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公开(公告)号:JP4832294B2
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:JP2006517069
申请日:2004-01-13
Applicant: メトグラス・インコーポレーテッド , ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: オライリー,ジェイムズ・エム , ハセガワ,リュウスケ , ハモンド,ヴィンセント・エイチ
CPC classification number: C22C33/02 , B22F9/002 , B22F9/24 , B22F2998/00 , B82Y30/00 , C01G49/009 , C01G51/006 , C01P2002/02 , C01P2002/50 , C01P2004/64 , C01P2006/42 , H01F1/0578 , H01F1/083 , H01F41/0266 , B22F1/0018
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公开(公告)号:JP2008534930A
公开(公告)日:2008-08-28
申请号:JP2008503232
申请日:2006-03-23
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: サブラマンヤム,グル
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01N27/221 , G01N22/00
Abstract: DC電界の下で、幅広い周波数レンジ及び温度レンジにわたって、ポリマー特性明確化のための試験構造が開示されている。 高抵抗シリコン基板(40)が接着層(30)によって配置されている。 ポリマー薄フィルム(20)は、接着層の頂部に配置されたパターン化された金属層の上に配置されている。 頂部金属2層は、ポリマー薄フィルムの上に配置されて、パターン化されてCPW伝達ラインを形成している。 単一バイアス電圧が金属2のCPW伝達ラインの中央導体にかけられ、ポリマーの誘電特性に影響を与えている。 ポリマーの誘電特性と損失−タンジェントは、ポリマー薄フィルムの誘電特性と損失タンジェントがスエプト周波数スキャッタリングパラメータ(S−パラメータ)を計測して実験的周波数応答をモデル周波数応答にマッチングすることにより電界と温度の関数として導かれる。 ポリマーの電気コンダクランす特性も幅広い温度レンジにわたって試験構造を用いることでその特性を正確に明確化できる。
【選択図】図2d-
3.
公开(公告)号:JP2008505500A
公开(公告)日:2008-02-21
申请号:JP2007519474
申请日:2005-06-30
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
IPC: H01F1/08 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F3/00 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F9/08 , C22C19/07 , C22C38/00 , H01F1/053 , H01F1/11
CPC classification number: B82Y25/00 , H01F1/0054 , H01F1/055 , H01F1/057 , H01F1/0579 , H01F1/058 , H01F1/059 , H01F41/0266 , H01F41/0273
Abstract: 異方性バルクナノコンポジット希土類永久磁石。 異方性バルクナノコンポジット希土類永久磁石を製造する方法も開示されている。
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公开(公告)号:JP5588128B2
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:JP2009146185
申请日:2009-06-19
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: ビノド・クマール , ジテンドラ・クマール
CPC classification number: H01M12/08 , C04B35/447 , C04B2235/3203 , C04B2235/3217 , C04B2235/3287 , H01M4/382 , H01M4/8605 , H01M4/8621 , H01M4/8652 , H01M4/9016 , H01M4/96 , H01M10/056 , H01M10/0562 , H01M10/0565 , H01M2300/0068 , H01M2300/0082 , H01M2300/0091 , H01M2300/0094 , Y02E60/128
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公开(公告)号:JP4883841B2
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:JP2000621280
申请日:2000-05-25
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , D01F9/127 , H01J2201/30469 , Y10S428/914 , Y10T428/24802
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6.
公开(公告)号:JP2008522836A
公开(公告)日:2008-07-03
申请号:JP2007539038
申请日:2005-10-25
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: ホープ,ウォリー・シー
CPC classification number: B25J9/1692 , G05B2219/37123 , G05B2219/39015 , G05B2219/39022 , G05B2219/40527
Abstract: 運動学的ロボット・モデル・パラメータ決定によって多関節ロボットにおいて改善された精度を提供する方法及びシステムが、開示される。 本発明は、ロボット・モデル・パラメータにおける偏差の関数としての、基準物体の基準点の計算された姿勢における偏差についての、ヤコビアン微分における微分のチェーン・ルールを使用することによって、多関節ロボットを較正する。 本発明は、長さスケールを確定し、その結果、ロボットの1つのリンク長を知る必要を回避するために、2つのそのような基準物体と、それらの間の既知の距離も使用する。 加えて、本発明は、結果のモデル・パラメータの最善された精度についての最適解を見出すために、反復的方法を利用する。 更に、本発明は、ツール取付け機構フレームを定義するパラメータを含む、ロボットの最終関節パラメータの決定を提供し、それが、その後の較正なしに、ツールの交換を可能にする。
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公开(公告)号:JP2007509578A
公开(公告)日:2007-04-12
申请号:JP2006536683
申请日:2004-10-15
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: ヴォロビエフ,アンドレ , ゲヴォルジアン,スパルタク , サブラマニアン,グルー
CPC classification number: H01L27/0808 , H01L29/93 , H01P1/15 , H01P1/203
Abstract: 容量型シャント・スイッチに適した強誘電性バラクターが開示される。 SiO
2 層を持つ高抵抗率シリコンとトップに積層されるパターン金属層とが、基板として利用される。 基板上に積層される強誘電性薄膜は、バラクターの実施として使用される。 トップ金属電極は、強誘電性薄膜の上に積層され、CPW伝送ラインを形成する。 トップ金属電極及びボトム金属層中の大きい領域のグランド伝導体によって形成されるキャパシタンスを使用することで、強誘電性薄膜とグランド伝導体によって規定される大きいキャパシタとの直列接続が生成される。 大きいキャパシタは、グランドに対して短絡として働き、バイヤの必要性を排除する。 ON及びOFF状態のスイッチング概念は、強誘電性薄膜のチューナビリティに基づく。 0Vにおいて、バラクターは、最も高いキャパシタンス値を有し、信号はグランドにシャントし、出力は入力から絶縁される。 この結果、スイッチのOFF状態が生じる。 CPWの中心伝導体に小さい電圧を印加することにより、バラクターのキャパシタンスは減少し、信号は伝送し、デバイスのON状態を生じる。 このバラクター・シャント・スイッチは、RF MEMSシャント・スイッチの難点の大半を克服する。-
公开(公告)号:JP2014523385A
公开(公告)日:2014-09-11
申请号:JP2014515910
申请日:2012-06-12
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: ラフディ,カリド , リー,リンチェン , ボーレ,マシュー,シー , ラグノフ,アレクサンドル
IPC: C01B31/02 , B01J23/745 , B01J37/02 , D01F9/127
CPC classification number: C01B31/0206 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/158 , Y10S977/724 , Y10S977/755 , Y10S977/778 , Y10S977/891 , Y10T428/264
Abstract: 基材を酸化性ガスに暴露し、基材上にシード材料を蒸着して基材表面上に触媒用レセプターを形成し、基材表面上のレセプタを触媒蒸気に暴露することによりシード材料上に触媒を蒸着し、基材に対してカーボン含有ガス中において化学気相蒸着を行い、基材上にカーボンナノ材料を成長させる基材上のカーボンナノ材料の成長方法。
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公开(公告)号:JP4555529B2
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:JP2001525017
申请日:2000-09-22
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: − ミング ダイ、リ , ファング、シャオミング , マウ、アルバート
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/843 , Y10S977/887
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公开(公告)号:JP2009541742A
公开(公告)日:2009-11-26
申请号:JP2009516572
申请日:2007-06-21
Applicant: ユニバーシティ・オブ・デイトンUniversity Of Dayton
Inventor: チャン,チウエン
CPC classification number: G01Q60/22 , G01J3/02 , G01J3/0224 , G01J3/10 , G01J3/44 , G01N21/658 , G01N2021/656 , G01Q30/02
Abstract: 非常に強い縦場を作り出すのに用いられ得るユニークな焦点特性を有する特別な偏光状態が生成される。 表面プラズモン励起と組合せると、これらの偏光状態は、無開口近接場スキャニング光学顕微鏡検査システムにおいて用いられ得る。 ラジアル偏光ビームが、金属コーティングされる、テーパが設けられた無開口チップを含むプラズモン生成光学ファイバの中に方向付けされる。 無開口チップは、ラジアル偏光ビームがプラズモン生成光学ファイバに沿って伝播すると、表面プラズモン波を励起し、当該表面プラズモン波をチップに方向付けする。 対物レンズがこの無開口の近傍に位置決めされる試料からの近接場光学信号を収集する。 無開口NSOMの潜在的な空間分解能は10nmを超え得る。 このような強い場の増強により、10nmを超える分解能で、試料の機械的および化学的組成を計測し得る信頼性のあるナノラマンシステムの開発を可能にする。
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