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公开(公告)号：JP2020528662A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019567584
申请日：2019-03-05
Applicant: 南方科技大学 , SOUTH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA , ▲復▼旦大学 , Fundan University
Abstract: 本発明は、複数の超伝導量子ビットにおけるいずれか2つのビットを結合する方法およびそのシステムに関する。複数の超伝導量子ビットアレイを有してスピン波を実現できる磁性薄膜材料の場合に適用される方法であって、磁性薄膜材料を複数の超伝導量子ビットアレイの下方に設けることと、磁性薄膜材料における磁区の磁化方向の組み合わせにより、スピン波が通過する複数のチャネルを形成することと、複数の超伝導量子ビットアレイにおける量子ビットをスピン波が通過するチャネルに対応して設けることにより、単一の量子ビットとスピン波との結合を実現することと、スピン波チャネルに少なくとも2つの量子ビットが設けられ、単一の量子ビットとスピン波との間の結合により、2つの量子ビットの間の結合を実現することとを含む。上記方法は、磁性薄膜材料層を用いて超伝導量子ビット層の量子ビットの状態変化を伝達するとともに、スピン波のソフト接続を利用することにより、いずれか2つの超伝導量子ビットの結合を実現する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019535926A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2019544953
申请日：2016-11-15
Abstract: 本発明は、電界紡糸技術で量子ロッド/ポリマー繊維膜を製造する方法を提供する。前記方法は、(1)量子ロッド溶液を調製する工程と、(2)ポリマー溶液を調製し、工程(1)で調製された量子ロッド溶液をポリマー溶液に添加して量子ロッドの体積濃度が5%〜80%の電界紡糸前駆体溶液を形成する工程と、(3)電界紡糸前駆体溶液を電界紡糸装置に添加し、発生器の電圧及び受容距離を調節した後、電界紡糸を行い、量子ロッド/ポリマー繊維膜を製造する工程と、を含む。前記方法は、量子ロッドの溶液濃度および電界紡糸過程におけるパラメータを調節することにより、電界紡糸過程における量子ロッドの配向を実現することで、高い偏光性能を有する量子ロッド/ポリマー繊維膜を得る。
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公开(公告)号：JP2020504339A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2019556399
申请日：2017-09-13
Abstract: 本発明は、量子ロッド配向に基づく蛍光偏光薄膜の製造方法を提供する。前記方法は、インクジェットプリント技術を用いることにより、基板上にプリセットパターンに従って適切な粘度と表面張力を有する量子ロッドインクをプリントし、量子ロッドを配向させ、蛍光偏光薄膜を得る。そのうち、得た蛍光線の直径とピッチは、ニードル孔径、プリント速度およびプリセットパターンなどのパラメータ条件によって制御・調節可能である。製造された量子ロッド配向の透明の蛍光薄膜は、高い偏光度を有すると共に、常温環境で、フレキシブル基板上における製造を実現することができ、広い適用性を有する。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2022088547A1
公开(公告)日：2022-05-05
申请号：PCT/CN2021/075154
申请日：2021-02-04
Inventor： ZHANG, Fucai , WANG, Bingyang
Abstract: A method for characterising an object is provided and comprises that: providing, via a support plane, coherent incident radiation at the object at each of a plurality of radiation configurations, detecting, at a detector, an intensity of radiation scattered by the object for each of the plurality of radiation configurations, and determining, via an iterative process, an object transmission function associated with the object in dependence on the detected intensity of radiation at the detector for each of the plurality of radiation configurations. The iterative process comprises estimating, for each of the plurality of radiation configurations, an entrance wave function indicative of the incident radiation at the object and an exit wave function indicative of radiation emitted from the object in dependence on the detected intensity at the detector, a support constraint at the support plane and a current estimate of the object transmission function, determining a ratio of a sum of intensities of the exit wave function for the plurality of radiation configurations to a sum of intensities of the entrance wave function for the plurality of radiation configurations, and updating the estimate of the object transmission function in dependence on the determined ratio and an amplitude constraint.
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公开(公告)号：WO2019213894A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：PCT/CN2018/086319
申请日：2018-05-10
Inventor： WONG, Keith Man Chung
IPC: C07F15/00 , C07D491/052 , C09K11/06 , G01N21/78
Abstract: The synthesis and characterization of a platinum (II) terpyridine system tethered with a latent organic dye of rhodamine derivative as colorimetric and fluorescent sensory moiety has been reported to show selective Hg 2+ ion sensing behavior. The interplay of aggregation/de-aggregation behavior of the alkynylplatinum (II) terpyridine complex and the ring-opening process of rhodamine derivative has been investigated. The spectral change of aggregation NIR emission at 800 nm and rhodamine fluorescence at 585 nm provides a possible ratiometric luminescence measurement. Morphological studies from TEM and SEM images showing nanospherical structures confirmed the aggregation in the absence of Hg 2+ ion.
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8.发明申请POLYMERIC SEMICONDUCTORS AND THEIR PREPARATION METHODS, AS WELL AS THEIR USES 审中-公开聚合物半导体及其制备方法，以及它们的用途
公开(公告)号：WO2018035695A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：PCT/CN2016/096290
申请日：2016-08-22
Inventor： GUO, Xugang , SHI, Shengbin , LIAO, Qiaogan , GUO, Han , TANG, Yumin
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/123 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/3247 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: Polymeric semiconductors and their preparation methods, as well as their uses in organic thin-film transistors or polymer solar cells. The polymeric semiconductors provided by the present invention are of Formula (I). The polymeric semiconductors provided by the present invention can be used in high-mobility organic thin-film transistors and exhibit high power conversion efficiencies in both bulk heterojunction polymer solar cells and layer-by-layer polymer solar cells.
Abstract translation: 聚合物半导体及其制备方法，以及它们在有机薄膜晶体管或聚合物太阳能电池中的用途。 由本发明提供的聚合物半导体具有式（I）。 由本发明提供的聚合物半导体可以用于高迁移率有机薄膜晶体管中，并且在体异质结聚合物太阳能电池和逐层聚合物太阳能电池两者中表现出高功率转换效率。
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9.发明申请HYDROTHERMAL SYNTHESIS OF MONOCLINIC VANADIUM DIOXIDE NANOWIRES WITH HIGH ASPECT RATIO 审中-公开高比表面积水热合成单分子二氧化钒纳米线
公开(公告)号：WO2018023720A1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：PCT/CN2016/093565
申请日：2016-08-05
Inventor： CHENG, Chun , SHI, Run , WANG, Jingwei , ZHANG, Linfei , HUANG, Chengzi , SHI, Yuan , BAO, Shuhan , ZHANG, Liang
IPC: C01G31/02
CPC classification number: C01G31/02 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , C01P2004/54 , C01P2006/33
Abstract: Scalable hydrothermal synthesis of VO 2 (M) nanowires with high aspect ratio is achieved via the reduction of V 2 O 5 by oxalic acid in a diluted H 2 SO 4 solution, and the maximum length of as-synthesized nanowires can reach 90μm. Doping of Sb changes the structural phase diagram of VO 2 lattice, accompanied with a large decline of its phase temperature to even subzero temperature, at the same time impurity VO 2 (A) is effectively eliminated. Interestingly, the phase transition temperature of the un-doped sample is also obviously lower than the theoretical value.
Abstract translation: 具有高纵横比的VO 2（M）纳米线的可伸缩水热合成是通过将V 2 O 5（M） 在稀释的H 2 SO 4溶液中通过草酸处理，并且合成的纳米线的最大长度可以达到90μm。 Sb的掺杂改变了VO 2晶格的结构相图，伴随着相的温度大幅下降到甚至零下的温度，同时杂质VO 2（A ）被有效消除。 有趣的是，未掺杂样品的相变温度也明显低于理论值。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2019006852A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/CN2017/101171
申请日：2017-09-11
Inventor： XU, Baomin , ZHANG, Luozheng , LIU, Chang , ZHANG, Jie
CPC classification number: H01L51/0043 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1424 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3223 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/512 , C08G2261/91 , H01L51/0036 , H01L51/4226 , H01L51/4246
Abstract: The present disclosure discloses a hole transporting layer containing an organic conjugated polymer semiconductor material and a use thereof. The repeating unit of the main chain of the organic conjugated polymer semiconductor material is composed of a p-alkoxybenzene unit and an aromatic ring unit. The organic conjugated polymer has the following structural formula (I): wherein R 1 and R 2 are independently selected from one or a combination of at least two of a C 1 to C 20 alkyl group, and Ar is an aromatic ring group. The present disclosure uses a p-alkoxybenzene B (bisOR) to construct a polymer, which simplifies the structure and synthesis of a conjugated polymer-based hole transporting material and can reduce costs. The high degree of planarity of the B (bisOR) derivative unit itself and the weak steric hindrance between it and the adjacent units are conducive to the hole transport. In addition, a polymer containing a B (bisOR) unit also possesses an appropriate energy level relative to the perovskite material, thereby facilitating the collection of photogenerated holes and preventing the recombination of photogenerated electrons.
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