公开(公告)号：WO2005031854A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：PCT/DE2004/001948

申请日：2004-09-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HELNEDER, Johann ,  SCHWERD, Markus ,  GOEBEL, Thomas ,  MITCHELL, Andrea ,  KOERNER, Heinrich ,  HOMMEL, Martina

Inventor： HELNEDER, Johann ,  SCHWERD, Markus ,  GOEBEL, Thomas ,  MITCHELL, Andrea ,  KOERNER, Heinrich ,  HOMMEL, Martina

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer multifunktionellen Dielektrikumsschicht auf einem Substrat, insbesondere auf frei liegenden metallischen Leitbahnsystemen auf einem Substrat. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfach zu realisierendes Verfahren zur Herstellung einer multifunktionalen Passivierungsschicht für Kupferleitbahnen mit verbesserter Elektro- und Stressmigration sowie verbesserter Haftung zu schaffen. Entsprechend der Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass auf den frei liegenden Metallleitbahnen (3) ganzflächig eine weitere Metallschicht (5) abgeschieden wird, die anschließend zumindest teilweise in ein nichtleitendes Metalloxid, die Dielektrikumsschicht, umgewandelt wird.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于在基底上产生的多功能电介质层，特别是在Leitbahnsystemen在基底上暴露的金属。 本发明具有的目的是为具有改进的电迁移和应力迁移，和改善的粘附性产生用于铜导体的多官能的钝化层提供一种容易实现的方法。 根据本发明，所述目的的实现在于在整个表面上露出的金属互连件（3）的另一金属层沉积（5），然后将其至少部分转换成非导通的金属氧化物，介电层。

公开(公告)号：WO2005041273A3

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：PCT/DE2004002266

申请日：2004-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  GOEBEL THOMAS ,  MITCHELL ANDREA ,  KOERNER HEINRICH ,  DREXL STEFAN ,  SECK MARTIN

Inventor： HELNEDER JOHANN ,  SCHWERD MARKUS ,  GOEBEL THOMAS ,  MITCHELL ANDREA ,  KOERNER HEINRICH ,  DREXL STEFAN ,  SECK MARTIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a method for reducing parasitic couplings in circuits in which dummy structures are embedded in previous production method steps. The invention aims at providing a method that makes it possible to improve decoupling values and reduce the degree of complexity of said method. This is achieved in that the dummy structures (3) are removed at least partly by means of etching steps and cavities (4) are produced.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于减少电路寄生耦合，其中虚设图案被嵌入为以前的制造工艺步骤的目的在于提供通过该解耦值的提高和处理成本降低的方法等。 该目的的实现在于该虚设结构（3）通过蚀刻至少部分地去除和空腔（4）的生成。

公开(公告)号：WO2005020321A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/EP2004/051569

申请日：2004-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DREXL, Stefan ,  GÖBEL, Thomas ,  HELNEDER, Johann ,  HOMMEL, Martina ,  KLEIN, Wolfgang ,  KÖRNER, Heinrich ,  MITCHELL, Andrea ,  SCHWERD, Markus ,  SECK, Martin

Inventor： DREXL, Stefan ,  GÖBEL, Thomas ,  HELNEDER, Johann ,  HOMMEL, Martina ,  KLEIN, Wolfgang ,  KÖRNER, Heinrich ,  MITCHELL, Andrea ,  SCHWERD, Markus ,  SECK, Martin

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/45099

Abstract: Erläutert wird eine Anschlussanordnung mit einer äußeren Leitstruktur (44), die zumindest teilweise oder vollständig in einer Aussparung (37) einer elektrisch isolierenden Isolierschicht (34, 36) angeordnet ist. Am Boden der Aussparung (37) ist auf der einen Seite der Isolierschicht (34, 36) eine innere Leitstruktur (22) angeordnet, die in einem Berührungsgebiet an die äußere Leitstruktur (44) grenzt. Eine Kontaktfläche ist an der äußeren Leitstruktur (44) auf der anderen Seite der Aussparung (37) angeordnet. Das Berührungsgebiet und die Kontaktfläche überlappen einander nicht oder nur teilweise. Der Boden der Aussparung (37) ist in der Normalenrichtung gesehen überlappend zu m­indestens der halben Kontaktfläche oder überlappend zur gesamten Kontaktfläche angeordnet , so dass eine Stufe in der Isolierschicht (34, 36) am Rand der Aussparung (37) außerhalb eines Hauptstrompfades angeordnet ist, der zwischen Kontaktfläche und der inneren Leitstruktur (22) läuft.

Abstract translation: 在端子组件进行说明具有在电绝缘绝缘层（34，36）的凹部（37）至少部分地或全部的外导电结构（44）被布置。 在上绝缘层（34，36）的一侧上的凹部（37）的底部布置在内部引线结构（22），邻接在接触区域到外部引线结构（44）。 的接触表面设置在所述外引线结构（44）上的凹部（37）的另一侧。 的接触面积和接触面积没有，或仅部分地相互重叠。 所述凹部的在法线方向看到的底部（37），布置成重叠的至少一半接触或重叠的整个接触表面的面积，从而使所述绝缘层（34，36）在一个步骤被布置在主电流通路的外侧的凹部（37）的边缘， 中间接触面与内引线结构（22）正在运行。

公开(公告)号：WO2005024913A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：PCT/EP2004/051570

申请日：2004-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GÖBEL, Thomas ,  HELNEDER, Johann ,  KÖRNER, Heinrich ,  MITCHELL, Andrea ,  SCHWERD, Markus ,  SECK, Martin ,  TORWESTEN, Holger

Inventor： GÖBEL, Thomas ,  HELNEDER, Johann ,  KÖRNER, Heinrich ,  MITCHELL, Andrea ,  SCHWERD, Markus ,  SECK, Martin ,  TORWESTEN, Holger

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31687 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L27/016 ,  H01L27/0802 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Erläutert wird unter anderem eine integrierte Schaltungsanordnung (10), die einen Kondensator (64) und einen Präzisionswiderstand (57) enthält, die simultan gefertigt werden. Das Dielektrikum (68) des Kondensators (64) wird vorzugsweise durch anodische Oxidation hergestellt. Um das anodisch zu oxidierende Material (66) vor Chemikalien zu schützen, wird eine Grundschicht (58, 71) verwendet, welche ebenso die umliegenden Bereiche auch vor anodischer Oxidation bewahrt. Auf diese Weise lassen sich sehr hochwertige Dielektrika (68) und damit sehr hochwertige Kondensatoren (64) und integrierte Schaltungsanordnungen (10) herstellen.

Abstract translation: 进行了说明，除其他外，集成电路组件（10）包括电容器（64），并且同时制造一个精密电阻（57）。 电容器（64）的介电（68）优选通过阳极氧化而形成。 为了防止化学品的阳极氧化材料（66），基极层（58，71）被用于这甚至阳极氧化之前保留以及周边地区。 以这种方式，非常高品质的电介质（68），并因此非常高品质的电容器（64）和集成电路（10）均可生产。

公开(公告)号：WO2003054933A1

公开(公告)日：2003-07-03

申请号：PCT/EP2002/012213

申请日：2002-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KÖRNER, Heinrich ,  SCHRENK, Michael ,  SCHWERD, Markus

Inventor： KÖRNER, Heinrich ,  SCHRENK, Michael ,  SCHWERD, Markus

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/75 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Zur Herstellung eines integrierten Halbleiterprodukts mit integrierten Metall-Isolator-Metall-Kondensators wird zu-nachst auf eine erste Elektrode (2) eine dielektrische Schutzschicht (5) and eine dielektrische Hilfsschicht (16) abgeschieden. Die Schutzschicht and die Hilfsschicht (16) werden dann uber der ersten Elektrode geoffnet (17). An-schliegend wird eine dielektrische Schicht (6) erzeugt, auf die dann der Metallbahnstapel (7, 8, 9) fur die zweite Elek-trode aufgebracht wird. Danach erfolgt die Strukturierung des Metall-Isolator-Metall-Kondensators mit bekannten Atzverfah-ren. Dadurch werden dielektrische Kondensatorschichten mit frei wahlbaren Materialien in beliebiger Dicke ermoglicht. Insbesondere besitzt die vorliegende Erfindung den Vorteil, dag Via-Atzungen deutlich einfacher als nach dem Stand der Technik durchgefuhrt werden konnen, da kein Durchatzen der restlichen, dielektrischen Kondensatorschicht uber den Me-tallbahnen notwendig ist.

Abstract translation: 用于制造具有集成的金属 - 绝缘体 - 金属电容器的集成半导体产品是-nachst的第一电极（2），介电保护层（5）和一个介电辅助层（16）沉积。 然后在保护层和在所述第一电极上的辅助层（16）被打开（17）。 一个闭静静的介电层（6）被产生（9 7,8）施加用于第二ELEC-TRODE在其上的金属板叠层。 在此之后，发生金属 - 绝缘体 - 金属电容器与已知Atzverfah仁的结构化。 与自由wahlbaren材料表征的电容器的介电层允许任何期望的厚度。 特别地，本发明具有DAG通蚀刻可以因为需要在ME-tallbahnen没有Durchatzen剩余电容器介电层进行比现有技术的优点在容易得多。

公开(公告)号：WO2005041273A2

公开(公告)日：2005-05-06

申请号：PCT/DE2004/002266

申请日：2004-10-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HELNEDER, Johann ,  SCHWERD, Markus ,  GOEBEL, Thomas ,  MITCHELL, Andrea ,  KOERNER, Heinrich ,  DREXL, Stefan ,  SECK, Martin

Inventor： HELNEDER, Johann ,  SCHWERD, Markus ,  GOEBEL, Thomas ,  MITCHELL, Andrea ,  KOERNER, Heinrich ,  DREXL, Stefan ,  SECK, Martin

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Der Erfindung, die ein Verfahren zur Verringerung parasitärer Kopplungen in Schaltkreisen bei denen für vorhergehende Herstellungsverfahrensschritte Dummy-Strukturen eingebettet sind betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit dem eine Verbesserung der Entkopplungswerte erreicht und der Verfahrensaufwand reduziert wird. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Dummy-Strukturen durch Ätzschritte zumindest teilweise entfernt und Hohlräume erzeugt werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于减少电路寄生耦合，其中虚设图案被嵌入为以前的制造工艺步骤的目的在于提供通过该解耦值的提高和处理成本降低的方法等。 该目的的实现在于该虚设结构通过蚀刻至少部分地去除和空腔产生的。

公开(公告)号：WO2003060993A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：PCT/EP2003/000065

申请日：2003-01-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KOLLER, Klaus ,  KLEIN, Wolfgang ,  SCHWERD, Markus

Inventor： KOLLER, Klaus ,  KLEIN, Wolfgang ,  SCHWERD, Markus

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76807 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Herstellen eines Durchgangskontaktes (34) zur Erzeugung einer leitfähigen Verbindung zwischen einer ersten Leiterbahn (18) und einer zweiten Leiterbahn (10). Zunächst wird eine Isolationsschicht (56) auf der ersten Leiterbahn (18), die sich bis in einen Kontaktbereich (74) erstreckt, gebildet, und ein sich bis zu dem Kontaktbereich (74) erstreckender Graben (66) für die zweite Leiterbahn (10) wird in der Oberseite (70) der Isolationsschicht (56) gebildet . Daraufhin wird eine Kontaktöffnung (76) im Kontaktbereich (74) gebildet, die sich von der Oberseite (70) bis zu der ersten Leiterbahn (18) erstrecktz, und in die der Graben (66) mündet, wobei die Weite der Kontaktöffnung grösser als die Weite des Grabens ist. Als letztes wird die Kontaktöffnung (76) mit einem leitfähigen Material (78) gefüllt, um den Durchgangskontakt (34) und die zweite Leiterbahn (10) im Kontaktbereich (74) zu erzeugen, so dass die Breite der zweiten Leiterbahn (10) im Kontaktbereich (74) selbstjustiert an die Grösse des Durchgangskontakts (76) angepasst ist.

Abstract translation: 产生用于产生第一导体轨道（18）和第二导体线路（10）之间的导电连接的通触点（34）。 首先，形成在所述第一导体轨道（18）延伸到接触部分上的绝缘层（56）（74），并延伸到用于延伸所述第二导体的接触面积（74）的沟槽（66）（10） 形成在绝缘层（56）的顶面（70）。 此后，在接触区域的接触孔（76）（74）形成为从所述顶侧（70）向上延伸到第一导体轨道（18）erstrecktz，并且所述沟槽（66）打开，其中，所述接触开口的宽度大于所述较大 是沟槽的宽度。 最后，接触开口（76）用导电材料（78）被填充以形成经由接触（34）和在所述接触区域（74）的第二导体轨道（10），以便在接触区域中的第二配线（10）的宽度 （74）自对准的通触点（76）的大小进行调整。