公开(公告)号：CA1309461C

公开(公告)日：1992-10-27

申请号：CA578350

申请日：1988-09-23

Applicant: PRIBAT DIDIER

Inventor： PRIBAT DIDIER ,  PERRET JOEL ,  ROUFFY JEAN-CLAUDE ,  VELASCO GONZALO

IPC: G01N27/409 ,  B29C49/64 ,  G01N27/407 ,  G01N27/416

Abstract: L'invention concerne un capteur électrochimique dans lequel une cellule électrochimique d'analyse de gaz est implantée directement sur une plaquette de substrat. L'ensemble de la plaquette est recouvert par des couches d'émaux sauf aux endroits nécessaires pour les connexions électriques. Une pièce de fixation assure la fixation du capteur dans un carter de façon que la cellule électrochimique soit à l'intérieur du carter où se trouve le gaz à analyser. Cette pièce de fixation assure une étanchéité et empêche les gaz d'atteindre les connexions électriques. Application : l'invention est applicable notamment aux capteurs à oxygène.

公开(公告)号：WO2010043716A2

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：PCT/EP2009/063617

申请日：2009-10-16

Applicant: ECOLE POLYTECHNIQUE ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  BARATON, Laurent ,  COJOCARU, Costel-Sorin ,  PRIBAT, Didier

Inventor： BARATON, Laurent ,  COJOCARU, Costel-Sorin ,  PRIBAT, Didier

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  C30B1/10 ,  C01B31/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/56 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02

Abstract: L'invention concerne un procédé de croissance contrôlée de film de graphène caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : - la réalisation à la surface d'un substrat (S 1 ) d'une couche d'un métal présentant un diagramme de phase avec le carbone tel qu'au-delà d'un ratio seuil de concentration molaire C M /C M +C C , avec C M la concentration molaire de métal dans un mélange métal/carbone et C C la concentration molaire du carbone dans ledit mélange, on obtient une solution solide homogène; - l'exposition de la couche de métal à un flux contrôlé d'atomes de carbone ou de radicaux carbonés ou d'ions carbonés à une température telle que le ratio obtenu de concentration molaire est supérieur au ratio seuil de façon à obtenir une solution solide du carbone dans le métal; - une opération permettant de modifier la phase du mélange en deux phases respectivement de métal et de graphite conduisant à la formation d'au moins un film inférieur (31) de graphène situé à l'interface : couche métal incorporant des atomes de carbone / substrat et d'un film supérieur de graphène (30) à la surface de la couche de métal.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于石墨烯薄膜受控生长的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在基底（S1）的表面形成具有碳的相图的金属层，使得 ，超过摩尔浓度CM / CM + CC的阈值比，CM是金属/碳混合物中金属的摩尔浓度，CC是所述混合物中碳的摩尔浓度，可以获得固体均匀组合物; 在使得所得摩尔浓度比高于阈值比的温度下将金属层暴露于受控的碳原子或碳根或碳离子流中，以获得金属中的碳的固溶体; 将混合物的相变为金属和石墨的两相的操作，从而导致在包含碳原子和基底的金属层的界面处形成至少一个下部石墨烯膜（31），并形成 在金属层的表面上的上部石墨烯膜（30）。

公开(公告)号：WO1989009479A1

公开(公告)日：1989-10-05

申请号：PCT/FR1989000142

申请日：1989-03-24

Applicant: THOMSON-CSF ,  DIEUMEGARD, Dominique ,  GARRY, Guy ,  KARAPIPERIS, Léonidas ,  PRIBAT, Didier ,  COLLET, Christian

Inventor： THOMSON-CSF

IPC: H01J09/02

CPC classification number: H01J1/3042 ,  H01J9/025

Abstract: Process for manufacturing field-emission point emitters from a monocrystalline substrate (1) of suitable orientation covered with an insulating layer (2) from which square elemental zones, having a suitable orientation in relation to the substrate, have been removed. Silicon is deposited by selective epitaxy in these zones. The epitaxial growth of silicon at a high speed parallel to the substrate and at a slow speed on faces at 45 DEG in relation to the substrate enables the production of pyramide points which, after having been covered with tungsten, form emitter points. Application, production of bidimensional networks of point emitters, in particular for display screens.

Abstract translation: 用从绝缘层（2）覆盖的合适取向的单晶衬底（1）制造场致发射点发射器的工艺，已经从其离开具有相对于衬底的合适取向的正方形元素区域。 在这些区域中通过选择性外延沉积硅。 在平行于衬底的高速下以及相对于衬底的45°的表面上的慢速硅的外延生长使得能够产生在被钨覆盖之后形成发射极点的吡啶酰胺点。 应用，生产点发射器的二维网络，特别是显示屏幕。

公开(公告)号：WO2004049455A1

公开(公告)日：2004-06-10

申请号：PCT/EP2003/050858

申请日：2003-11-20

Applicant: THALES ,  SCHNELL, Jean-Philippe ,  PRIBAT, Didier

Inventor： SCHNELL, Jean-Philippe ,  PRIBAT, Didier

IPC: H01L29/868

CPC classification number: H01L29/868 ,  H01Q3/46

Abstract: L'invention a pour objet une diode de type PIN à hétérostructures à base de matériaux semiconducteurs comprenant au moins un premier matériau en contact avec un second matériau lui-même en contact avec un troisième matériau caractérisé en ce que le premier matériau est polycristallin de type Si 1-z-u Ge Z C u dopé n ou p, le second matériau est polycristallin de type Si l-x-y Ge x C y , le troisième matériau est polycristallin de type Si 1-t-v Ge t C v dopé respectivement p ou n avec x,y,z,t,u,v fractions molaires, le premier matériau étant différent du second matériau et/ou le second matériau étant différent du troisième matériau de manière à créer au moins une hétérostructure. L'invention a aussi pour objet un panneau déphaseur utilisant les diodes de l'invention. Application : Antenne à dépointage électronique.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有基于半导体材料的异质结构的PIN型二极管，其包括与第二材料接触的至少一种第一材料，第二材料又与第三材料接触。 本发明的特征在于，第一种材料是n-或p-掺杂的Si1-z-uGezCu型多晶，第二种材料是Sil-x-yGexCy型多晶，第三种材料是Si1-t-vGetCv型多晶 ，p或n分别掺杂有x，y，z，t，u，v摩尔分数，第一材料不同于第二材料和/或第二材料不同于第三材料，例如以产生至少一种 异质结构。 本发明还涉及采用本发明二极管的相移面板。 本发明适用于具有电子失准的天线。

公开(公告)号：WO1992009095A1

公开(公告)日：1992-05-29

申请号：PCT/FR1991000903

申请日：1991-11-15

Applicant: THOMSON RECHERCHE ,  PRIBAT, Didier ,  BINH VU, Thien ,  LEGAGNEUX, Pierre

Inventor： THOMSON RECHERCHE

IPC: H01J03/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J3/022

Abstract: An electron source is provided, particularly as a point microcathode wherein a microcathode (MP) is located in a cavity (CA) of a dielectric (3). A first gate electrode (VG1) surrounds the cavity (CA) and a second gate electrode (VG2) surrounds the first gate electrode (VG1). The various electrodes have potentials such that the first gate electrode (VG1) acts as an extraction electrode while the second gate electrode acts as a focusing electrode. Applications: field effect microcathodes.

公开(公告)号：WO2007003852A3

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：PCT/FR2006/050650

申请日：2006-06-29

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  ECOLE POLYTECHNIQUE ,  PRIBAT, Didier ,  COJOCARU, Costel Sorin

Inventor： PRIBAT, Didier ,  COJOCARU, Costel Sorin

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication de la plaque active d'un écran plat matriciel, dans lequel chaque cellule comprend une plaque d'électrode (1) connectée par un transistor (2) à une première ligne conductrice, comprenant les étapes suivantes : prévoir une excroissance (11) enrobée d'isolant de chaque première ligne conductrice au niveau de chaque cellule ; graver ou rendre poreuse une partie d'extrémité de chaque excroissance ; faire croître par un procédé VLS une structure semi- conductrice PIP ou NIN dans chaque partie d'extrémité gravée ou rendue poreuse ; et établir un contact à l'extrémité libre de la structure semiconductrice et former une grille au niveau de la partie médiane de la structure semiconductrice.

公开(公告)号：WO2006128828A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/EP2006/062615

申请日：2006-05-24

Applicant: THALES ,  ECOLE POLYTECHNIQUE ,  BONDAVALLI, Paolo ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  LE BARNY, Pierre ,  PRIBAT, Didier ,  NAGLE, Julien

Inventor： BONDAVALLI, Paolo ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  LE BARNY, Pierre ,  PRIBAT, Didier ,  NAGLE, Julien

IPC: G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y15/00 ,  Y10S977/92 ,  Y10S977/957

Abstract: Dans un réseau R de transistors à effet de champ pour la détection d'analytes, chaque transistor du réseau comprend une grille G, un élément semi-conducteur nanotube ou nanofil NT connecté à une extrémité à une électrode source S, et à une autre extrémité à une électrode drain D, pour former à chaque extrémité une jonction J 1 , J 2 avec le canal. Des transistors FET 1,1 , FET 1,2 du réseau au moins sont différenciés par un matériau conducteur d'électrode source S et/ou drain D différent (m1, m2).

Abstract translation: 本发明涉及用于分析物检测的场效应晶体管网络（R），其中每个晶体管包括栅极（G），一端连接到源电极（S）的纳米管或纳米线半导体元件（NT） 终止于漏电极（D），以在每一端形成与通道的结（J 1，N 2，N 2）。 至少由网络的晶体管（FET＆lt; SUB＆lt; SUB＆gt; FET＆lt; 1,2＆lt; 1,2＆lt; 1,2＆gt;）区分不同的源电极（S）和/或漏电极 （D）导电材料（m1，m2）。

公开(公告)号：WO2003025966A1

公开(公告)日：2003-03-27

申请号：PCT/FR2002/003228

申请日：2002-09-20

Applicant: THALES ,  LEGAGNEUX, Pierre ,  PIRIO, Gilles ,  PRIBAT, Didier ,  MILNE, William, Ireland ,  TEO, Kenneth, Boh, Khin

Inventor： LEGAGNEUX, Pierre ,  PIRIO, Gilles ,  PRIBAT, Didier ,  MILNE, William, Ireland ,  TEO, Kenneth, Boh, Khin

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  H01J9/025

Abstract: L'invention concerne un procédé de croissance contrôlée de nanotubes ou nanofibres sur un substrat, caractérisé en ce qu'il comporte en outre la réalisation d'une structure bicouche sur le substrat (11), composée d'une couche de matériau catalyseur (71) de croissance de nanotubes ou nanofibres et d'une couche de matériau associé, ledit matériau associé étant tel qu'il forme un alliage non catalytique avec le matériau catalyseur à haute température. L'invention concerne également un procédé de fabrication de cathode à effet de champ utilisant le procédé de fabrication de nonotubes ou nanofibres précédent. Ces procédés permettent de localiser très précisément des plots de catalyseur à partir desquels peuvent croître les nonotubes et nanofibres et de fabriquer des cathodes pour lesquelles les nanotubes or nanofibres sont auto alignées avec l'ouverture dans la grille d'extraction.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于衬底上的纳米管或纳米纤维的受控生长的方法，其特征在于，其还包括在所述衬底（11）上产生两层结构，所述两层结构由催化（71）纳米管或纳米纤维生长的材料层和 一层相关材料，所述相关材料使得其在高温下与催化材料形成非催化合金。 本发明还涉及使用所述制造纳米管或纳米纤维的方法制造场效应阴极的方法。 所述方法使得能够非常准确地定位催化剂块，可以从其生长纳米管和纳米纤维并制备阴极，纳米纤维或纳米纤维与提取网格中的开口自对准。 本发明适用于电子管，纳米光刻技术。

公开(公告)号：WO2005037710A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：PCT/FR2004/002584

申请日：2004-10-12

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE-CNR S ,  ECOLE POLYTECHNIQUE DGAR ,  PRIBAT, Didier ,  WEGROWE, Jean-Eric ,  WADE, Travis

Inventor： PRIBAT, Didier ,  WEGROWE, Jean-Eric ,  WADE, Travis

IPC: C01B31/02

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B01J21/04 ,  B01J21/185 ,  B01J23/63 ,  B01J23/83 ,  B01J35/065 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C30B25/18 ,  C30B29/60 ,  D01F9/08 ,  D01F9/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/843

Abstract: Procédé de synthèse de composants électroniques incorporant des structures filamentaires nanométriques dans lequel on dépose, dans une membrane (3) nanoporeuse, d'un catalyseur (7) métallique adapté pour pénétrer dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse et on réalise une croissance de structures filamentaires sur le catalyseur, dans au moins une partie des pores (8) de la membrane (3) nanoporeuse. La membrane (3) nanoporeuse est préparée de manière adaptée pour que la paroi des pores (8) comporte une zone monocristalline et que l'on épitaxie au moins partiellement le catalyseur (7) sur cette zone monocristalline.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于合成电子元件的方法，其中纳入纳米尺度的细丝结构，由此将金属催化剂（7）沉积在纳米多孔膜（3）中，所述纳米多孔膜（3）可穿透至少一部分孔 在纳米多孔膜（3）的至少一部分孔（8）中的催化剂中生长纳米多孔膜（3）和长丝结构。 制备纳米多孔膜（3）使得孔（8）的壁包含单晶区，催化剂（7）至少部分地生长在所述单晶区上。

公开(公告)号：WO2005001168A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：PCT/FR2004/001634

申请日：2004-06-25

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS ,  PRIBAT, Didier

Inventor： PRIBAT, Didier

IPC: C30B1/02

CPC classification number: B82Y30/00 ,  C30B1/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/605 ,  Y10T428/30

Abstract: L'invention concerne un procédé de synthèse d'un matériau cristallin, dans lequel on réalise, sur un substrat (2) d'un premier matériau, des germes (6) d'un catalyseur adapté pour solubiliser du carbone, on fait croître des nanotubes de carbone (8) à partir des germes (6), et on réalise une couche d'un deuxième matériau, comportant au moins un domaine monocristallin (12) orienté à partir d'un germe (6) . L'invention concerne également le matériau obtenu par ce procédé. Application à la synthèse de silicium polycristallin sur un substrat de verre.

Abstract translation: 本发明涉及一种合成结晶材料的方法以及由此获得的材料。 本发明的方法在于：在基材（2）上生产催化剂的种子（6），所述催化剂适于溶解碳; 从种子（6）生长碳纳米管（8）; 以及产生包含至少一个从晶种（6）取向的单晶畴（12）的第二材料层。 本发明还涉及使用所述方法获得的材料。 本发明适用于在玻璃基板上合成多晶硅。