第2層(Mo)に堆積された光電池特性を有する第1層(CIGS)と、基板(SUB)に堆積された金属接触層である第2層とを備えており、特に、第2層(Mo)を露出するために第1の幅(L1)を有する少なくとも1つの第1のトレンチを第1層(CIGS)にエッチングするステップと、基板を露出するために、第1の幅(L1)より小さい第2の幅(L2)を有する第2のトレンチを前記第1のトレンチにエッチングするステップとが行われる。【選択図】図2

Abstract translation: 本发明是一种薄层（CIGS，MO）涉及从形成光伏电池（C1，C2）的连接，其包括的观点出发，处理的薄层，沉积光伏特性的薄层的方法是至少第二层（Mo）的 具有（CIGS），和第二层的第一层是沉积在基板（SUB）的金属接触层，特别地，所述第一宽度，以暴露第二层（MO）（ 至少一种具有L1）和蚀刻所述第一层（CIGS），以暴露衬底，第一具有第一宽度（L1）比所述第二宽度更小的（L2）第一沟槽 蚀刻在所述第一沟槽的第二沟槽被执行。 .The

公开(公告)号：US09478695B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US14358185

申请日：2012-11-22

Applicant: NEXCIS

Inventor： Stephanie Angle ,  Ludovic Parissi

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0296 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method of manufacturing a I-III-VI2 layer with photovoltaic properties, comprising: deposition of a metal on a substrate to form a contact layer, deposition of a precursor of the photovoltaic layer, on the contact layer, and heat treatment of the precursor with an addition of element VI to form the I-III-VI2 layer. The element VI usually diffuses into the contact layer (MO) during the heat treatment and combines with the metal to form a superficial layer (SUP) on the contact layer.In the method of the invention, the metal deposition comprises a step during which an additional element is added to the metal to form a compound (MO-EA), in the contact layer, acting as a barrier to the diffusion of the element VI, which allows precisely controlling the properties of the superficial layer, particularly its thickness.

Abstract translation: 在本发明的方法中，金属沉积包括在金属中添加另外的元素以在接触层中形成化合物（MO-EA）的步骤，其作为元件VI的扩散的屏障， 这允许精确控制表层的性质，特别是其厚度。

公开(公告)号：US20140315346A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：US14358185

申请日：2012-11-22

Applicant: NEXCIS

Inventor： Stephanie Angle ,  Ludovic Parissi

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: The invention relates to a method of manufacturing a I-III-VI2 layer with photovoltaic properties, comprising: deposition of a metal on a substrate to form a contact layer, deposition of a precursor of the photovoltaic layer, on the contact layer, and heat treatment of the precursor with an addition of element VI to form the layer. The element VI usually diffuses into the contact layer (MO) during the heat treatment and combines with the metal to form a superficial layer (SUP) on the contact layer. In the method of the invention, the metal deposition comprises a step during which an additional element is added to the metal to form a compound (MO-EA), in the contact layer, acting as a barrier to the diffusion of the element VI, which allows precisely controlling the properties of the superficial layer, particularly its thickness.

Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有光伏特性的I-III-VI2层的方法，包括：在衬底上沉积金属以形成接触层，在接触层上淀积光伏层的前体，并加热 用添加元素VI处理前体以形成该层。 元件VI通常在热处理期间扩散到接触层（MO）中并与金属组合以在接触层上形成表面层（SUP）。 在本发明的方法中，金属沉积包括在金属中添加另外的元素以在接触层中形成化合物（MO-EA）的步骤，其作为元件VI的扩散的屏障， 这允许精确控制表层的性质，特别是其厚度。

公开(公告)号：US20170170359A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：US15116979

申请日：2014-12-29

Applicant: NEXCIS

Inventor： Brendan DUNNE ,  Stéphanie ANGLE

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/047 ,  H01L31/0475 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A method for producing a thin-film solar cell on an initial substrate, the thin-film solar cell being removable from the initial substrate, the thin-film solar cell including a rear metal layer and a thin-film stack including a p-n junction, the method including depositing the rear metal layer on the initial substrate by sputtering; forming the thin-film stack on the rear metal layer, wherein the power, temperature and pressure used to deposit the rear metal layer are chosen so as to introduce shear stress into the rear metal layer in a controlled manner.

公开(公告)号：US20150338212A1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：US14651414

申请日：2013-12-09

Applicant: NEXCIS ,  UNIVERSITE D'AIX-MARSEILLE

Inventor： Antonin MOREAU ,  Véronica BERMUDEZ ,  Ludovic ESCOUBAS ,  Jean-Jacques SIMON

IPC: G01B11/30

CPC classification number: G01B11/303 ,  G01N21/1717 ,  G01N2021/1725 ,  G01N2201/065

Abstract: A photoreflectance device for characterizing a rough surface includes a pump beam emitter to emit a pump beam; a probe beam emitter to emit a probe beam; a detector to detect the probe beam reflected by the surface; an integrating sphere to collect the probe beam reflected by the surface, the integrating sphere including: a first output connected to the detector, and disposed so as to receive a majority of the probe beam reflected by the surface; a second output arranged so as to receive a majority of the pump beam reflected by the surface.

Abstract translation: 用于表征粗糙表面的光反射装置包括：泵浦光束发射器，用于发射泵浦光束; 用于发射探测光束的探测光束发射器; 用于检测由表面反射的探测光束的检测器; 用于收集由表面反射的探测光束的积分球，所述积分球包括：连接到所述检测器的第一输出，并且被设置为接收由所述表面反射的所述探测光束的大部分; 布置成接收由表面反射的泵浦光束的大部分的第二输出。

公开(公告)号：WO2012095597A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：PCT/FR2012/050047

申请日：2012-01-09

Applicant: NEXCIS ,  BROUSSILLOU, Cédric ,  MORIN, Eric ,  BODNAR, Sylvie ,  NEMER, Maroun ,  CLODIC, Denis

Inventor： BROUSSILLOU, Cédric ,  MORIN, Eric ,  BODNAR, Sylvie ,  NEMER, Maroun ,  CLODIC, Denis

IPC: H01L31/032 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/5866 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: Procédé de traitement thermique avec enrichissement en élément VI d'un matériau (1 ) en couche mince, le procédé comprenant une ou plusieurs étapes d'enrichissement pendant lesquelles le matériau (1 ) est mis en contact avec un gaz réactif (5a) comprenant de l'élément VI à une pression partielle contrôlée, le procédé étant caractérisé en ce que, pour chaque étape d'enrichissement, le matériau (1 ) est placé dans un réacteur (3, 4, 5, 6, 7) où est injecté le gaz réactif de l'étape d'enrichissement, le gaz réactif étant obtenu en faisant barboter un gaz vecteur (16b) dans une charge (16a) comprenant de l'élément VI placée dans un conteneur (16) et en maintenant dans le conteneur des conditions de température et de pression choisies pour que le gaz réactif (5a) comprenne de l'élément VI dans une fraction massique prédéterminée (Xs) pour l'étape d'enrichissement.

Abstract translation: 本发明涉及一种热处理方法，其包括用VI族元素富集薄膜材料（1），所述方法包括一种或多种富集步骤，在该步骤中材料（1）与反应性气体接触 5a）包括在受控分压下的VI族元素，所述方法的特征在于，对于每个富集步骤，将材料（1）置于反应器（3,4,5,6,7）中，反应器 进料富集步骤的气体，所述反应性气体是通过使包含VI族元素的原料（16a）中的载气（16b）鼓泡并将其置于容器（16）中并通过保持温度和压力而获得的 选择的容器中的条件使得反应气体（5a）包括用于富集步骤的预定质量分数（Xs）的VI族元素。

公开(公告)号：WO2011117548A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/FR2011/050632

申请日：2011-03-24

Applicant: NEXCIS ,  DUNNE, Brendan

Inventor： DUNNE, Brendan

IPC: H01L27/142 ,  H01L31/02 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02008 ,  H01L31/03928 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: La présente invention concerne la fabrication d'un panneau de cellules photovoltaïques, comportant les étapes : a) obtention de films photovoltaïques (PV) destinés chacun à une cellule, disposés sur une face avant d'un substrat métallique, b) application d'au moins un film conducteur (CG, CND) sur chaque face avant d'un film photovoltaïque, c) découpe du substrat (SUB) pour isoler des cellules les unes des autres, d) encapsulation (ENC) des cellules sur un support commun. Au sens de l'invention, les étapes d) et c) sont inversées, l'étape d) visant une encapsulation de la face avant du substrat, avant la découpe du substrat par sa face arrière à l'étape c). En outre : - à l'étape b), une zone du film conducteur se prolonge sur le substrat de sorte que le film conducteur est en contact à la fois avec la face avant du film photovoltaïque et la face avant du substrat, - à l'étape c), le substrat est découpé pour dé-court-circuiter les films photovoltaïques entre eux, au moins sous la zone précitée du film conducteur et sur une largeur de substrat inférieure à la largeur de la zone.

Abstract translation: 本发明涉及光伏电池板的制造，所述制造方法包括以下步骤：a）获得各自用于电池并放置在金属基板前表面上的光伏（PV）膜; b）将至少一个导电膜（CG，CND）施加到光伏膜的每个前表面上; c）切割衬底（SUB）以使细胞彼此隔离; 和d）将细胞封装（ENC）在共同的安装上。 根据本发明，步骤d）和c）相反，因此步骤d）涉及在步骤c）之前封装衬底的前表面，将衬底的后表面向上切割。 此外，在步骤b）中，导电膜的面积在衬底上延伸，使得导电膜同时与光电池的前表面和衬底的前表面接触，并且在步骤c）中， 切割基板以避免至少在导电膜的上述区域和小于该区域的宽度的基板宽度上的光伏电池之间的短路。

公开(公告)号：WO2014177809A1

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：PCT/FR2014/051030

申请日：2014-04-30

Applicant: NEXCIS

Inventor： BROUSSILLOU, Cédric ,  BODNAR, Sylvie

IPC: H01L21/36 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L31/0322 ,  F27B9/10 ,  F27D7/06 ,  F27D2007/063 ,  F27D2019/0093 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/677 ,  H01L31/036 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne le domaine des procédés industriels de formation d'une couche semi-conductrice, notamment en vue d'applications photovoltaïques, et plus particulièrement un procédé de formation d'une couche semi-conductrice de type I- III-VI2 par traitement thermique et chalcogénisation d'un précurseur métallique de type l-lll, le procédé comprenant: - une étape de chauffe S1 sous ambiance inerte pendant laquelle la température croît de façon monotone jusqu'à une première température T1 comprise entre 460 °C et 540 °C, pour permettre la densification du précurseur métallique (2), et - une étape de chalcogénisation S2 débutant à ladite première température T1 et pendant laquelle la température continue de croître jusqu'à une seconde température T2, de stabilisation, comprise entre 550 °C et 600 °C, pour permettre la formation de la couche semi-conductrice. La formation d'une couche semi-conductrice, ou équivalemment d'un absorbeur, présentant un gain d'environ 4% en efficacité de conversion est ainsi avantageusement atteinte.

Abstract translation: 本发明涉及用于形成半导体层的工业过程领域，特别是考虑到光伏应用，更具体地涉及通过金属前体的热处理和硫属化形成I-III-VI2型半导体层的方法 的I-III型，该方法包括： - 在惰性气氛下的加热步骤S1，其中温度均匀地升高到460℃至540℃之间的第一温度T1，以使得能够致密化金属 前体（2）和 - 从所述第一温度T1开始的硫化化步骤S2，并且其中温度继续升高至550℃至600℃之间的第二温度T2，稳定温度，以使得能够 形成半导体层。 因此有利地实现了具有约4％的转换效率增益的半导体层或等效于吸收体的形成。