公开(公告)号：WO2009013291A3

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：PCT/EP2008059598

申请日：2008-07-22

Applicant: BASF SE ,  HENNIG INGOLF ,  DOETZ FLORIAN ,  ECKERLE PETER ,  PARASHKOV RADOSLAV ,  KASTLER MARCEL ,  VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN

Inventor： HENNIG INGOLF ,  DOETZ FLORIAN ,  ECKERLE PETER ,  PARASHKOV RADOSLAV ,  KASTLER MARCEL ,  VAIDYANATHAN SUBRAMANIAN

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L51/0529

Abstract: A field effect element comprising: a source electrode and a drain-electrode, a semiconducting layer comprising a semiconducting compound being in contact with the source electrode and the drain electrode, - a gate electrode, and a dielectric layer comprising one or more compounds selected from hygroscopic organic compounds and/or from nanoparticulate inorganic compounds being arranged between the semiconducting layer and the gate electrode, wherein said hygroscopic organic compounds have a water absorption capability of more than 1.2 % by weight, and a hydrophobic insulating layer being arranged between the gate electrode and the dielectric layer preventing diffusion of water into the one or more hygroscopic compounds of the dielectric layer during the time of use of the field effect element, said hydrophobic insulating layer having a water absorption capability of less than 1.2 % by weight, the semiconducting layer, the dielectric layer or the hydrophobic insulating layer, or a combination thereof, being disposable from a liquid; and a process for producting the same.

Abstract translation: 一种场效应元件，包括：源电极和漏电极，包括与源电极和漏极接触的半导体化合物的半导体层， - 栅电极和包含一种或多种选自以下的化合物的介电层： 吸湿性有机化合物和/或从纳米颗粒无机化合物排列在半导电层和栅电极之间，其中所述吸湿有机化合物具有大于1.2重量％的吸水能力，疏水绝缘层设置在栅电极 以及介电层，其防止在使用场效应元件期间水进入介电层的一种或多种吸湿性化合物，所述疏水性绝缘层的吸水能力小于1.2重量％，所述半导体层 ，介电层或疏水绝缘层，或组合体 从液体中一次性使用; 以及产品的制造过程。

公开(公告)号：WO2010026102A1

公开(公告)日：2010-03-11

申请号：PCT/EP2009/061103

申请日：2009-08-28

Applicant: BASF SE ,  DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  HIBST, Hartmut ,  PARASHKOV, Radoslav ,  HENNIG, Ingolf ,  KASTLER, Marcel ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  WEBER, Lothar ,  ECKERLE, Peter

Inventor： DOMKE, Imme ,  KARPOV, Andrey ,  HIBST, Hartmut ,  PARASHKOV, Radoslav ,  HENNIG, Ingolf ,  KASTLER, Marcel ,  FLEISCHHAKER, Friederike ,  WEBER, Lothar ,  ECKERLE, Peter

IPC: C09C1/04 ,  C09C3/08 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C09C1/043 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/7869 ,  Y10T428/29 ,  Y10T428/2995

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft Partikel, die mit einem Modifikator modifiziert wurden und ein Dispersionsmittel enthaltend die modifizierten Partikel. Die oberflächenmodifizierten Metall-, Metallhalogenid-, Metallchalkogenid-, Metallnitrid-, Metallphosphid-, Metallborid- oder Metallphosphatpartikel oder Mischungen derselben, weisen einen mittleren Partikeldurchmesser von 1 bis 500 nm auf und deren Oberfläche wurde mit einem oder mehreren Modifikatoren der Formel (I), (II) und (III) modifiziert.

Abstract translation: 本发明涉及经修饰与改性剂和包含修饰的颗粒的分散剂的粒子。 表面改性的金属，金属卤化物，Metallchalkogenid-，金属氮化物，金属磷化物，金属硼化物或金属磷酸盐颗粒，或它们的混合物，具有1至500nm的平均粒径，并且其表面涂有式（I）的一种或多种改性剂， （II）和（III）改性。

公开(公告)号：WO2010108978A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/EP2010/053888

申请日：2010-03-25

Applicant: BASF SE ,  PARASHKOV, Radoslav ,  JACOBSEN, Harald ,  KASTLER, Marcel

Inventor： PARASHKOV, Radoslav ,  JACOBSEN, Harald ,  KASTLER, Marcel

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

CPC classification number: H01L51/0579 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0583 ,  H01L51/102 ,  H01L51/441 ,  H01L51/5203

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Diode (1) zwischen deren Elektroden (9, 3) eine selbstorganisierende Monolage (7) sowie eine Halbleiterschicht (5) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft ferner die Verwendung selbstorganisierender Monolagen (7) zur Herstellung von Dioden (1).

Abstract translation: 本发明涉及一种在电极（9,3）的自组装单层（7）和半导体层（5）布置之间的二极管（1）。 本发明还涉及使用了二极管（1）的制造中的自组装单分子层（7）的。

公开(公告)号：WO2009013291A2

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：PCT/EP2008/059598

申请日：2008-07-22

Applicant: BASF SE ,  HENNIG, Ingolf ,  DÖTZ, Florian ,  ECKERLE, Peter ,  PARASHKOV, Radoslav ,  KASTLER, Marcel ,  VAIDYANATHAN, Subramanian

Inventor： HENNIG, Ingolf ,  DÖTZ, Florian ,  ECKERLE, Peter ,  PARASHKOV, Radoslav ,  KASTLER, Marcel ,  VAIDYANATHAN, Subramanian

IPC: H01L51/30

CPC classification number: H01L51/052 ,  H01L51/0529

Abstract: A field effect element comprising: a source electrode (6) and a drain-electrode (7), a semiconducting layer (2) comprising a semiconducting compound being in contact with the source electrode (6) and the drain electrode (7), - a gate electrode (5), and a dielectric layer (3) comprising one or more compounds selected from hygroscopic organic compounds and/or from nanoparticulate inorganic compounds being arranged between the semiconducting layer (2) and the gate electrode (5), wherein said hygroscopic organic compounds have a water absorption capability of more than 1.2 % by weight, and a hydrophobic insulating layer (4) being arranged between the gate electrode (5) and the dielectric layer (3) preventing diffusion of water into the one or more hygroscopic compounds of the dielectric layer during the time of use of the field effect element, said hydrophobic insulating layer (4) having a water absorption capability of less than 1.2 % by weight, the semiconducting layer (2), the dielectric layer (3) or the hydrophobic insulating layer (4), or a combination thereof, being disposable from a liquid; and a process for producting the same.

Abstract translation: 一种场效应元件，包括：源极（6）和漏电极（7）;包含与源电极（6）和漏电极（7）接触的半导体化合物的半导体层（2） 栅电极（5）和包含一种或多种选自吸湿有机化合物和/或从纳米颗粒无机化合物组成的化合物的电介质层（3），其布置在半导电层（2）和栅电极（5）之间，其中所述 吸湿性有机化合物具有大于1.2重量％的吸水能力，并且在栅电极（5）和电介质层（3）之间布置疏水绝缘层（4），防止水扩散到一个或多个吸湿性 在场效应元件使用期间介电层的化合物，所述疏水绝缘层（4）的吸水能力小于1.2％（重量），半导体层（2），介电层 c层（3）或疏水绝缘层（4），或其组合，其是从液体中一次性的; 以及产品的制造过程。