VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PRÜFEN VON HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNGEN
    1.
    发明申请
    VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PRÜFEN VON HALBLEITERSPEICHEREINRICHTUNGEN 审中-公开
    用于测试半导体存储器设备的方法和装置

    公开(公告)号:WO2003021604A2

    公开(公告)日:2003-03-13

    申请号:PCT/DE2002/003058

    申请日:2002-08-21

    Abstract: Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Halbleiterspeichereinrichtungen. Die Erfindung betrifft ein Prüfverfahren für Halbleiterspeichereinrichtungen (P), die einen bidirektionalen Datenstrobe-Anschluss für ein Datenstrobe-Signal (DQS) aufweisen, an einer Prüfapparatur (PA), wobei die Prüfung des Datenstrobe-Signals durch einen Datentransfer zwischen der zu prüfenden Halbleiterspeichereinrichtung (P) und einer zweiten Halbleiterspeichereinrichtung gleichen Typs (R) erfolgt, sowie eine dafür geeignete Vorrichtung.

    Abstract translation: 用于预热半导体存储器件的方法和设备。 本发明涉及一种镨导航用途fverfahren˚F导航用途ř半导体存储器设备(P),包括用于导航使用的双向数据选通信终端具有R数据选通信号(DQS),上形成PR导航用途fapparatur(PA),其特征在于,所述数据选通的镨导航使用蒸发 通过在待测试的半导体存储器件(P)和相同类型的第二半导体存储器件(R)之间的数据传输来执行信号,以及适合于它的器件。

    INTEGRIERTER HALBLEITERSPEICHER
    3.
    发明申请
    INTEGRIERTER HALBLEITERSPEICHER 审中-公开
    集成半导体存储器

    公开(公告)号:WO2005043543A1

    公开(公告)日:2005-05-12

    申请号:PCT/DE2004/002410

    申请日:2004-10-29

    CPC classification number: G11C7/1045 G11C7/20 G11C8/12 G11C11/4072 G11C11/408

    Abstract: Ein integrierter Halbleiterspeicher (100) umfasst einen ersten Speicherbereich (40a), einen zweiten Speicherbereich (40b), sowie erste Adressanschlüsse (A 0 , A 1 ,..., A n ) und einen zweiten Adressanschluss (A n+1 ). Ein an dem zweiten Adressanschluss anliegendes zweites Adresssignal (AS2) legt den Zugriff auf den ersten oder zweiten Speicherbereich fest, wohingegen über erste Adresssignale (AS1a, ..., AS1n) an den ersten Adressanschlüssen festgelegt wird, auf welche Speicherzelle innerhalb des ersten oder zweiten Speicherbereichs zugegriffen wird. In einer ersten Speicherkonfiguration werden alle Adressanschlüsse (A 0 , A 1 , ..., A n , A n+1 ) extern mit Adresssignalen angesteuert und somit der Zugriff auf eine Speicherzelle im ersten oder zweiten Speicherbereich (40a, 40b) gesteuert. In einer zweiten Speicherkonfiguration werden lediglich die ersten Adressanschlüsse (A 0 , A 1 ,..., A n ) von extern angesteuert, wohingegen ein Signalisierungsbit in einem Mode-Register (51) den Zugriff auf den ersten oder zweiten Speicherbereich regelt. Dadurch wird ein Zugriff auf den zweiten Speicherbereich (40b) ermöglicht, auch wenn keine Möglichkeit besteht, den zweiten Adressanschluss (A n+1 ) extern anzusteuern.

    Abstract translation: 集成半导体存储器(100)(A0,A1,... An)的包括第一存储区域(40A),第二存储器区域(40B),以及第一地址端子和第二地址端口(一个+ 1)。 施加到第二地址端的第二地址信号(AS2)的信号定义访问所确定的第一或第二存储区域,而(,...,AS1N AS1A)被设置为内的第一或第二通孔的第一地址信号的第一地址端,其存储单元 存储区域进行访问。 在第一存储配置中,所有的地址端(A0,A1,...,AN,AN + 1)的与外部地址信号激活,并且因此在第一或第二存储区域中的访问的存储器单元(40A,40B)控制。 在第二存储配置,只有第一地址端(A0,A1,...,An)的活化的外部的,而在信令模式寄存器(51)调节以访问所述第一或第二存储区域中。 由此,到所述第二存储区域(40b)的一访问允许,即使当不存在可能性来控制所述第二地址端口(AN + 1)外部。

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