SENSOR AND PROCEDURE FOR MEASURING BUS BAR CURRENT WITH SKIN EFFECT CORRECTION
    1.
    发明申请
    SENSOR AND PROCEDURE FOR MEASURING BUS BAR CURRENT WITH SKIN EFFECT CORRECTION 审中-公开
    用于测量母线电流与皮肤效应校正的传感器和程序

    公开(公告)号:WO2008030129A3

    公开(公告)日:2009-02-19

    申请号:PCT/RS2007000016

    申请日:2007-09-05

    Inventor: POPOVIC RADIVOJE

    CPC classification number: G01R15/207

    Abstract: The invention belongs to the field of devices and processes for measurement of electrical quantities and more precisely refers to measuring sensors and the procedures for measuring bus bar current with skin effect correction. The invention in the subject solves the problem of designing a measuring magnetic current sensor, the signal-primary current ratio of which is frequency independent in a relatively wide frequency range. This is achieved so that the invention in the subject explains the measuring procedures and the embodiments of the measuring sensor with skin effect correction in the bus bar as the following: with asymmetric positioning of the magnetic sensor with respect to the bus bar (1), reduction of lateral dimensions of the bus bar (1) in the vicinity of the magnetic sensor (2), and the implementation of a magnetic filter (4), the implementation of an open magnetic yoke (5), and the implementation of an electric filter (6) and the combination of two or more above mentioned methods.

    Abstract translation: 本发明属于用于电量测量的装置和方法的领域,更准确地说是测量传感器以及通过皮肤效应校正来测量母线电流的程序。 本发明解决了设计测量磁电流传感器的问题,其信号初级电流比在相对宽的频率范围内是频率无关的。 实现这一点,使得本发明在母线中解释测量程序和具有皮肤效应校正的测量传感器的实施例,如下:磁传感器相对于母线(1)的不对称定位, 在磁传感器(2)附近减小母线(1)的横向尺寸,实现磁性过滤器(4),实现开放式磁轭(5),实现电动 过滤器(6)和两种或更多种上述方法的组合。

    MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZUM BETRIEB DES MAGNETFELDSENSORS
    2.
    发明申请
    MAGNETFELDSENSOR UND VERFAHREN ZUM BETRIEB DES MAGNETFELDSENSORS 审中-公开
    磁传感器及其操作方法磁传感器

    公开(公告)号:WO2004013645A1

    公开(公告)日:2004-02-12

    申请号:PCT/EP2003/050342

    申请日:2003-07-29

    CPC classification number: G01R33/06 G01R33/04

    Abstract: Ein Magnetfeldsensor für die Messung von wenigstens einer Komponente eines Magnetfeldes umfasst einen ferromagnetischen Kern (4), der als Magnetfeldkonzentrator dient, eine Erregerspule (3) und einen Auslesesensor (5). Der Auslesesensor (5) umfasst vorzugsweise zwei in der Nähe des äusseren Randes des ferromagnetischen Kerns (4) angeordnete Sensoren und misst die wenigstens eine Komponente des Magnetfeldes. Der ferromagnetische Kern (4) ist ringförmig . Beim Betrieb des Magnetfeldsensors wird die Erregerspule (3) temporär mit einem Strom beaufschlagt, um den ferromagnetischen Kern (4) in einen Zustand vorbestimmter Magnetisierung zu bringen.

    Abstract translation: 用于磁场中的至少一个分量的测量的磁场传感器包括一个铁磁芯(4)用作一个磁场,励磁线圈(3)和一个读出传感器(5)。 所读出的传感器(5)优选地包括设置在所述铁磁芯(4)的传感器的外边缘附近的两个,并测量所述磁场的至少一个部件。 铁磁芯(4)是环形的。 在磁场传感器的操作中,励磁线圈(3)与当前暂​​时作用于,以使铁磁芯在预定磁化的状态(4)。

    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR MEASURING ULTRA SMALL ELECTRICAL CURRENTS AND SMALL VOLTAGES
    3.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE FOR MEASURING ULTRA SMALL ELECTRICAL CURRENTS AND SMALL VOLTAGES 审中-公开
    用于测量超小电流和小电压的半导体器件

    公开(公告)号:WO2008074789A1

    公开(公告)日:2008-06-26

    申请号:PCT/EP2007/064100

    申请日:2007-12-17

    Abstract: A semiconductor device for measuring ultra low currents down to the level of single electrons or low voltages comprises a first and a second voltage supply terminal (1, 2), an input terminal (3) for receiving an electrical current or being supplied with a voltage to be measured, a bipolar transistor (5) having a base (B), an emitter (E) and a collector (C), wherein a first PN junction is formed between the base and the collector and a second PN junction is formed between the base and the emitter, wherein the emitter is coupled to the input terminal and the base is coupled to the second voltage supply terminal, and wherein the first PN junction is designed for reverse biased operation as an avalanche diode, and a quenching and recharging circuit (6) having a first terminal (7) coupled to the first voltage supply terminal and a second terminal (8) coupled to the collector (C) of the bipolar transistor (5), the quenching and recharging circuit permitting operation of the first PN junction reverse biased above the breakdown voltage of the first PN junction.

    Abstract translation: 用于测量低于单电子或低电压电平的超低电流的半导体器件包括第一和第二电压供给端子(1,2),用于接收电流或被提供电压的输入端子(3) 要测量的是具有基极(B),发射极(E)和集电极(C)的双极晶体管(5),其中在基极和集电极之间形成第一PN结,并且在第二PN结之间形成第二PN结, 所述基极和所述发射极,其中所述发射极耦合到所述输入端子,并且所述基极耦合到所述第二电压源端子,并且其中所述第一PN结被设计用于反向偏置操作,作为雪崩二极管,以及淬火和再充电电路 (6)具有耦合到所述第一电压源端子的第一端子(7)和耦合到所述双极晶体管(5)的集电极(C)的第二端子(8),所述淬火和再充电电路允许所述第一PN 连接点 反向偏置高于第一PN结的击穿电压。

    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG VON LUMINESZIERENDEN MOLEKÜLEN NACH DER METHODE DER FLUORESZENZKORRELATIONSSPEKTROSKOPIE
    4.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG VON LUMINESZIERENDEN MOLEKÜLEN NACH DER METHODE DER FLUORESZENZKORRELATIONSSPEKTROSKOPIE 审中-公开
    方法和装置用于测定发光分子根据荧光相关光谱的方法

    公开(公告)号:WO2005017598A1

    公开(公告)日:2005-02-24

    申请号:PCT/EP2004/008847

    申请日:2004-08-06

    Abstract: Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Bestimmung von lumineszierenden Molekülen mach der Methode der Fluoreszenz-Korrelationsspektroskopie vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte: a) Bereitstellen einer Probe (12) umfassend lumineszierende Moleküle, b) Bestrahlen der Probe (12) mit einer optischen Anregungseinrichtung (2, 4, 6, 8) umfassend wenigstens eine Lichtquelle und wenigstens ein insbesondere diffraktives optisches Element (7) zur Aufspaltung von hindurchtretendem Licht in multiple Strahlen, und eine Fokussieroptik (8) zur Fokussierung von hindurchtretenden multiplen Lichtstrahlen in multiple konfokale Volumenelemente, c) Auffangen von Emissionsstrahlung aus den multiplen konfokalen Volumenelementen mittels einer ortsauflösenden Sensormatrixanordnung (20), wobei die Sensormatrixanordnung eine in IC-Technologie, insbesondere in CMOS-Technologie hergestellte und in einem Sensorchip (20) in Geiger-Modus-Beschaltung integrierte Sensormatrix aus Avalanche-Fotodioden AD ist, und d) Verarbeiten der von der Avalanche-Fotodiodenmatrix bereitgestellten Signale mittels einer vorzugsweise in den Sensorchip integrierten Signalverarbeitungs- und -auswerteeinrichtung.

    Abstract translation: 本发明公开了一种方法和发光分子的测定的装置使荧光相关光谱的方法建议。 该方法包括以下步骤:a)提供样品(12)包括发光分子,b)中照射具有光激发装置(2,4,6中的样品(12),8),包括至少一个光源和在特定的衍射光学元件的至少一个 (7),用于分割光穿过多个光束,和一个聚焦光学器件(8),用于聚焦光通过多个光束在多个共焦体积元素,c)从多个共焦体积元素收集发射辐射通过空间分辨传感器阵列(20),其中所述传感器阵列的装置 一个集成的传感器阵列中的IC-技术在CMOS技术并在雪崩光电二极管AD的盖革模式电路的传感器芯片(20)制造的,特别是,和d)处理由一个优选装置通过雪崩光电二极管阵列提供的信号 传感器芯片积分信号维拉 rbeitungs-和评估装置。

    MAGNETFELDSENSOR MIT EINEM HALLELEMENT
    5.
    发明申请
    MAGNETFELDSENSOR MIT EINEM HALLELEMENT 审中-公开
    利用霍尔元件磁传感器

    公开(公告)号:WO2004025742A1

    公开(公告)日:2004-03-25

    申请号:PCT/CH2002/000497

    申请日:2002-09-10

    CPC classification number: G01R33/07 G01R33/077 H01L43/065

    Abstract: Ein symmetrisches vertikales Hallelement umfasst eine Wanne (2) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die in ein Substrat (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps eingebettet ist und die mit vier als Strom- und Spannungskontakten dienenden Kontakten (4, 5, 6, 7) kontaktiert ist. Ein solches Hallelement mit vier Kontakten kann in elektrischer Hinsicht als eine durch vier Widerstände R 1 bis R 4 des Hallelementes gebildete Widerstandsbrücke angesehen werden. Das Hallelement wird in elektrischer Hinsicht dann als ideal angesehen, wenn die vier Widerstände R 1 bis R 4 den gleichen Wert aufweisen. Die Erfindung schlägt eine Reihe von Massnahmen vor, um die Widerstandsbrücke elektrisch abzugleichen. Eine erste Massnahme besteht darin, mindestens einen zusätzlichen Widerstand vorzusehen. Eine zweite Massnahme besteht darin, die elektrische Leitfähigkeit der Wanne lokal zu erhöhen oder zu verkleinern. Eine dritte Massnahme besteht darin, zwei Hallelemente vorzusehen, die elektrisch so parallel geschaltet sind, dass ihre Hallspannungen gleichsinnig sind und sich ihre Offsetspannungen weitgehend kompensieren.

    Abstract translation: 对称的竖直霍尔元件包括第一导电类型的托盘(2),第二导电类型被嵌入在基底(3)和四个用作电流和电压接触触点(4,5,6,7)接触。 这种具有四个接触的霍尔元件可以被视为一个四个电阻器R1至形成在电阻电桥电霍尔元件的R4。 霍尔元件,然后从电点低于理想观看如果四个电阻R1〜R4具有相同的值。 本发明提出了一些措施以电调整电阻桥。 第一措施是提供至少一个附加的电阻器。 第二项措施是增加本地或更小的桶的导电性。 第三措施是提供被并联电连接,使得它们的霍尔电压是相同的方向,并在很大程度上补偿其偏移电压两个霍尔元件。

    SEMICONDUCTOR PHOTODIODE AND METHOD OF MAKING
    7.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR PHOTODIODE AND METHOD OF MAKING 审中-公开
    半导体光电及其制备方法

    公开(公告)号:WO2006074990A1

    公开(公告)日:2006-07-20

    申请号:PCT/EP2006/050103

    申请日:2006-01-10

    CPC classification number: H01L31/101 H01L27/146

    Abstract: A semiconductor photodiode (18) is formed as a pn-junction between a region (2) of a first conductivity type and a region (6) of a second conductivity type. The region (6) of the second conductivity type is approximately hemispherical. A mini guard ring (8), i.e. a ring of the second conductivity type having a junction depth that is much smaller than the junction depth of the region (6) preferably surrounds the region (6) in order to prevent surface trapping. The photodiode (18) is operated with a high reverse bias so that light falling on the photodiode (18) produces the avalanche effect.

    Abstract translation: 半导体光电二极管(18)形成为第一导电类型的区域(2)和第二导电类型的区域(6)之间的pn结。 第二导电类型的区域(6)近似为半球形。 为了防止表面捕获,微型保护环(8),即具有比区域(6)的结深度小得多的结深度的第二导电类型的环优选地包围区域(6)。 光电二极管(18)以高反向偏压工作,使得落在光电二极管(18)上的光产生雪崩效应。

    MAGNETIC FIELD SENSOR
    8.
    发明申请
    MAGNETIC FIELD SENSOR 审中-公开
    磁传感器

    公开(公告)号:WO02097463A3

    公开(公告)日:2003-07-10

    申请号:PCT/EP0205559

    申请日:2002-05-21

    CPC classification number: G01R33/05

    Abstract: The invention relates to a magnetic field sensor for measuring at least two components of a magnetic field. Said sensor comprises a ferromagnetic core (4), which is placed on a semiconductor chip (1), a field coil (2) to which a current can be applied, and two readout sensors (5, 6). The ferromagnetic core (4) is annular. The field coil (2) is preferably made from conductor tracks (9, 10; 23) of the semiconductor chip (1) and from bonding wires (11, 12; 24).

    Abstract translation: 用于磁场的至少两个分量的测量的磁场传感器,包括:半导体芯片(1)铁磁芯(4),可以在与当前激励线圈作用于施加一个(2)和两个读出传感器(5,6)。 铁磁芯(4)是环形的。 在半导体芯片(1)的与接合线的;励磁线圈(2)优选由导体线路形成的(23 9,10)(12 11,24)。

    SENSOR AND PROCEDURE FOR MEASURING BUS BAR CURRENT WITH SKIN EFFECT CORRECTION
    9.
    发明申请
    SENSOR AND PROCEDURE FOR MEASURING BUS BAR CURRENT WITH SKIN EFFECT CORRECTION 审中-公开
    用于测量母线电流与皮肤效应校正的传感器和程序

    公开(公告)号:WO2008030129A2

    公开(公告)日:2008-03-13

    申请号:PCT/RS2007/000016

    申请日:2007-09-05

    CPC classification number: G01R15/207

    Abstract: The invention belongs to the field of devices and processes for measurement of electrical quantities and more precisely refers to measuring sensors and the procedures for measuring bus bar current with skin effect correction. The invention in the subject solves the problem of designing a measuring magnetic current sensor, the signal-primary current ratio of which is frequency independent in a relatively wide frequency range. This is achieved so that the invention in the subject explains the measuring procedures and the embodiments of the measuring sensor with skin effect correction in the bus bar as the following: with asymmetric positioning of the magnetic sensor with respect to the bus bar (1), reduction of lateral dimensions of the bus bar (1) in the vicinity of the magnetic sensor (2), and the implementation of a magnetic filter (4), the implementation of an open magnetic yoke (5), and the implementation of an electric filter (6) and the combination of two or more above mentioned methods.

    Abstract translation: 本发明属于用于电量测量的装置和方法的领域,更准确地说是测量传感器以及通过皮肤效应校正来测量母线电流的程序。 本发明解决了设计测量磁电流传感器的问题,其信号初级电流比在相对宽的频率范围内是频率无关的。 实现这一点,使得本发明在母线中解释测量程序和具有皮肤效应校正的测量传感器的实施例,如下:磁传感器相对于母线(1)的不对称定位, 在磁传感器(2)附近减小母线(1)的横向尺寸,实现磁性过滤器(4),实现开放式磁轭(5),实现电动 过滤器(6)和两种或更多种上述方法的组合。

    HALL SENSOR AND METHOD OF OPERATING A HALL SENSOR
    10.
    发明申请
    HALL SENSOR AND METHOD OF OPERATING A HALL SENSOR 审中-公开
    霍尔传感器和操作霍尔传感器的方法

    公开(公告)号:WO2006074989A2

    公开(公告)日:2006-07-20

    申请号:PCT/EP2006/050102

    申请日:2006-01-10

    CPC classification number: G01R33/07 G01R33/075

    Abstract: A Hall sensor comprises a Hall element (1; 30; 31; 60) and an amplifier (2; 32; 33). The Hall element is placed inside the amplifier so that the current flowing through the Hall element also flows through the transistors of an amplifier stage of the amplifier. The current flowing through the Hall element flows for example through the transistors of an input stage of the amplifier. In doing so the current consumption of the Hall sensor is reduced to the current the amplifier consumes itself. The Hall sensor is preferably operated in a modified spinning current method that preserves the correlation of the noise as far as possible. Preferably, the current flowing through the Hall element is pulsed. This mode of operation is useful for applications based on a battery as power supply. The signal to noise ratio related to the power consumption increases. A pulsed operation means that the current flowing through the Hall element is switched on and off with a predetermined frequency.

    Abstract translation: 霍尔传感器包括霍尔元件(1; 30; 31; 60)和放大器(2; 32; 33)。 霍尔元件放置在放大器内,使得流过霍尔元件的电流也流过放大器的放大器级的晶体管。 流过霍尔元件的电流例如通过放大器的输入级的晶体管流过。 在这样做时,霍尔传感器的电流消耗降低到放大器自身消耗的电流。 霍尔传感器优选以改进的旋转电流方法操作,以尽可能地保持噪声的相关性。 优选地,流过霍尔元件的电流是脉冲的。 这种操作模式对于基于电池作为电源的应用是有用的。 与功耗相关的信噪比增加。 脉冲操作意味着流过霍尔元件的电流以预定频率被接通和断开。

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