METALLSUBSTRATE MIT KRATZFESTER UND DEHNBARER KORROSIONSSCHUTZSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
    7.
    发明申请
    METALLSUBSTRATE MIT KRATZFESTER UND DEHNBARER KORROSIONSSCHUTZSCHICHT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
    随着对防刮和韧性腐蚀保护涂层方法金属基材及其

    公开(公告)号:WO2010125178A1

    公开(公告)日:2010-11-04

    申请号:PCT/EP2010/055897

    申请日:2010-04-30

    Abstract: Verfahren zum Beschichten der Oberfläche eines Metallsubstrates, mit folgenden Schritten: A. Bereitstellen des Metallsubstrates und gegebenenfalls Säubern der zu beschichtenden Substratoberfläche, B. Beschichten der gegebenenfalls in Schritt A gesäuberten Substratoberfläche in einem Plasmapolymerisationsreaktor mittels Plasmapolymerisation, wobei - in Schritt B als Precursor(en) für das Plasma eine oder mehrere siliciumorganische sowie (a) keine weiteren oder (b) weitere Verbindungen eingesetzt werden und in Schritt B das Metallsubstrat im Plasmapolymerisationsreaktor so angeordnet wird, dass es als Kathode geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren so geführt wird, dass die durch das Verfahren hergestellte Beschichtung - eine Dehnung bis Mikrorissvon ≥ 1,5 %, vorzugsweise ≥ 2,5 %, - einen nach ASTM D 1925 bestimmten Gelbindex (Yellow Index) von ≤ 4 vorzugsweise ≤ 3, weiter bevorzugt ≤ 2,5 und - eine mittels Nanoindentation zu messende Härte im Bereich von 2,5 bis 10 GPa, vorzugsweise 3,1 bis 10 GPa, weiter bevorzugt 3,1 bis 6 GPa sowie bevorzugt - eine Wärmeleitfähigkeit ≤5 W / m°K, vorzugsweise ≤ 2,5 W / m°K und/oder - eine elektrische Durchschlagsfestigkeit von 10 -100 kV/mm, vorzugsweise von ≥40 kV/mm aufweist, mit der Massgabe, dass das Metallsubstrat kein Leichtmetallsubstrat ist und mit der Massgabe, dass für den Fall einer Dehnung bis Mikroriss der Beschichtung von ≤ 2,2 % die mittels Nanoidentation zu messende Härte ≥ 6 GPa beträgt.

    Abstract translation: 待涂覆A.提供金属基材和任选地,清洗基板表面上,例如,通过等离子体的手段涂布在等离子体聚合反应器中任选地清洗在步骤A衬底表面,其中, - 在步骤B(作为前体于:涂层的金属基材的表面上,其包括以下步骤的方法 )对于等离子体没有进一步的,或(b)使用一种或多种有机硅以及多种化合物(a)和在等离子体聚合反应器中的金属基板被布置成在它被作为阴极连接步骤b,其特征在于,如此进行所述方法 由方法制备的涂层 - 伸长到Mikrorissvon = 1.5%,优选为2.5%, - 的优选= 4 = 3的ASTM D1925某些黄色指数(黄色度),更优选= 2, 图5和 - 纳米压痕硬度的一种手段,以在2.5 b的范围内测量 在10Gpa,优选3.1〜10GPa的,更优选为3.1〜6 GPA,并且优选 - 热导率= 5瓦/米°K,优选= 2.5瓦/米°K和/或 - 的电击穿强度 包括10 -100千伏/毫米,优选= 40千伏/毫米,与该金属基板是条件,并且条件没有轻金属基板,对于应变的通过的情况下的= 2.2%的涂层的显微裂纹 Nanoidentation要测量硬度= 6 GPA。

    METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS AND CORRESPONDING LAYER
    9.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING THIN LAYERS AND CORRESPONDING LAYER 审中-公开
    法生产薄层和相关涂料

    公开(公告)号:WO2008132230A2

    公开(公告)日:2008-11-06

    申请号:PCT/EP2008055351

    申请日:2008-04-30

    Abstract: The invention relates to a coating method comprising the following steps: a) a mixture or a pure substance comprising or consisting of inactive liquid precursors is provided, b) a liquid layer of the mixture or the pure substance is applied to a surface to be coated, c) the liquid precursors are cross-linked by means of radiation having a wavelength of = 250 nm, such that a solid layer is created from the mixture, said solid layer comprising = 10 atomic % of C, in relation to the quantity of the atoms contained in the layer, without H and F, and such that a maximum of 50 atomic % of the C contained in the layer, in relation to the quantity of the C atoms contained in the layer, is part of a methoxy group. The invention also relates to layers produced or producible by means of said method, to the uses thereof, and to the corresponding coated objects and the uses thereof.

    Abstract translation: 本发明涉及一种涂覆方法,包括以下步骤:a)惰性提供的混合物或纯的物质,其包含或组成的,液体前体,b)将所述混合物或纯物质到表面的液体层被涂布,c)中的交联的 液体前体由具有= 250nm的波长,从而使固体层从该混合物中,C的层= 10原子%形成的基础上,包含在无H和F的层中的原子的量,并且使得辐射的装置 是C包含在层到最多的C 50原子%,基于碳原子,包含在层中的甲氧基团的一部分的量。 本发明还涉及能够制造或产生该层的方法的手段和它们的用途,以及相应的涂覆制品和它们的用途。

    WAFER-TRÄGER-ANORDNUNG, SCHICHTVERBUND ZUR VERWENDUNG BEI DER HERSTELLUNG EINER SOLCHEN WAFER-TRÄGER-ANORDNUNG SOWIE ENTSPRECHENDE VERFAHREN UND VERWENDUNGEN
    10.
    发明申请
    WAFER-TRÄGER-ANORDNUNG, SCHICHTVERBUND ZUR VERWENDUNG BEI DER HERSTELLUNG EINER SOLCHEN WAFER-TRÄGER-ANORDNUNG SOWIE ENTSPRECHENDE VERFAHREN UND VERWENDUNGEN 审中-公开
    晶片载体的安排,复合层用于此类晶圆承载器设备的生产及相关做法和用途

    公开(公告)号:WO2007147749A1

    公开(公告)日:2007-12-27

    申请号:PCT/EP2007/055739

    申请日:2007-06-12

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafer-Träger-Anordnung, umfassend: einen Wafer (8), eine Trägerschicht (4, 6) und eine Trennschicht (2), die zwischen der Trägerschicht (4, 6) und dem Wafer (8) angeordnet ist, wobei die Trennschicht (2) (i) eine plasmapolymere Schicht (2) ist oder neben einer oder mehreren weiteren Schichten eine an die Trägerschicht angrenzende plasmapolymere Schicht (2) umfasst und (ii) an dem Wafer (8) haftet und an der Trägerschicht (4, 6) fester haftet als an dem Wafer, wobei die plasmapolymere Schicht (2) eine Schicht ist bestehend aus Kohlenstoff, Silicium, Sauerstoff und Wasserstoff sowie gegebenenfalls üblichen Verunreinigungen, wobei im ESCA-Spektrum der plasmapolymeren Schicht (2), bei Kalibrierung auf den aliphatischen Anteil des C 1 s Peaks bei 285,00 eV, im Vergleich mit einem trimethylsiloxy-terminierten Polydimethylsiloxan (PDMS) mit einer kinematischen Viskosität von 350 mm2/s bei 25 °C und einer Dichte von 0,97 g/mL bei 25 °C, der Si 2p Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,44 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist, und der O 1 s Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,50 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist.

    Abstract translation: 是(2)设置在所述载体层(4,6)和(8)布置在所述晶片之间的晶片(8),一个载体层(4,6)和释放层:本发明涉及到包括晶片支承组件 其中所述隔离层(2)(ⅰ)的等离子体聚合物层(2)或邻近(2)相邻的一个或多个另外的层包括与所述背衬层等离子体聚合物层的层(ii)所述晶片(8)上附着,和到载体层 (4,6)附着比到晶片,其中,所述等离子体聚合物层(2)是由碳,硅,氧和氢,和任选地常规杂质的层,更牢固,其特征在于在等离子体聚合物层(2)的ESCA光谱,在校准期间 的脂族的C 1s峰中的285.00电子伏特,与三甲基甲硅烷基封端的聚二甲基硅氧烷(PDMS)为350毫米2 /秒的运动粘度在25℃和部分相比在0.97克/毫升的密度 25℃下,将Si 2 p峰具有由至多0.44电子伏特偏移到较高或较低的结合能的键的能量值,和O 1s峰具有由至多0.50电子伏特偏移到较高或较低的结合能的键的能量值。

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