公开(公告)号：KR101819815B1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020160002936

申请日：2016-01-09

Applicant: (재)울산테크노파크

Inventor： 이성신 ,  태원필 ,  이상윤 ,  김창윤 ,  김인정 ,  이수경 ,  김도훈

IPC: C01B21/064 ,  C30B29/38 ,  B01J31/02

Abstract: 본발명은수열처리법을이용한보론나이트라이드(BN: Boron Nitride) 입자를성장시키는방법에관한것으로, 질소(N2)가스를반응기에주입하여질소(N2)분위기하에수열처리하는방법과질화붕소입자의충분한성장을위해수열처리시간을변수로하여보론나이트라이드입자성장을시키는방법에관한것이다. 본발명은보론나이트라이드입자성장으로고내열/방열성/절연성이요구되는전기전자부품소재로주목받고있는보론나이트라이드의생산비용을절감하는효과를제공한다.

公开(公告)号：KR1020170083717A

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020160002936

申请日：2016-01-09

Applicant: (재)울산테크노파크

Inventor： 이성신 ,  태원필 ,  이상윤 ,  김창윤 ,  김인정 ,  이수경 ,  김도훈

IPC: C01B21/064 ,  C30B29/38 ,  B01J31/02

Abstract: 본발명은수열처리법을이용한보론나이트라이드(BN: Boron Nitride) 입자를성장시키는방법에관한것으로, 질소(N2)가스를반응기에주입하여질소(N2)분위기하에수열처리하는방법과질화붕소입자의충분한성장을위해수열처리시간을변수로하여보론나이트라이드입자성장을시키는방법에관한것이다. 본발명은보론나이트라이드입자성장으로고내열/방열성/절연성이요구되는전기전자부품소재로주목받고있는보론나이트라이드의생산비용을절감하는효과를제공한다.

Abstract translation: 本发明氮化硼使用序列处理方法：本发明涉及生长（BN氮化硼）颗粒的方法，用于注入氮气（N 2）的气体的反应器可以是在氮（N 2）气氛和氮化硼颗粒的热处理的方法， 本发明涉及一种方法和一种水热处理时间为足够的生长，以三氟化硼夜晚的晶粒生长的变量。 本发明提供减少了氮化硼硝基受到关注电气和电子组件和材料，其高熔点/热辐射/绝缘氮化硼晶粒生长要求的生产成本的效果。