PROCESS FOR PASSIVATING A SILICON CARBIDE SURFACE AGAINST OXYGEN
    1.
    发明申请
    PROCESS FOR PASSIVATING A SILICON CARBIDE SURFACE AGAINST OXYGEN 审中-公开
    方法钝化硅表面对氧

    公开(公告)号:WO1996032740A1

    公开(公告)日:1996-10-17

    申请号:PCT/DE1996000553

    申请日:1996-03-29

    Abstract: In the production of semiconductor components a SiC single crystal is exposed to an oxygen-containing gas atmosphere during storage or transport between two process stages. To prevent an oxide coating from forming on the SiC surface of the single crystal, a coating of carbon which does not react chemically with oxygen, preferably graphite, is applied to said SiC surface.

    Abstract translation: 在半导体器件中,两个工艺步骤中,含氧气体气氛之间储存或运输过程中的SiC单晶中,例如空气的制造中,悬浮。 为了避免氧化覆膜的SiC-SiC单晶的表面上,优选非化学氧碳层的反应性在该SiC表面上,石墨的层制造。

    METHOD FOR PRODUCING AN OHMIC CONTACT
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING AN OHMIC CONTACT 审中-公开
    生产OHIM接触的方法

    公开(公告)号:WO0017919A3

    公开(公告)日:2000-11-16

    申请号:PCT/DE9902875

    申请日:1999-09-10

    Abstract: The invention relates to a method for producing a component with a substrate (1) consisting of SiC and comprising at least one ohmic contact (2) and at least one Schottky contact (4). According to this method, the component is heated to a temperature of over 1300 DEG C, at least for the growth of the epitaxial layer (3). In order to prevent the production of the ohmic contact from causing a deterioration of other structures on the component and to ensure that the ohmic contact is rendered insensitive vis-à-vis future process steps at high temperatures, first metal is applied to the substrate (1) for the ohmic contact (2) before the epitaxial layer (3) is grown.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造包括基片的装置的方法(1)由SiC制成,包括至少一个欧姆接触(2)和至少一个肖特基接触(4),其中,至少一个外延层(3)上的生长过程中所述装置 温度超过1300℃。 因此,欧姆接触的生成不会导致该组件并依次在欧姆接触上的其它结构的劣化是不敏感的在高温下的后处理步骤中,提出的是,第一金属的施用到基片(1),用于欧姆接触(2 )在生长外延层(3)之前。

    PROCESS FOR PRODUCING AN ELECTRICAL CONTACT ON A SiC SURFACE
    3.
    发明申请
    PROCESS FOR PRODUCING AN ELECTRICAL CONTACT ON A SiC SURFACE 审中-公开
    METHOD FOR PRODUCING上的SiC表面的电接点

    公开(公告)号:WO1996032739A1

    公开(公告)日:1996-10-17

    申请号:PCT/DE1996000555

    申请日:1996-03-29

    CPC classification number: H01L21/045 H01L21/0495

    Abstract: A coating (4) of carbon, preferably graphite, is first applied to the SiC surface (3). Said carbon coating (4) is then converted into a metal carbide coating (7) with a carbide-forming metal (Me). The SiC-metal carbide contact thus produced forms in particular a virtually perfect Schottky contact.

    Abstract translation: 被施加到SiC表面(3),以形成碳层(4),优选产生的石墨层。 然后,该碳层(4)与在碳化金属层(7)变换后的碳化物形成金属(Me)的反应。 与之特别是几乎不受干扰肖特基接触形式制成的SiC-金属碳化物接触。

    SYSTEM ARCHITECTURE WITH A PROGRAM THAT BLOCKS A PERIPHERAL INPUT WHEN THE PROGRAM IS NOT RUNNING ON A PROCESSOR DUE TO TIME-SLICING
    4.
    发明申请
    SYSTEM ARCHITECTURE WITH A PROGRAM THAT BLOCKS A PERIPHERAL INPUT WHEN THE PROGRAM IS NOT RUNNING ON A PROCESSOR DUE TO TIME-SLICING 审中-公开
    与程序哪一个外围输入块的系统架构的时间片方法没有运行的处理器的结果,只要它

    公开(公告)号:WO1996024891A1

    公开(公告)日:1996-08-15

    申请号:PCT/DE1996000145

    申请日:1996-02-01

    Inventor: PILZ GMBH + CO.

    CPC classification number: G06F11/1637 G05B19/0428 G05B19/4063 G06F11/0796

    Abstract: A system architecture uses at least two processors (2, 3) which jointly control a process and constantly compare their data. Running on one (2) of the two processors are a program complex that is checked for possible errors and an unchecked program complex. To prevent disruption of the checked program complex by the unchecked program complex, the peripheral means (12) cooperating with the checked program complex are furnished with inhibit inputs (16) which the checked program complex uses to block the peripheral means (12) reserved for it until it yields control to the unchecked program complex.

    Abstract translation: 一种系统架构使用至少两个处理器(2,3),它们一起控制过程并且彼此连续比较他们的数据。 在两个处理器中的一个(2),其被用于可能的错误和非验证程序复杂运行检查的程序复杂。 为了通过未验证排除校验的程序复杂的干扰,所述外围装置(12)与所述修改后的程序复杂,设置有Inhibiteingängen(16)配合,并在测试程序在Inhibiteingänge复杂锁(16)保留给他外围装置(12 )他释放在未经验证的程序复杂的方向前。

    METHOD OF PRODUCING BORON-DOPED MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE
    5.
    发明申请
    METHOD OF PRODUCING BORON-DOPED MONOCRYSTALLINE SILICON CARBIDE 审中-公开
    与BOR掺杂PRODUCING方法,单晶硅

    公开(公告)号:WO1996020298A1

    公开(公告)日:1996-07-04

    申请号:PCT/DE1995001787

    申请日:1995-12-13

    CPC classification number: C30B25/02 C30B29/36

    Abstract: In a CVD process or a sublimation process an organic boron compound is used for doping a SiC-monocrystal, the molecules of said boron compound comprising at least one boron atom chemically bonded to at least one carbon atom. The preferred boron compounds are boron trialkyls.

    Abstract translation: 在CVD工艺或用于掺杂SiC单晶升华方法,有机硼化合物时,在其分子中硼原子与碳原子被至少至少化学键合。 优选的有机硼化合物是三烷基硼。

    TEMPERATURE SENSOR WITH A P-N JUNCTION
    6.
    发明申请
    TEMPERATURE SENSOR WITH A P-N JUNCTION 审中-公开
    用P-N转变温度传感器

    公开(公告)号:WO1995002172A1

    公开(公告)日:1995-01-19

    申请号:PCT/DE1994000347

    申请日:1994-03-28

    CPC classification number: G01K7/01 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: According to the invention, use is made of the temperature dependence of the space charge region (8) of a p-n junction with a semiconductor with a band width of over 2 eV for a temperature sensor usable at high temperatures of at least 800 DEG C. The size of this space charge region determines the current carrying capacity of an n or p-conductive channel (4) between a source (S) and a drain (D) electrode. The source-drain current (ISD) can thus be used as a clear measure of the temperature. The temperature sensor is preferably used to measure the temperature of a high-temperature or power component and to this end is integrated monolithically with this semiconductor component on a substrate (2).

    Abstract translation: 根据本发明,被用于可插入尤其是在至少800℃的温度传感器,一个p-n结的空间电荷区(8)与具有带隙比为2eV大的半导体的温度依赖性的高温。 此空间电荷区的尺寸,n型或p型导电通道的载流容量是源电极(S)和漏极电极(D)之间的(4)确定。 的源 - 漏电流(ISD)因此可以用作温度的独特的量度。 优选地,温度传感器用于测量高温或功率器件的温度,并与一个基板上的半导体元件于此(2)是单片集成。

    VERRIEGELUNGSEINRICHTUNG MIT ZUHALTUNG FÜR SCHUTZTÜREN
    7.
    发明申请
    VERRIEGELUNGSEINRICHTUNG MIT ZUHALTUNG FÜR SCHUTZTÜREN 审中-公开
    与后卫门加锁装置

    公开(公告)号:WO2011095433A1

    公开(公告)日:2011-08-11

    申请号:PCT/EP2011/051166

    申请日:2011-01-27

    Abstract: Verriegelungseinrichtung mit Zuhaltung für Schutztüren, miteinem Türteil (28) zur Befestigung an einer beweglichen Schutztür (18) und mit einem Rahmenteil (26) zur Befestigung an einem Türgegenstück (16), wobei das Rahmenteil (26) eine Aufnahme (66) aufweist und das Türteil (28) einen Betätiger (48) aufweist, der der Aufnahme (66) zuführbar ist, wobei das Rahmenteil (26) ferner ein Sperrglied (68) aufweist, das zwischen einer Freigabeposition, bei der der Betätiger (48) selektiv freigegeben werden kann, und einer Blockierposition, bei der der Betätiger (48) selektiv gegenüber der Aufnahme (66) festlegbar ist, verlagerbar ist. Der Betätiger (48) ist über ein elastisches Ausgleichselement (40) an dem Türteil (28) aufgenommen.

    Abstract translation: 带有锁定门,具有用于附接至可移动门(18)的门部(28),并用一帧部分(26)用于附连到门上的对应物(16)的锁定装置,其中所述框架构件(26)具有一个插座(66)和所述 门部件(28)包括被馈送到所述容器(66)的致动器(48),其中所述框架构件(26)还包括一个释放位置之间的锁定构件(68),其中,所述致动器(48)可以有选择地使能 并且是可移动的阻挡位置,其中致动器(48)是相对于所述容器(66)可固定选择性。 所述致动器(48)通过在所述门部件(28)的弹性的补偿元件(40)容纳。

    STEUERUNGSSYSTEM MIT EINER VIELZAHL VON RÄUMLICH VERTEILTEN STATIONEN SOWIE VERFAHREN ZUM ÜBERTRAGEN VON DATEN IN EINEM SOLCHEN STEUERUNGSSYSTEM
    10.
    发明申请
    STEUERUNGSSYSTEM MIT EINER VIELZAHL VON RÄUMLICH VERTEILTEN STATIONEN SOWIE VERFAHREN ZUM ÜBERTRAGEN VON DATEN IN EINEM SOLCHEN STEUERUNGSSYSTEM 审中-公开
    凭借对这样的控制系统和传输数据空间分布式工作站和方法,多种控制系统

    公开(公告)号:WO2006069691A1

    公开(公告)日:2006-07-06

    申请号:PCT/EP2005/013764

    申请日:2005-12-21

    Abstract: Bei einem Verfahren zum Übertragen von Daten in einem Steue­rungssystem erzeugt eine erste Station (14) einen Datenrahmen (46) mit einer Vielzahl von Datenfeldern. Jeder weiteren Stati­on (16-20) ist zumindest ein Datenfeld zum Belegen mit Sende­daten eindeutig zugewiesen. Der Datenrahmen (46) wird als hin­laufender Datenrahmen (46', 46") von einer Station zur nächsten gesendet, wobei jede Station ein ihr zugewiesenes Datenfeld mit Sendedaten belegt. Die letzte Station (20) sendet den Daten­rahmen als zurücklaufenden Datenrahmen (46"') an die Reihe der Stationen zurück. Gemäß einem Aspekt der Erfindung lesen die Stationen (14-20) fremde Sendedaten aus den Datenfeldern des zurücklaufenden Datenrahmens (4"'), wobei die jeweiligen Daten­felder den Stationen (14-20) vorzugsweise individuell zugewie­sen sind.

    Abstract translation: 在用于在控制系统中传送数据的第一台的方法(14),产生具有多个数据字段的数据帧(46)。 每个另外的站(16-20)为至少为唯一地分配给发送数据的文件的数据字段。 所述数据帧(46),为hinlaufender数据帧(46“ 46‘)被从一个站被发送到下一个中​​,每个站具有其分配的数据字段的发送数据。在最后一站(20),该数据帧作为返回数据帧(46发送’” )回系列站。 在根据本发明的一个方面读出时,从站的返回数据帧(4““),数据字段(14-20)外部的发送数据,其中,所述相应的数据字段是优选单独分配的站(14-20)。

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