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公开(公告)号：WO2017047849A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/KR2015/009874
申请日：2015-09-21
Applicant: (주)원익머트리얼즈
Abstract: 본 발명은 메탈아민 제조 시스템에 관한 것으로서, 본 발명의 실시예에 따른 메탈아민 제조 시스템은 암모니아(3) 가스를 저장하는 암모니아탱크(10), 암모니아(3) 가스의 압력을 조절하는 압력조절기(20), 내부에 금속염화물(1)이 충진되고, 암모니아탱크(10)와 연결되어, 암모니아(3)가 내부로 유입되는 반응챔버(30), 암모니아(3)가 반응챔버(30) 내부로 유입되기 전에, 충전된 금속염화물(1)을 가열하여, 금속염화물(1) 내의 수분을 제거하는 가열기(40), 및 반응챔버(30) 내부의 온도를 소정의 반응온도까지 냉각시키는 냉각부(50)를 포함하고, 반응온도에서, 수분이 제거된 금속염화물(1)에 암모니아(3)가 흡착되어, 메탈아민(Metal Ammine) 분말이 제조된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制备金属氨的系统。 根据本发明的一个实施方案，用于制备金属氨的系统包括：用于储存氨（3）气体的氨罐（10） 用于控制氨（3）气体的压力的压力控制器（20）; 反应室（30），其中装入金属氯化物（1），并连接到氨罐（10），氨（3）流入其中; 用于在氨（3）流入反应室（30）之前加热带电的金属氯化物（1）以除去金属氯化物（1）内的水分的加热器（40）; 以及用于将反应室（30）的内部温度冷却至规定的反应温度的冷却部（50），在反应温度下通过除去水分的金属氯化物（1）吸附氨（3），由此 制备金属氨矿粉。
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公开(公告)号：KR1020170114146A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160041437
申请日：2016-04-05
Applicant: (주)원익머트리얼즈
CPC classification number: C01B6/10 , B01D53/005 , G01N30/62
Abstract: 본발명은디보란정제장치및 정제방법에관한것으로, 본발명의실시예에따른디보란정제장치는디보란(DIBORANE, BH, 3)에다수의기체불순물(5)이섞인디보란가스(1)를저장하는가스용기(10), 디보란가스(1)가유입되어정제되는정제챔버(20), 디보란(3) 및불순물(5) 중의제1 불순물이액화되어불순물(5) 중기체상태인제2 불순물과분리되도록, 정제챔버(20)를제1 정제온도까지냉각하는냉각부(30), 및액화된디보란(3)이기화되어액화된제1 불순물과분리되도록, 정제챔버(20)를제2 정제온도까지가열하는가열부(40)를포함한다.
Abstract translation: 本发明的乙硼烷涉及精制装置和精制方法，乙硼烷净化装置根据本发明的一个实施例中，乙硼烷（乙硼烷，BH 3）EDA护罩气体乙硼烷气体杂质（5）与混合（1） 气体容器10中，纯化腔室20，其中，所述片剂被引入乙硼烷气体（1），用于存储，乙硼烷3和杂质（5）中的第一杂质的杂质（5）中间体状态被液化 摄取第二冷却部30内，液化的乙硼烷3是yigihwa第一和净化室20，以除去杂质，液化reulje冷却至杂质和以分离，纯化腔室20 reulje 1纯化温度 2纯化温度。
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公开(公告)号：KR1020170036922A
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020150135416
申请日：2015-09-24
Applicant: (주)원익머트리얼즈
Abstract: 본발명은트리플루오르메틸하이포플루오라이트(Trifluoromethyle hypofluorite, CF3OF)를합성및 정제방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는, 트리플루오르메틸하이포플루오라이트(CFOF)의합성및 정제방법에있어서, F가스와 COF가스를고체촉매용반응기에서혼합하여반응시키는합성단계(S10)와; 상기합성된혼합가스를 (CFOF)의비점온도보다낮은온도로형성된 1차정제기에서 1차정제시키는단계(S20)와; 상기 1차정제된가스를 (CFOF)의비점온도보다높은온도로형성된 2차정제기에서 2차정제시키는단계(S30);를순차적인단계가이루어진것을특징으로하는트리플루오르메틸하이포플루오라이트(CFOF)의합성및 정제방법에관한것이다. CFOF 가스는유기합성의전구체, 반도체공정또는디스플레이공정용크리닝가스및 에칭가스로도사용이가능한매우유용한 OF계가스이다. CFOF 가스의합성은 F가스와 COF가스를금속불화물촉매하에서반응시켜 CFOF를제조한다. 제조된 CFOF는 1차및 2차정제장치로이송되어불순물을제거하도록이루어지는것이다. 제거방법으로서는비점(Boiling point)을이용한극저온(Cryogenic)하의온도에서불순물을효과적으로제거하여, 일정수준의순도(99.9%이상)를취득하는효과를특징으로하는것이다.
Abstract translation: 在本发明中，三氟甲基次氟化物涉及（Trifluoromethyle次氟化物，CF3OF）的合成和纯化方法，并且更具体地，三氟合成和甲基次氟化物的纯化（CFOF），F气体和COF 在固体催化剂用反应器中使气体混合并反应的合成工序（S10） （S20），首先在低于（CFOF）的沸点温度的温度下形成的第一净化器中纯化合成气体混合物; （S30），在比第一净化气体中的（CFOF）的沸点温度高的温度下形成的二次净化器中进行二次净化。 并提供了一种净化方法。 CFOF气体是非常有用的基于OF的气体，其也可以用作有机合成前体，用于半导体工艺或显示工艺的清洁气体以及蚀刻气体。 在CFOF气体的合成中，通过使F气体和COF气体在金属氟化物催化剂下反应来生产CFOF。 将生产的CFOF转移到初级和次级精磨机中去除杂质。 该除去方法的特征在于使用沸点在低于低温的温度下有效地除去杂质以获得一定水平的纯度（99.9％或更高）的效果。
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公开(公告)号：KR1020160055665A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020150008923
申请日：2015-01-19
Applicant: (주)원익머트리얼즈
CPC classification number: Y02P20/544 , B01J20/34 , C01B35/14
Abstract: 본발명은초임계유체를이용하여사용후의탈수소화된암모니아보란(폴리보잘린)을암모니아보란으로재생하는방법에관한것으로서, 초임계유체를이용한간단한공정으로수행되어공정효율및 재생수율이우수하여, 종래암모니아보란재생공정에있어서낮은재생수율문제와복잡한공정에따른낮은공정효율을해소할수 있고, 고가의암모니아보란을유용하게재사용할수 있어수소가스저장재및 연료전지분야에서유용하게사용할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种在使用超临界液体使用于氨硼烷之后再生脱氢氨硼烷（聚硼氮烯）的方法。 在本发明中，作为使用超临界液体的简单方法进行氨硼烷再生方法，具有优异的加工效率和再生产率。 再生氨硼烷的方法可以减轻常规的氨硼烷再生过程中的低再生产率和复杂工艺的工艺效率低的问题。 此外，再生氨硼烷的方法可有效地重用昂贵的氨硼烷，因此可用于氢气储存材料和燃料电池领域。 用于再生氨甲烷的方法包括以下步骤：使用后的脱氢氨硼烷聚亚烷基二醇与醇反应以使聚亚烷基二醇结晶; 并通过用超临界流体还原结晶的聚二亚烷基来获得再生的氨硼烷。
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公开(公告)号：KR101236713B1
公开(公告)日：2013-03-25
申请号：KR1020120020494
申请日：2012-02-28
Applicant: (주)원익머트리얼즈
Abstract: PURPOSE: A purifying method of a pentafluoroethyl iodide is provided to obtain pentafluoroethyl iodide with high purity by removing various internal impurities with low boiling points by using a boiling point difference. CONSTITUTION: A purifying method of a pentafluoroethyl iodide comprises: a step of placing a portion filled with pentafluoroethyl iodide into a vacuum environment and insulating the same(S100); a step of reducing the temperature inside the portion filled with pentafluoroethyl iodide and making the same into a decompressed state(S200); a step of controlling the inner temperature inside the portion filled with pentafluorethyl iodide and separating impurities with low boiling points from the pentafluoroethyl iodide(S300); a step of discharging the impurities with low boiling points to the outside(S400); and a step of transferring and storing the pentafluoroethyl iodide(S500). [Reference numerals] (S100) Undergoing a vacuum state and heat insulating after filling C_2F_5I; (S200) Lowering internal temperature and maintaining a decompressed state; (S300) Controlling the inner temperature and separating impurities with low boiling points from the C_2F_5I; (S400) Discharging gaseous impurities with low boiling points; (S410) Converting C_2F_5I liquid into a gaseous state; (S500) Storing refined C_2F_5I with high purity
Abstract translation: 目的：提供五氟乙基碘化物的纯化方法，通过使用沸点差除去低沸点的各种内部杂质，得到高纯度的五氟乙基碘。 构成：五氟乙基碘的提纯方法包括：将填充有五氟乙基碘的部分置于真空环境中并使其绝缘的步骤（S100）; 降低填充有五氟乙基碘的部分内的温度并使其成为减压状态的步骤（S200）。 控制填充有五氟乙基碘的部分内的内部温度和从五氟乙基碘中分离低沸点的杂质的步骤（S300）。 将低沸点杂质排出到外部的步骤（S400）; 和转移并储存五氟乙基碘的步骤（S500）。 （附图标记）（S100）在填充C_2F_5I之后进行真空状态和绝热; （S200）降低内部温度并维持减压状态; （S300）控制内部温度，从C_2F_5I分离低沸点杂质; （S400）以低沸点排出气态杂质; （S410）将C_2F_5I液体转化为气态; （S500）高纯度储存精制C_2F_5I
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120113343A
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110031005
申请日：2011-04-05
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: C07B63/00 , C07C17/383 , C07C21/18 , B01D8/00
CPC classification number: C07B63/00 , B01D8/00 , C07C17/383 , C07C21/18
Abstract: PURPOSE: A purifying apparatus of hexafluoropropylene is provided to easily and effectively obtain highly pure hexafluoropropylene by separating impurities of low boiling point and impurities of high boiling point in order by using a difference of boiling point between hexafluoropropylene and impurities. CONSTITUTION: A purifying apparatus of hexafluoropropylene comprises: a moisture absorption column(10) removing moisture in hexafluoropropylene by using an absorbent; a heater(20) for regenerating the absorbent; a low-boiling-point impurity separation cold trap(30) separating gaseous low-boiling-point impurities(A) in liquid hexafluoropropylene and discharging the gaseous low-boiling-point impurities through a vacuum vent unit(31); a high-boiling point impurities separation cold trap(40) separating gaseous hexafluoropropylene from liquid high-boiling-point impurities(B) by vaporizing the liquid hexafluoropropylene; a boiling point modifier controlling internal temperature of the impurity separation cold traps; and a reservoir(60) storing the separated hexafluoro propylene gas. [Reference numerals] (1) Unpurified HFP; (2) Moisture-removed HFP; (3) Liquid HFP in which impurities of low boiling point are removed; (4) Liquid HFP in which impurities of high boiling point are removed; (A) Gas of low boiling point; (B) Gas of high boiling point; (C) Residues
Abstract translation: 目的：提供六氟丙烯的净化装置，通过使用六氟丙烯和杂质之间的沸点差，通过分离低沸点杂质和高沸点杂质来容易且有效地获得高纯度的六氟丙烯。 构成：六氟丙烯的净化装置包括：通过使用吸收剂除去六氟丙烯中的水分的吸湿塔（10） 用于再生吸收剂的加热器（20） 将液态六氟丙烯中的气态低沸点杂质（A）分离并通过真空排气单元（31）排出气态低沸点杂质的低沸点杂质分离冷阱（30）; 通过汽化液体六氟丙烯将气态六氟丙烯与液体高沸点杂质（B）分离的高沸点杂质分离冷阱（40）; 控制杂质分离冷阱的内部温度的沸点调节剂; 和存储分离的六氟丙烯气体的储存器（60）。 （附图标记）（1）未纯化的HFP; （2）去除水分HFP; （3）除去低沸点杂质的液体HFP; （4）除去高沸点杂质的液体HFP; （A）低沸点气体; （B）高沸点气体; （C）残留物
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公开(公告)号：KR1020120113341A
公开(公告)日：2012-10-15
申请号：KR1020110031003
申请日：2011-04-05
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: C07C17/383 , C07C21/18 , C07B63/00 , B01D3/00
Abstract: PURPOSE: A purifying method of hexafluoropropylene is provided to easily obtain highly pure hexafluoropropylene than an existing absorption method and impurity-removing method through a reaction of ammonia by using a difference of boiling point of hexafluoropropylene and impurities in the hexafluoropropylene. CONSTITUTION: A purifying method of hexafluoropropylene comprises: a step(S100) of removing residual water by moisture-absorbing HFP which becomes raw material; a step(S200) of separating low-boiling point impurities contained in the hexafluoropropylene by using a difference of boiling point; a step(S300) of separating impurities of high boiling point contained the hexafluoropropylene through a difference of boiling points; a step(S400) of storing the hexafluoropropylene of gas phase in which the impurities of low boiling point and impurities of high boiling points are separated in a storage unit; a step(S500) of storing the hexafluoropropylene gas and discharging the vaporizing impurities of high boiling point through a vacuum discharge unit while maintaining inner temperature higher than the boiling point of the impurities of the high boiling point. [Reference numerals] (AA) Is the vacuum discharge finished?; (S100) Removing residual water in HEP; (S110) Regenerating absorbent; (S200) Separating low-boiling point impurities from HFP; (S210) Filling HFP in which water is removed; (S220) Vacuum state and heat-insulating treatment; (S230) Reducing inner temperature and maintaining vacuum state; (S240) Maintaining inner temperature lower than the boiling point of HFP; (S250) Discharging the low-boiling point impurities in gas state; (S260) Transferring liquid HFP; (S300) Separating the high boiling point impurities from HFP; (S310) Inflow of HFP in which low boiling point impurities are removed; (S320) Vacuum state and heat-insulating treatment; (S330) Reducing inner temperature and maintaining vacuum state; (S340) Maintaining inner temperature higher than the boiling point of HFP; (S400) Growing HFP gas of high purity; (S500) Vacuum discharging through vaporizing high boiling point impurities
Abstract translation: 目的：提供一种六氟丙烯的净化方法，通过使用六氟丙烯的沸点与六氟丙烯中的杂质的差异，通过氨的反应，可以容易地获得高纯度的六氟丙烯，而不是现有的吸收方法和杂质去除方法。 构成：六氟丙烯的净化方法包括：通过吸湿成为原料的HFP除去残留水的工序（S100） 通过使用沸点差来分离六氟丙烯中所含的低沸点杂质的工序（S200） 通过沸点差来分离含有六氟丙烯的高沸点杂质的工序（S300） 存储单元中存储有低沸点杂质和高沸点杂质的气相六氟丙烯的步骤（S400）; 存储六氟丙烯气体并通过真空排出单元排出高沸点气化杂质的步骤（S500），同时保持内部温度高于高沸点杂质的沸点。 （附图标记）（AA）真空放电是否完成？ （S100）去除HEP中的残留水; （S110）再生吸收剂; （S200）从HFP分离低沸点杂质; （S210）填充除去水的HFP; （S220）真空状态和隔热处理; （S230）降低内部温度并保持真空状态; （S240）保持内部温度低于HFP的沸点; （S250）排出气态低沸点杂质; （S260）转移液体HFP; （S300）将高沸点杂质与HFP分离; （S310）去除低沸点杂质的HFP流入; （S320）真空状态和绝热处理; （S330）降低内部温度并保持真空状态; （S340）保持内部温度高于HFP的沸点; （S400）生长高纯度的HFP气体; （S500）通过汽化高沸点杂质进行真空排放
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公开(公告)号：KR101868811B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020170011256
申请日：2017-01-24
Applicant: (주)원익머트리얼즈
CPC classification number: Y02C10/08 , Y02P20/152 , C01B35/061 , B01D53/0423 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2253/20 , B01D2257/302 , B01D2257/504 , B01J20/3416 , B01J20/3425 , B01J20/3483 , C01P2006/80
Abstract: 본발명은플루오르화붕소를흡착제가내설된흡착컬럼에공급시키는단계; 및플루오르화붕소내 SO를흡착제를이용하여흡착제거하는단계로이루어지는정제방법으로써, 상기흡착제가 500 내지 1500mg/g의요오드흡착력을갖는것을특징으로하는정제방법에관한것이다. 본발명은정제대상이되는플루오르화붕소를흡착방법에의해내부의 SO를선택적으로흡착제거함으로써, 고순도의플루오르화붕소를얻을수 있는정제방법을제공하기위해, 흡착제가원료물질인플루오르화붕소와는반응성이없고, SO만을선택적으로제거할수 있는흡착제를이용하였다.
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公开(公告)号：KR101639621B1
公开(公告)日：2016-07-15
申请号：KR1020150008927
申请日：2015-01-19
Applicant: (주)원익머트리얼즈
CPC classification number: Y02P20/544
Abstract: 본발명은초임계유체를이용한공정에의해서사용후의탈수소화된암모니아보란 (폴리보잘린)을암모니아보란으로간단하게재생하는시스템에관한것으로소, 기존에비하여공정시스템이간단하여암모니아보란의대량생산이가능하고, 재생수율이우수하여, 고가의암모니아보란을유용하게재사용할수 있어수소가스저장재및 연료전지분야에서유용하게사용할수 있다.
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公开(公告)号：KR101568142B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020130123152
申请日：2013-10-16
Applicant: (주)원익머트리얼즈
IPC: B01J19/18 , C01B21/064
Abstract: 본발명은수소저장및 수소발생특성이우수한고순도의암모니아보란을고수율로연속적으로합성할수 있도록합성및 세정공정을포함하는암모니아보란의연속합성공정시스템및 이를이용한암모니아보란의제조방법에관한것으로서, 본발명에따른암모니아보란의연속합성시스템에의하면, 공정조건을정교하게제어할수 있고, 나아가서반응기내에잔존하는합성불순물등을용이하게제거할수 있어, 수소저장및 수소발생소재인암모니아보란을고순도및 고효율로저온에서연속적으로대량으로합성할수 있다.
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