Abstract:
Verfahren und Vorrichtung zum Prüfen von Halbleiterspeichereinrichtungen. Die Erfindung betrifft ein Prüfverfahren für Halbleiterspeichereinrichtungen (P), die einen bidirektionalen Datenstrobe-Anschluss für ein Datenstrobe-Signal (DQS) aufweisen, an einer Prüfapparatur (PA), wobei die Prüfung des Datenstrobe-Signals durch einen Datentransfer zwischen der zu prüfenden Halbleiterspeichereinrichtung (P) und einer zweiten Halbleiterspeichereinrichtung gleichen Typs (R) erfolgt, sowie eine dafür geeignete Vorrichtung.
Abstract:
The invention relates to a test method for testing, on a testing device (PA), semiconductor devices (P) that have a bi-directional data strobe link for a data strobe signal (DQS) whereby the data strobe signal is tested by transferring data between the semiconductor memory device (P) to be tested and a second semiconductor memory device of the same type (R). The invention also relates to a device for carrying out the inventive method.
Abstract:
Ein integrierter Halbleiterspeicher (100) umfasst einen ersten Speicherbereich (40a), einen zweiten Speicherbereich (40b), sowie erste Adressanschlüsse (A 0 , A 1 ,..., A n ) und einen zweiten Adressanschluss (A n+1 ). Ein an dem zweiten Adressanschluss anliegendes zweites Adresssignal (AS2) legt den Zugriff auf den ersten oder zweiten Speicherbereich fest, wohingegen über erste Adresssignale (AS1a, ..., AS1n) an den ersten Adressanschlüssen festgelegt wird, auf welche Speicherzelle innerhalb des ersten oder zweiten Speicherbereichs zugegriffen wird. In einer ersten Speicherkonfiguration werden alle Adressanschlüsse (A 0 , A 1 , ..., A n , A n+1 ) extern mit Adresssignalen angesteuert und somit der Zugriff auf eine Speicherzelle im ersten oder zweiten Speicherbereich (40a, 40b) gesteuert. In einer zweiten Speicherkonfiguration werden lediglich die ersten Adressanschlüsse (A 0 , A 1 ,..., A n ) von extern angesteuert, wohingegen ein Signalisierungsbit in einem Mode-Register (51) den Zugriff auf den ersten oder zweiten Speicherbereich regelt. Dadurch wird ein Zugriff auf den zweiten Speicherbereich (40b) ermöglicht, auch wenn keine Möglichkeit besteht, den zweiten Adressanschluss (A n+1 ) extern anzusteuern.