公开(公告)号：DE19936302A1

公开(公告)日：2001-02-15

申请号：DE19936302

申请日：1999-08-02

Applicant: FERTIG NIELS ,  TILKE ARMIN ,  BEHRENDS JAN ,  BLICK ROBERT

Inventor： FERTIG NIELS ,  TILKE ARMIN ,  BEHRENDS JAN ,  BLICK ROBERT

IPC: C12M1/34 ,  C12M3/00 ,  G01N33/483

Abstract: Biochip, especially for investigating ion channels, has a substrate with opening(s) to receive a cell membrane with ion channel(s). Independent claims are also included for the following: (1) measuring probes comprising a biochip and a small glass tube on the side of the substrate opposite the side to which the membrane is applied, so that an electrode can be introduced through the opening away from the substrate; and (2) process for production of the biochip.

公开(公告)号：WO03007361A3

公开(公告)日：2003-04-24

申请号：PCT/EP0208234

申请日：2002-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KRIZ JAKOB ,  SECK MARTIN ,  TILKE ARMIN

Inventor： KRIZ JAKOB ,  SECK MARTIN ,  TILKE ARMIN

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/2257

Abstract: The invention relates to a method for producing a bipolar transistor comprising a polysilicon emitter, according to which a collector region (12) of a first conductivity type and an adjacent base region (14) of a second conductivity type are created. At least one layer (16) consisting of an insulating material is then applied, said layer or layers being structured in such a way that at least one section of the base region (14) is exposed. A layer consisting of a polycrystalline semiconductor material of the first conductivity type, which is highly doped with doping atoms, is subsequently created, in such a way that the exposed section is essentially covered. A second layer (20) consisting of a highly conductive material is then created on the layer (18) consisting of the polycrystalline semiconductor material, forming a dual-layer emitter with the latter. At least one portion of the doping atoms of the first conductivity type of the highly doped polycrystalline semiconductor layer is then caused to diffuse into the base region (14), to create an emitter region (22) of the first conductivity type.

Abstract translation: 用于制造双极多晶硅发射本发明的方法，首先产生一第一导电类型和相邻的第二导电型的基极区域（14）的集电极区域（12）。 现在，一个层（16）至少由绝缘材料，其特征在于，所述至少一个结构化的层，使得至少在基极区域（14）的一部分暴露施加。 接着，高度掺杂有第一导电类型掺杂原子的多晶半导体材料的层（18）中产生，使得基本上，所述暴露部分被覆盖。 现在，层（18）上的高导电材料的第二层（20）由多晶半导体材料制成，以形成具有一个发射极的双层相同的。 然后使至少所述第一导电类型，所述高度掺杂的多晶半导体层的掺杂剂原子的一部分，进入到基极区，以形成第一导电类型的发射极区（22）。

公开(公告)号：WO2003069663A1

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/EP2003/000673

申请日：2003-01-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  RUDOLPH, Uwe ,  SECK, Martin ,  TILKE, Armin

Inventor： RUDOLPH, Uwe ,  SECK, Martin ,  TILKE, Armin

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/42304

Abstract: Polysilizium-Bipolartransistor und Verfahren zur Herstellung desselbenBei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Erzeugung einer Basisanschlußstruktur für einen Bipolartransistor wird eine Ätzstoppschicht (12) auf ein einkristallines Halbleitersubstrat (10) aufgebracht, eine polykristalline Basisanschlußschicht (14) auf der Ätzstoppschicht (12) erzeugt, und ein Emitterfenster in der Basisanschlußschicht (14) unter Verwendung der Ätzstoppschicht (12) als Ätzstopp geätzt.

Abstract translation: 用于制造desselbenBei本发明的方法用于生产基础终端结构的双极晶体管的多晶硅双极晶体管和方法是沉积在单晶半导体衬底（10），所述蚀刻停止层上的多晶基体连接层（14）上形成蚀刻停止层（12）（12）中产生和发射极窗口 在使用蚀刻停止层（12）的基极端子层（14）蚀刻作为蚀刻停止。

公开(公告)号：WO2005109495A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：PCT/EP2005/051806

申请日：2005-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  ROCHEL, Markus ,  TILKE, Armin ,  WAGNER, Cajetan

Inventor： ROCHEL, Markus ,  TILKE, Armin ,  WAGNER, Cajetan

IPC: H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8249

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Schaltungsanordnung, wobei nach dem Ausbilden einer ersten elektrisch leitenden Schicht (4) an der Oberfläche eines Halbleitersubstrats (1) zur Realisierung einer Basisanschlussschicht (4A) und einer ersten Splitgateschicht (4B) eine Implantationsmaske (5) zum Durchführen einer ersten Kollektor-Implantation zum Ausbilden eines Kollektoranschlussgebiets (6) ausgebildet wird. Nach dem Ausbilden einer Hartmaskenschicht (7, 8) und einer ersten Ätzmaske wird die Hartmaskenschicht strukturiert und unter Verwendung der strukturierten Hartmaskenschicht ein Emitterfenster (EF) frei gelegt. Unter Verwendung der strukturierten Hartmaskenschicht (7, 8) erfolgt eine zweite Kollektor-Implantation (I 3 ) zum Ausbilden eines Kollektorgebiets (10), wobei im Bereich des Emitterfensters eine Basisschicht (11) ausgebildet wird. Anschließend wird unter Verwendung einer zweiten Ätzmaske ein Feldeffekttransistor-Bereich freigelegt und die strukturierte Hartmaskenschicht in diesem Bereich entfernt, um abschließend eine zweite elektrischleitende Schicht ganzflächig zur Realisierung einer Emitterschicht (14A) und einer zweiten Splitgateschicht (14B) auszubilden. Anschließend erfolgt eine Fertigstellung sowohl des Bipolartransistors als auch des Feldeffekttransistors in üblicher Weise, wobei insbesondere eine Source/Drain-Implantation gleichzeitig für die Dotierung der Emitterschicht (14A) verwendet wird. Da das Gate in zwei Lagen abgeschieden wird, wobei die erste Lage gleichzeitig als Basisanschlussschicht und die zweite Lage gleichzeitig als Emitterschicht dient, können bis zu zwei Lithographieebenen und somit Kosten eingespart werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体电路装置，其中，形成第一导电层（4）之后实现的基极端子层（4A）和第一分裂栅层（4B），注入掩模的半导体衬底（1）的表面上（5 ）适于用于形成集电极连接区域（6）进行一第一集电极注入。 形成硬掩模层（7，8）和第一蚀刻掩模之后进行图案化，所述硬掩模层，并使用发射极窗口（EF）露出的图案化的硬掩模层。 利用图案化的硬掩模层（7,8）是用于形成集电区（10）中进行的第二集电极注入（I3），被形成在发射极窗口的区域中的基极层（11）。 场效应晶体管区域随后暴露使用第二蚀刻掩模，并且该图案化的硬掩模层在该区域中移除，以便最后，在为实现的发射极层（14A）和第二分裂栅极层（14B）的形式的整个表面上的第二导电层。 随后，精加工进行两个双极晶体管和以常规方式的场效应晶体管，特别是，用于发射极层（14A）的相同的掺杂源极/漏极注入。 由于栅极沉积于两层，第一层同时用作基极端子层和第二层作为发射极层，多达两个光刻水平，从而可以节省成本。

公开(公告)号：WO2005109494A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：PCT/EP2005/051805

申请日：2005-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  DAHL, Claus ,  TILKE, Armin

Inventor： DAHL, Claus ,  TILKE, Armin

IPC: H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L29/66242

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines planaren Spacers, eines zugehörigen Bipolartransistors und einer zugehörigen BiCMOS-Schaltungsanordnung, wobei nach dem Ausbilden einer Opfermaske (2) auf einem Trägersubstrat (1) eine erste und zweite Spacerschicht (3, 4) ausgebildet wird. Zum Erzeugen von Hilfs-Spacern (4S) aus der zweiten Spacerschicht (4) wird ein erstes anisotropes Ätzverfahren durchgeführt. Anschliessend wird unter Verwendung der Hilfs-Spacer (4S) ein zweites anisotropes Ätzen zum Erzeugen der planaren Spacer (PS) durchgeführt. Auf diese Weise kann die Höhe des resultierenden planaren Spacers (PS) frei gewählt werden, wobei die Planarität des Spacers eine weitere Prozessführung stark vereinfacht. Dadurch lassen sich Bauelemente mit verbesserten elektrischen Eigenschaften realisieren.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造平面隔离物，相关联的双极型晶体管和一个相关的BiCMOS电路，其特征在于，（1）第一和第二间隔层（3,4）形成在载体基板上形成牺牲掩模（2）之后。 用于产生从所述第二隔离物辅助隔离物（4S）（4）进行第一各向异性蚀刻工艺。 然后（4S）执行第二各向异性蚀刻以产生使用辅助隔离件的平面隔离物（PS）。 以这种方式，所得到的平面隔离物（PS）的高度可以自由地选择，由此，间隔物的平面性，进一步的过程控制被大大简化。 这具有改善的电性能的装置可被实现。

公开(公告)号：WO2003007361A2

公开(公告)日：2003-01-23

申请号：PCT/EP2002/008234

申请日：2002-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  KRIZ, Jakob ,  SECK, Martin ,  TILKE, Armin

Inventor： KRIZ, Jakob ,  SECK, Martin ,  TILKE, Armin

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66272 ,  H01L21/2257

Abstract: Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors mit Polysiliziumemitter wird zuerst eine Kollektorregion eines ersten Leitfähigkeitstyps und daran angrenzend eine Basisregion eines zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugt. Nun wird zumindest eine Schicht aus einem isolierenden Material aufgebracht, wobei die zumindest eine Schicht strukturiert wird, so daß zumindest ein Abschnitt der Basisregion freigelegt ist. Als nächstes wird eine Schicht aus einem mit Dotierungsatomen hochdotierten polykristallinen Halbleitermaterial des ersten Leitfähigkeitstyps erzeugt, so daß im wesentlichen der freigelegte Abschnitt bedeckt ist. Nun wird eine zweite Schicht aus einem hochleitfähigen Material auf der Schicht aus dem polykristallinen Halbleitermaterial erzeugt, um mit derselben eine Emitterdoppelschicht zu bilden. Daraufhin wird bewirkt, daß zumindest ein Teil der Dotierungsatome des ersten Leitfähigkeitstyps der hochdotierten polykristallinen Halbleiterschicht in die Basisregion gelangt, um eine Emitterregion des ersten Leitfähigkeitstyps zu erzeugen.

Abstract translation: 用于制造双极多晶硅发射本发明的方法，首先产生一第二导电型的第一导电类型和相邻的基部区域的集电区。 接着，绝缘材料层至少施加，其中，所述至少一个结构化的层，使得至少在基极区域的一部分被暴露。 接着，层的高掺杂有第一导电类型掺杂原子的多晶半导体材料形成，使得基本上，所述暴露部分被覆盖。 现在，将第二层的多晶半导体材料的层上形成导电性高的材料形成，以形成具有相同的双层的发射极。 然后使至少所述第一导电类型，所述高度掺杂的多晶半导体层的掺杂剂原子的一部分，进入到基极区，以形成第一导电类型的发射极区。