ARTERIOSCLEROSIS REMEDY
    2.
    发明申请
    ARTERIOSCLEROSIS REMEDY 审中-公开
    麻醉药物补救

    公开(公告)号:WO1995009010A1

    公开(公告)日:1995-04-06

    申请号:PCT/JP1994000320

    申请日:1994-02-28

    CPC classification number: C07K14/47

    Abstract: An arteriosclerosis remedy containing a carponin gene as the active ingredient, which is useful because it can inhibit the thickening of the endangium. It is therefore efficacious for the treatment of arteriosclerosis and ischemic heart diseases which may be caused thereby, such as angina pectoris and myocardial infarction. In particular, it can remarkably effectively inhibit the occurrence of restenosis after percutaneous transluminal coronary angioplasty (PTCA).

    Abstract translation: 含有carponin基因作为活性成分的动脉硬化症药物,因为它可以抑制内膜的增厚是有用的。 因此,对于可能由此引起的动脉硬化和缺血性心脏病的治疗,如心绞痛和心肌梗死是有效的。 特别是可以显着有效地抑制经皮腔内冠状动脉成形术(PTCA)后再狭窄的发生。

    車輛用撞擊緩衝裝置
    5.
    发明专利
    車輛用撞擊緩衝裝置 失效
    车辆用撞击缓冲设备

    公开(公告)号:TW200519273A

    公开(公告)日:2005-06-16

    申请号:TW093123213

    申请日:2004-08-03

    IPC: E01F

    CPC classification number: E01F15/143 E01F15/146

    Abstract: 本發明係提供一種可以低的設置成本設置於狹窄的設置空間內,且可使撞擊的車輛緊急停止,又,可有效的緩和車輛所受到的衝擊之車輛用撞擊緩衝裝置。該車輛用撞擊緩衝裝置具備有:一緩衝體(10A),係因車輛的撞擊而變形以減輕該車輛所受到的衝擊者;一支持體(20A),係用以支持該緩衝體(10A)者;及一保持部(30A),係用以將該支持體(20A)以站立姿勢保持於設置領域(E)者;又,於前述支持體(20A)具備有一被施加預定設定值以上的荷重就會被破壞,而解除前述支持體(20A)以站立姿勢保持於設置領域之狀態之作為解除部之缺口部(31A),又,支持體(20A)於較前述設定值為小的荷重下會產生塑性變形。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供一种可以低的设置成本设置于狭窄的设置空间内,且可使撞击的车辆紧急停止,又,可有效的缓和车辆所受到的冲击之车辆用撞击缓冲设备。该车辆用撞击缓冲设备具备有:一缓冲体(10A),系因车辆的撞击而变形以减轻该车辆所受到的冲击者;一支持体(20A),系用以支持该缓冲体(10A)者;及一保持部(30A),系用以将该支持体(20A)以站立姿势保持于设置领域(E)者;又,于前述支持体(20A)具备有一被施加预定设置值以上的荷重就会被破坏,而解除前述支持体(20A)以站立姿势保持于设置领域之状态之作为解除部之缺口部(31A),又,支持体(20A)于较前述设置值为小的荷重下会产生塑性变形。

    單晶碳化矽薄膜的製造方法及其製造裝置
    9.
    发明专利
    單晶碳化矽薄膜的製造方法及其製造裝置 失效
    单晶碳化硅薄膜的制造方法及其制造设备

    公开(公告)号:TWI270103B

    公开(公告)日:2007-01-01

    申请号:TW091109699

    申请日:2002-05-09

    IPC: H01L

    CPC classification number: C30B25/02 C30B29/36

    Abstract: 【目的】
    廉價且容易地製造單晶碳化矽薄膜。【構成】
    具備:
    設置有成膜用SOI基板100之成膜室200;
    對此成膜室200供給單晶碳化矽薄膜的製造所需的各種氣體G1~G4之氣體供給手段300;
    處理供給該成膜室200的當作惰性氣體G1的氬氣、當作碳氫化合物系氣體G2的丙烷氣體、當作載氣G3的氫氣以及氧氣G4之氣體處理手段500;以及
    控制該成膜室200的溫度之溫度控制手段400。

    Abstract in simplified Chinese: 【目的】 廉价且容易地制造单晶碳化硅薄膜。【构成】 具备: 设置有成膜用SOI基板100之成膜室200; 对此成膜室200供给单晶碳化硅薄膜的制造所需的各种气体G1~G4之气体供给手段300; 处理供给该成膜室200的当作惰性气体G1的氩气、当作碳氢化合物系气体G2的丙烷气体、当作载气G3的氢气以及氧气G4之气体处理手段500;以及 控制该成膜室200的温度之温度控制手段400。

    絕緣層埋入型半導體碳化矽基板的製造方法及其製造裝置
    10.
    发明专利
    絕緣層埋入型半導體碳化矽基板的製造方法及其製造裝置 有权
    绝缘层埋入型半导体碳化硅基板的制造方法及其制造设备

    公开(公告)号:TWI264070B

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:TW091137731

    申请日:2002-12-27

    IPC: H01L

    Abstract: 【目的】
    在SOI基板上廉價且容易地形成單晶碳化矽薄膜。
    【構成】
    具有:設置表面矽層130的膜厚為10nm以下具有埋入絕緣物層120的SOI基板100於加熱爐200內,在加熱爐200內供給氫氣G1與碳氫化合物系氣體G2的混合氣體(G1+G2),且使加熱爐200內的環境溫度上升,使SOI基板100的表面矽層130轉化成單晶碳化矽薄膜140的第一製程,與過剩地進行第一製程使碳薄膜150沉積於單晶碳化矽薄膜140之上的第二製程,與以預定的比例以混合有氧氣G3的惰性氣體G4置換混合氣體(G1+G2),加熱SOI基板100到550℃以上,以蝕刻除去碳薄膜150的第三製程,與以不混合有氧氣G3的純粹的惰性氣體G4置換混合有氧氣G3的惰性氣體G4,使加熱爐200內的環境溫度上升到預定的溫度的第四製程,與在維持預定的環境溫度的狀態下,供給氫氣G1與矽烷系氣體G5到加熱爐200內,在SOI基板100的表面的單晶碳化矽薄膜140之上使新的單晶碳化矽薄膜160成長的第五製程。

    Abstract in simplified Chinese: 【目的】 在SOI基板上廉价且容易地形成单晶碳化硅薄膜。 【构成】 具有:设置表面硅层130的膜厚为10nm以下具有埋入绝缘物层120的SOI基板100于加热炉200内,在加热炉200内供给氢气G1与碳氢化合物系气体G2的混合气体(G1+G2),且使加热炉200内的环境温度上升,使SOI基板100的表面硅层130转化成单晶碳化硅薄膜140的第一制程,与过剩地进行第一制程使碳薄膜150沉积於单晶碳化硅薄膜140之上的第二制程,与以预定的比例以混合有氧气G3的惰性气体G4置换混合气体(G1+G2),加热SOI基板100到550℃以上,以蚀刻除去碳薄膜150的第三制程,与以不混合有氧气G3的纯粹的惰性气体G4置换混合有氧气G3的惰性气体G4,使加热炉200内的环境温度上升到预定的温度的第四制程,与在维持预定的环境温度的状态下,供给氢气G1与硅烷系气体G5到加热炉200内,在SOI基板100的表面的单晶碳化硅薄膜140之上使新的单晶碳化硅薄膜160成长的第五制程。

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