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    導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法
    2.
    发明专利
    導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019125780A

    公开(公告)日：2019-07-25

    申请号：JP2018231392

    申请日：2018-12-11

    Applicant: 優顕科技股▲ふん▼有限公司 ,  ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.

    Inventor： 陳 顕徳

    IPC: H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L21/60

    Abstract: 【課題】ワイヤボンディング又は共晶接合プロセスでは電気的接続を行うことができないという問題を解決する導電性フィルム、光電半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】導電性フィルムは少なくとも一つのマイクロサイズ半導体素子及びマトリクス基板に合せて応用され、導電性フィルムは第1の膜層と第2の膜層とを備える。第1の膜層は、マトリクス回路上に設けられるとともに、複数の導電性粒子と絶縁材料を有しており、前記複数の導電性粒子は絶縁材料中に混合される。第2の膜層は絶縁層であるとともに第1の膜層上に設けられる。このうち、マイクロサイズ半導体素子の少なくとも一部は導電性フィルム内に位置するとともに、少なくとも一つの電極を有しており、電極を前記複数の導電性粒子の一部によりマトリクス基板の垂直方向上でマトリクス回路に電気的に接続される。 【選択図】図1

    光電半導體裝置及其製造方法
    3.
    发明专利
    光電半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    光电半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201813129A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW105128993

    申请日：2016-09-07

    Applicant: 優顯科技股份有限公司 ,  ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.

    Inventor： 梶山佳敬 ,  KAJIYAMA, YOSHITAKA

    IPC: H01L33/36

    CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/6835 ,  H01L25/13

    Abstract: 本發明揭露一種光電半導體裝置及其製造方法。光電半導體裝置的製造方法包括以下步驟：一微尺寸光電半導體元件提供步驟、一矩陣基板提供步驟、一電極對位壓合步驟、一電極接合步驟、一照光剝離步驟及一移除步驟。其中，電極接合步驟是提供一第一光線聚光照射至少部分的該些第一電極與該些第三電極的接合處，或至少部分的該些第二電極與該些第四電極的接合處。照光剝離步驟是提供一第二光線聚光照射至少部分的該些微尺寸光電半導體元件與磊晶基材的界面，使經第二光線照射的該些微尺寸光電半導體元件與磊晶基材剝離。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种光电半导体设备及其制造方法。光电半导体设备的制造方法包括以下步骤：一微尺寸光电半导体组件提供步骤、一矩阵基板提供步骤、一电极对位压合步骤、一电极接合步骤、一照光剥离步骤及一移除步骤。其中，电极接合步骤是提供一第一光线聚光照射至少部分的该些第一电极与该些第三电极的接合处，或至少部分的该些第二电极与该些第四电极的接合处。照光剥离步骤是提供一第二光线聚光照射至少部分的该些微尺寸光电半导体组件与磊晶基材的界面，使经第二光线照射的该些微尺寸光电半导体组件与磊晶基材剥离。

    批量接合微半導體結構與目標基板之方法及目標基板
    4.
    发明专利
    批量接合微半導體結構與目標基板之方法及目標基板 审中-公开
    批量接合微半导体结构与目标基板之方法及目标基板

    公开(公告)号：TW202011491A

    公开(公告)日：2020-03-16

    申请号：TW107131037

    申请日：2018-09-04

    Applicant: 優顯科技股份有限公司 ,  ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.

    Inventor： 陳顯德 ,  CHEN, HSIEN-TE

    IPC: H01L21/60 ,  H01L33/00

    Abstract: 本發明揭露一種批量接合微半導體結構與目標基板之方法及具有微半導體結構的目標基板。該方法包括：使多個微半導體結構批量轉移至一目標基板上，其中目標基板具有一板體與設置於板體上的多個導電部，各微半導體結構的邊長介於5微米與100微米之間，並具有一本體與設置於本體上的至少一電極，各電極與該些導電部的其中之一對應設置；以及通過一接合製程批量接合該些微半導體結構的該些電極與對應之該些導電部。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种批量接合微半导体结构与目标基板之方法及具有微半导体结构的目标基板。该方法包括：使多个微半导体结构批量转移至一目标基板上，其中目标基板具有一板体与设置于板体上的多个导电部，各微半导体结构的边长介于5微米与100微米之间，并具有一本体与设置于本体上的至少一电极，各电极与该些导电部的其中之一对应设置；以及通过一接合制程批量接合该些微半导体结构的该些电极与对应之该些导电部。

    IMAGE DETECTOR
    9.
    发明申请
    IMAGE DETECTOR 有权

    公开(公告)号：US20230032758A1

    公开(公告)日：2023-02-02

    申请号：US17872661

    申请日：2022-07-25

    Applicant: ULTRA DISPLAY TECHNOLOGY CORP.

    Inventor： Hsien-Te CHEN

    IPC: G01T1/20 ,  G01T1/202

    Abstract: An image detector includes a substrate, a circuit layer, a plurality of light detecting elements, a plurality of driving elements and a crystal scintillation layer. The substrate has a surface. The circuit layer is arranged on the surface of the substrate, and defines a plurality of detecting areas arranged in an array. The light detecting elements and the driving elements are disposed at the detecting areas and electrically connected with the circuit layer. Each driving element drives one or more of the light detecting elements. The crystal scintillation layer is arranged opposite to the substrate and covers the detecting areas. The light detecting elements and the driving elements connect with the surface of the substrate. At least one of the light detecting elements and the driving elements is formed by a process different from the process of forming the circuit layer on the substrate.

    Method of using optoelectronic semiconductor stamp to manufacture optoelectronic semiconductor device
    10.
    发明授权
    Method of using optoelectronic semiconductor stamp to manufacture optoelectronic semiconductor device 有权

    公开(公告)号：US11538785B2

    公开(公告)日：2022-12-27

    申请号：US17131092

    申请日：2020-12-22

    Applicant: Ultra Display Technology Corp.

    Inventor： Hsien-Te Chen

    IPC: H01L23/00

    Abstract: A method of using an optoelectronic semiconductor stamp to manufacture an optoelectronic semiconductor device comprises the following steps: a preparation step: preparing at least one optoelectronic semiconductor stamp group and a target substrate, wherein each optoelectronic semiconductor stamp group comprises at least one optoelectronic semiconductor stamp, each optoelectronic semiconductor stamp comprises a plurality of optoelectronic semiconductor components disposed on a heat conductive substrate, each optoelectronic semiconductor component has at least one electrode, and the target substrate has a plurality of conductive portions; an align-press step: aligning and attaching at least one optoelectronic semiconductor stamp to the target substrate, so that the electrodes are pressed on the corresponding conductive portions; and a bonding step: electrically connecting the electrodes to the corresponding conductive portions.

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