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    ＩＩＩ族氮化物基板之製造方法
    1.
    发明专利
    ＩＩＩ族氮化物基板之製造方法 审中-公开
    ＩＩＩ族氮化物基板之制造方法

    公开(公告)号：TW201607662A

    公开(公告)日：2016-03-01

    申请号：TW104116799

    申请日：2015-05-26

    Applicant: 賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED

    Inventor： 吉田丈洋 ,  YOSHIDA, TAKEHIRO

    IPC: B23K26/364 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38

    CPC classification number: C30B25/186 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/402 ,  B23K2203/56 ,  B28D5/0011 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02005

    Abstract: 本發明係提供相關在由複數晶種結晶基板排列形成的晶種結晶基板上，施行結晶成長而製作III族氮化物基板的新穎技術。 本發明的III族氮化物基板之製造方法，係包括有：準備成形為使側面彼此相對向排列之形狀的複數晶種結晶基板之步驟；依使側面彼此相對向排列配置的方式，將複數晶種結晶基板利用接著劑接著於基材上的步驟；依在複數晶種結晶基板的主面上方，朝各主面上方成長的結晶彼此結合而一體化的方式，使III族氮化物結晶成長的步驟；以及獲得由III族氮化物結晶形成的III族氮化物基板之步驟。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系提供相关在由复数晶种结晶基板排列形成的晶种结晶基板上，施行结晶成长而制作III族氮化物基板的新颖技术。 本发明的III族氮化物基板之制造方法，系包括有：准备成形为使侧面彼此相对向排列之形状的复数晶种结晶基板之步骤；依使侧面彼此相对向排列配置的方式，将复数晶种结晶基板利用接着剂接着于基材上的步骤；依在复数晶种结晶基板的主面上方，朝各主面上方成长的结晶彼此结合而一体化的方式，使III族氮化物结晶成长的步骤；以及获得由III族氮化物结晶形成的III族氮化物基板之步骤。

    基板的檢查裝置及基板的檢查方法
    2.
    发明专利
    基板的檢查裝置及基板的檢查方法 审中-公开
    基板的检查设备及基板的检查方法

    公开(公告)号：TW201606288A

    公开(公告)日：2016-02-16

    申请号：TW104122713

    申请日：2015-07-14

    Applicant: 賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED

    Inventor： 藤倉序章 ,  FUJIKURA, HAJIME

    IPC: G01N21/88

    CPC classification number: G01N21/9501 ,  G01N21/94 ,  G01N21/956 ,  G01N2201/02 ,  G01N2223/634 ,  G06T7/0004 ,  G06T2207/30148

    Abstract: 本發明的基板的檢查裝置係具備：光照射部，係照射光至基板的被檢查面上；攝像部，係取得照映在被檢查面上的光照射部的圖像；移動部，係控制基板或光照射部的位置，藉此使照映在被檢查面上的光照射部的圖像移動；及檢查部，係檢測從光照射部照射的光在被檢查面的缺陷部分散射因而形成的像，亦即形成在比光照射部的圖像的輪廓線更外側的像，藉此進行被檢查面的檢查。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的基板的检查设备系具备：光照射部，系照射光至基板的被检查面上；摄像部，系取得照映在被检查面上的光照射部的图像；移动部，系控制基板或光照射部的位置，借此使照映在被检查面上的光照射部的图像移动；及检查部，系检测从光照射部照射的光在被检查面的缺陷部分散射因而形成的像，亦即形成在比光照射部的图像的轮廓线更外侧的像，借此进行被检查面的检查。

    異質接面雙極電晶體用半導體晶圓及異質接面雙極電晶體
    3.
    发明专利
    異質接面雙極電晶體用半導體晶圓及異質接面雙極電晶體 审中-公开
    异质接面双极晶体管用半导体晶圆及异质接面双极晶体管

    公开(公告)号：TW201947770A

    公开(公告)日：2019-12-16

    申请号：TW108113611

    申请日：2019-04-18

    Applicant: 日商賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED ,  日商住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

    Inventor： 目黒健 ,  MEGURO, TAKESHI ,  竹田潤一郎 ,  TAKEDA, JUNICHIRO ,  冨岡弘幸 ,  TOMIOKA, HIROYUKI

    IPC: H01L29/737 ,  H01L21/328

    Abstract: 本發明之課題在於提供一種兼具高電特性與高可靠度之異質接面雙極電晶體。 本發明之解決手段係具備：半絕緣性基板、形成於半絕緣性基板上並發揮作為次集極層的功能之第1層、以及形成於第1層上並發揮作為集極層的功能之第2層；於第1層中，以3.0×1018cm-3以上9.0×1019cm-3以下的濃度摻雜有碲作為n型雜質，於第1層第2層之間，設置有由InGaP層及GaAs層中至少任一層所構成之第3層。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供一种兼具高电特性与高可靠度之异质接面双极晶体管。 本发明之解决手段系具备：半绝缘性基板、形成于半绝缘性基板上并发挥作为次集极层的功能之第1层、以及形成于第1层上并发挥作为集极层的功能之第2层；于第1层中，以3.0×1018cm-3以上9.0×1019cm-3以下的浓度掺杂有碲作为n型杂质，于第1层第2层之间，设置有由InGaP层及GaAs层中至少任一层所构成之第3层。

    氮化物半導體晶圓及其製造方法
    4.
    发明专利
    氮化物半導體晶圓及其製造方法 审中-公开
    氮化物半导体晶圆及其制造方法

    公开(公告)号：TW201611267A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：TW104124356

    申请日：2015-07-28

    Applicant: 賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED

    Inventor： 藤倉序章 ,  FUJIKURA, HAJIME

    IPC: H01L29/201 ,  H01L21/8252

    CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

    Abstract: 本發明提供一種氮化物半導體晶圓，其係於最上層具有氮化物半導體層的氮化物半導體模板的上方，積層有由再成長而成的氮化物半導體所構成的多重量子井構造之發光層、以及p型氮化物半導體層，其中，多重量子井構造的發光層中之井層中，以離p型氮化物半導體層最近的井層當作最高井層時，自氮化物半導體模板的氮化物半導體層之再成長界面至最高井層為止的距離t為1μm以下，並且，最高井層中之氧濃度為5.0×1016cm-3以下。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种氮化物半导体晶圆，其系于最上层具有氮化物半导体层的氮化物半导体模板的上方，积层有由再成长而成的氮化物半导体所构成的多重量子井构造之发光层、以及p型氮化物半导体层，其中，多重量子井构造的发光层中之井层中，以离p型氮化物半导体层最近的井层当作最高井层时，自氮化物半导体模板的氮化物半导体层之再成长界面至最高井层为止的距离t为1μm以下，并且，最高井层中之氧浓度为5.0×1016cm-3以下。

    半導體裝置
    5.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201724530A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW105127434

    申请日：2016-08-26

    Applicant: 學校法人法政大學 ,  HOSEI UNIVERSITY ,  賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED ,  住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

    Inventor： 中村徹 ,  NAKAMURA, TOHRU ,  三島友義 ,  MISHIMA, TOMOYOSHI ,  太田博 ,  OHTA, HIROSHI ,  山本康博 ,  YAMAMOTO, YASUHIRO ,  堀切文正 ,  HORIKIRI, FUMIMASA

    IPC: H01L29/8605 ,  H01L29/20

    CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    Abstract: 本發明之課題在於提供達到耐壓特性提升之具有新穎構造的半導體裝置。本發明之解決手段為一種半導體裝置，其具有：半導體構件，係含有具有積層了第1、第2半導體層之pn接合的台面構造(mesa structure)；絕緣膜，係配置於台面側面上及台面外側上面上；第1電極，係於台面上面與第2半導體層連接，於絕緣膜上在台面側面上及台面外側上面上延伸存在；與第2電極，係於第1半導體層之下面與第1半導體層連接；絕緣膜係含有第1絕緣層及第2絕緣層而構成；第1絕緣層係配置成被覆台面側面與台面外側之上面連接的角部；第2絕緣層係配置成被覆台面側面之pn接合界面，或在第1電極之電極端正下方構成絕緣膜之總厚度並被覆電極端正下方；第2絕緣層之介電常數為半導體構件之介電常數以上；第1絕緣層之介電常數為小於第2絕緣層之介電常數。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供达到耐压特性提升之具有新颖构造的半导体设备。本发明之解决手段为一种半导体设备，其具有：半导体构件，系含有具有积层了第1、第2半导体层之pn接合的台面构造(mesa structure)；绝缘膜，系配置于台面侧面上及台面外侧上面上；第1电极，系于台面上面与第2半导体层连接，于绝缘膜上在台面侧面上及台面外侧上面上延伸存在；与第2电极，系于第1半导体层之下面与第1半导体层连接；绝缘膜系含有第1绝缘层及第2绝缘层而构成；第1绝缘层系配置成被覆台面侧面与台面外侧之上面连接的角部；第2绝缘层系配置成被覆台面侧面之pn接合界面，或在第1电极之电极端正下方构成绝缘膜之总厚度并被复电极端正下方；第2绝缘层之介电常数为半导体构件之介电常数以上；第1绝缘层之介电常数为小于第2绝缘层之介电常数。

    半導體裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201724529A

    公开(公告)日：2017-07-01

    申请号：TW105127433

    申请日：2016-08-26

    Applicant: 學校法人法政大學 ,  HOSEI UNIVERSITY ,  賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED ,  住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

    Inventor： 中村徹 ,  NAKAMURA, TOHRU ,  三島友義 ,  MISHIMA, TOMOYOSHI ,  太田博 ,  OHTA, HIROSHI ,  山本康博 ,  YAMAMOTO, YASUHIRO ,  堀切文正 ,  HORIKIRI, FUMIMASA

    IPC: H01L29/8605 ,  H01L29/20

    CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

    Abstract: 本發明之課題在於提供達到耐壓特性提升之具有新穎構造的半導體裝置。本發明之解決手段為一種半導體裝置，其具有：半導體構件，係含有具有積層了第1、第2半導體層之pn接合的台面構造；絕緣膜，係配置於台面側面上及台面外側上面上；第1電極，係於台面上面與第2半導體層電氣連接，於絕緣膜上在台面側面上及台面外側上面上延伸存在；與第2電極，係於第1半導體層之下面與第1半導體層連接；其具有在對第1、第2電極之間施加反向偏壓電壓時，對台面側面上之絕緣膜側面與台面外側上面上之絕緣膜上面之連接角部(第1位置)及台面側面與台面外側上面之連接角部(第2位置)之間之絕緣膜所施加之第1電壓、成為對第1電極與第2半導體層接觸之區域之下方的pn接合界面(第3位置)及於第2位置之高度且第3位置正下方(第4位置)之間之第1半導體層所施加之第2電壓以下的絕緣膜的電容量。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题在于提供达到耐压特性提升之具有新颖构造的半导体设备。本发明之解决手段为一种半导体设备，其具有：半导体构件，系含有具有积层了第1、第2半导体层之pn接合的台面构造；绝缘膜，系配置于台面侧面上及台面外侧上面上；第1电极，系于台面上面与第2半导体层电气连接，于绝缘膜上在台面侧面上及台面外侧上面上延伸存在；与第2电极，系于第1半导体层之下面与第1半导体层连接；其具有在对第1、第2电极之间施加反向偏压电压时，对台面侧面上之绝缘膜侧面与台面外侧上面上之绝缘膜上面之连接角部(第1位置)及台面侧面与台面外侧上面之连接角部(第2位置)之间之绝缘膜所施加之第1电压、成为对第1电极与第2半导体层接触之区域之下方的pn接合界面(第3位置)及于第2位置之高度且第3位置正下方(第4位置)之间之第1半导体层所施加之第2电压以下的绝缘膜的电容量。

    異質接合雙極性電晶體用磊晶晶圓及異質接合雙極性電晶體
    10.
    发明专利
    異質接合雙極性電晶體用磊晶晶圓及異質接合雙極性電晶體 审中-公开
    异质接合双极性晶体管用磊晶晶圆及异质接合双极性晶体管

    公开(公告)号：TW201603142A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW104116831

    申请日：2015-05-26

    Applicant: 賽奧科思股份有限公司 ,  SCIOCS COMPANY LIMITED

    Inventor： 藤生真二郎 ,  FUJIO, SHINJIRO

    IPC: H01L21/331 ,  H01L29/207 ,  H01L29/737

    CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

    Abstract: 提供比起習知更能減低基極電阻與導通電壓的異質接合雙極性電晶體用磊晶晶圓及異質接合雙極性電晶體。 異質接合雙極性電晶體用磊晶晶圓(100)具備由GaAs構成的集極層(103)，形成於集極層(103)上且由InGaAs構成的基極層(第2基極層105)，及形成於第2基極層(105)上且由InGaP構成的射極層(106)；在該異質接合雙極性電晶體用磊晶晶圓(100)中，在集極層(103)與第2基極層(105)之間插入有由GaAs構成的基極層(第1基極層(104))者。

    Abstract in simplified Chinese: 提供比起习知更能减低基极电阻与导通电压的异质接合双极性晶体管用磊晶晶圆及异质接合双极性晶体管。 异质接合双极性晶体管用磊晶晶圆(100)具备由GaAs构成的集极层(103)，形成于集极层(103)上且由InGaAs构成的基极层(第2基极层105)，及形成于第2基极层(105)上且由InGaP构成的射极层(106)；在该异质接合双极性晶体管用磊晶晶圆(100)中，在集极层(103)与第2基极层(105)之间插入有由GaAs构成的基极层(第1基极层(104))者。

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