Abstract:
Die vorliegende Erfindung betrifft eine plasmapolymere Entformungsschicht, bzw. Antihaftschicht mit verbesserten Gleiteigenschaften der Oberfläche und ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche, sowie entsprechend beschichtete Körper und dessen Verwendung.
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer die Schmutzwahrnehmung unterdrückenden Beschichtung für glänzende Oberfläche sowie Körper, die mit einer entsprechenden, die Schmutzwahrnehmung unterdrückenden Beschichtung ausgestattet sind.
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Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung einer vernetzten siliziumhaltigen Schicht enthaltend, bestehend im wesentlichen aus oder bestehend aus Silizium, O, C, H, optional N, die durch Plasmapolymerisation und/oder Vernetzung von siliziumorganischen Flüssigkeiten mit Hilfe eines Plasmaprozesses und/oder UV-Strahlung einer Wellenlänge unter 250 nm ohne die Verwendung von Metallen einer Ordnungszahl über 14 herstellbar ist, als biokompatible Oberfläche, zum Vermitteln oder Versehen einer Oberfläche mit einer nicht-genotoxischen Wirkung. Ferner betrifft die Erfindung entsprechend beschichtete Gegenstände und Verfahren zu ihrer Herstellung.
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung eines kontaminierten Objekts mit Trockeneis, wobei das Objekt an der Objektoberfläche zumindest teilweise mit einer Funktionsschicht versehen ist, auf der eine Kontamination haftet, und wobei (a) die Kontamination an der Funktionsschicht weniger fest haftet als sie es an der unter der Funktionsschicht liegenden Objektoberfläche täte, (b) die Funktionsschicht vorzugsweise eine geringere Wärmeleitfähigkeit als das Objekt besitzt und (c) die Funktionsschicht bei Raumtemperatur beständig ist gegen die bei Kontaktieren mit Trockeneis auftretenden Temperaturdifferenzen.
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Anordnung aus einem elastomeren und/oder polymeren Substrat und einer darauf angeordneten plasmapolymeren Beschichtung bestehend aus Kohlenstoff, Silizium, Sauerstoff, Stickstoff und Wasserstoff.
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Verfahren zum Beschichten der Oberfläche eines Metallsubstrates, mit folgenden Schritten: A. Bereitstellen des Metallsubstrates und gegebenenfalls Säubern der zu beschichtenden Substratoberfläche, B. Beschichten der gegebenenfalls in Schritt A gesäuberten Substratoberfläche in einem Plasmapolymerisationsreaktor mittels Plasmapolymerisation, wobei - in Schritt B als Precursor(en) für das Plasma eine oder mehrere siliciumorganische sowie (a) keine weiteren oder (b) weitere Verbindungen eingesetzt werden und in Schritt B das Metallsubstrat im Plasmapolymerisationsreaktor so angeordnet wird, dass es als Kathode geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren so geführt wird, dass die durch das Verfahren hergestellte Beschichtung - eine Dehnung bis Mikrorissvon ≥ 1,5 %, vorzugsweise ≥ 2,5 %, - einen nach ASTM D 1925 bestimmten Gelbindex (Yellow Index) von ≤ 4 vorzugsweise ≤ 3, weiter bevorzugt ≤ 2,5 und - eine mittels Nanoindentation zu messende Härte im Bereich von 2,5 bis 10 GPa, vorzugsweise 3,1 bis 10 GPa, weiter bevorzugt 3,1 bis 6 GPa sowie bevorzugt - eine Wärmeleitfähigkeit ≤5 W / m°K, vorzugsweise ≤ 2,5 W / m°K und/oder - eine elektrische Durchschlagsfestigkeit von 10 -100 kV/mm, vorzugsweise von ≥40 kV/mm aufweist, mit der Massgabe, dass das Metallsubstrat kein Leichtmetallsubstrat ist und mit der Massgabe, dass für den Fall einer Dehnung bis Mikroriss der Beschichtung von ≤ 2,2 % die mittels Nanoidentation zu messende Härte ≥ 6 GPa beträgt.
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Die vorliegende Erfindung betrifft Artikel umfassend oder bestehend aus einem plasmapolymeren Produkt, bestehend aus Kohlenstoff, Silicium, Sauerstoff und Wasserstoff, wobei im ESCA-Spektrum des plasmapolymeren Produktes, bei Kalibrierung auf den aliphatischen Anteil des C 1 s Peaks bei 285,00 eV, im Vergleich mit einem trimethylsiloxy-terminierten Polydimethylsiloxan (PDMS) mit einer kinematischen Viskosität von 350 mm2/s bei 25°C und einer Dichte von 0,97 g/mL bei 25°C, der Si 2p Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,44 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist, und der O 1 s Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,50 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist.
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The invention relates to a coating method comprising the following steps: a) a mixture or a pure substance comprising or consisting of inactive liquid precursors is provided, b) a liquid layer of the mixture or the pure substance is applied to a surface to be coated, c) the liquid precursors are cross-linked by means of radiation having a wavelength of = 250 nm, such that a solid layer is created from the mixture, said solid layer comprising = 10 atomic % of C, in relation to the quantity of the atoms contained in the layer, without H and F, and such that a maximum of 50 atomic % of the C contained in the layer, in relation to the quantity of the C atoms contained in the layer, is part of a methoxy group. The invention also relates to layers produced or producible by means of said method, to the uses thereof, and to the corresponding coated objects and the uses thereof.
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Wafer-Träger-Anordnung, umfassend: einen Wafer (8), eine Trägerschicht (4, 6) und eine Trennschicht (2), die zwischen der Trägerschicht (4, 6) und dem Wafer (8) angeordnet ist, wobei die Trennschicht (2) (i) eine plasmapolymere Schicht (2) ist oder neben einer oder mehreren weiteren Schichten eine an die Trägerschicht angrenzende plasmapolymere Schicht (2) umfasst und (ii) an dem Wafer (8) haftet und an der Trägerschicht (4, 6) fester haftet als an dem Wafer, wobei die plasmapolymere Schicht (2) eine Schicht ist bestehend aus Kohlenstoff, Silicium, Sauerstoff und Wasserstoff sowie gegebenenfalls üblichen Verunreinigungen, wobei im ESCA-Spektrum der plasmapolymeren Schicht (2), bei Kalibrierung auf den aliphatischen Anteil des C 1 s Peaks bei 285,00 eV, im Vergleich mit einem trimethylsiloxy-terminierten Polydimethylsiloxan (PDMS) mit einer kinematischen Viskosität von 350 mm2/s bei 25 °C und einer Dichte von 0,97 g/mL bei 25 °C, der Si 2p Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,44 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist, und der O 1 s Peak einen Bindungsenergiewert besitzt, der um maximal 0,50 eV zu höheren oder niedrigeren Bindungsenergien verschoben ist.