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公开(公告)号:WO2022030718A1
公开(公告)日:2022-02-10
申请号:PCT/KR2021/002646
申请日:2021-03-04
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: C09K13/08 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 본 발명은, 식각 가스 혼합물에 관한 것으로, 특히, 고종횡비 (High Aspect Ratio)의 식각 단면을 얻기 위한 식각 가스 조합으로 높은 선택비(Selectivity) 및 CD (Critical dimension) 제어에 탁월한 성능을 발휘하는 식각 가스에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR102244862B1
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:KR1020200097454
申请日:2020-08-04
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: C09K13/08 , H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 본발명은, 식각가스혼합물에관한것으로, 특히, 고종횡비 (High Aspect Ratio)의식각단면을얻기위한식각가스조합으로높은선택비(Selectivity) 및 CD (Critical dimension) 제어에탁월한성능을발휘하는식각가스에관한것이다.
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公开(公告)号:KR102244885B1
公开(公告)日:2021-04-27
申请号:KR1020210015105
申请日:2021-02-03
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: C09K13/08 , H01L21/311 , H01L27/105
Abstract: 본발명은, 식각가스조성물에관한것으로, 특히, 금속계열의하부층 (언더레이어, underlayer)에대한높은선택비(Selectivity)을나타내어콘택트공정에서탁월한성능을발휘하는식각가스조성물에관한것이다.
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