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公开(公告)号:KR101803489B1
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:KR1020160085932
申请日:2016-07-07
Applicant: (주)웨이브텍
Abstract: 서로대향하는제1면과제2면그리고 4개의측면으로이루어지는직육면체로형성되고상기제1면과상기제2면을관통하여형성되는공진홀이복수개형성되는제1 및제2 유전체블럭이상기측면들중 하나의측면을접합면으로하여결합하여이루어지는듀플렉서유전체필터가개시된다. 본발명의듀플렉서유전체필터에서, 상기제1 및제2 유전체블럭의상기각 공진홀의내면에는공진홀금속막이형성되어있고, 상기제1면에서상기각 공진홀에형성된상기공진홀금속막에연결되는공진홀금속패턴이복수개형성되어있고, 상기공진홀금속패턴들은서로분리되어있으며, 상기제2면및 상기측면들에는금속막이형성되어있고, 상기제1 및제2 유전체블럭의상기제1면에는송신회로또는수신회로에연결되는입출력전극이각각형성되어있고, 또한안테나에연결되는공통입출력전극이각각형성되어있다. 본발명의듀플렉서유전체필터는송수신필터결합구조를개선함으로써다양한특성을개선한다.
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公开(公告)号:KR1020180080443A
公开(公告)日:2018-07-12
申请号:KR1020170001160
申请日:2017-01-04
Applicant: (주)웨이브텍
CPC classification number: H01P7/04 , H01P1/205 , H01P1/2088
Abstract: 한쪽면이개방되고내부에수용공간을가지는하우징; 상기하우징의개방면을덮는커버; 상기하우징의수용공간내부에수용되는공진소자; 상기커버를관통하여상기공진소자상부에배치되는기본튜닝나사; 및상기하우징의측면벽에수직하게설치되어상기공진소자측면에배치되는하나이상의부가튜닝나사를포함하는주파수튜너블공진기가개시된다. 본발명의주파수튜너블공진기에서, 상기공진소자에대하여상기기본튜닝나사에의하여형성되는등가적기본튜닝캐패시터와상기부가튜닝나사에의하여형성되는등가적부가튜닝캐패시터는병렬로연결된다. 본발명의주파수튜너블공진기는하나의튜닝나사에의하여주파수튜닝을수행하는통상적인공진기에비하여주파수튜닝범위가더욱확장되고또한주파수튜닝을더욱효율적으로수행할수 있게해주는것이다.
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公开(公告)号:KR101803480B1
公开(公告)日:2017-11-30
申请号:KR1020160085931
申请日:2016-07-07
Applicant: (주)웨이브텍
Abstract: 서로대향하는제1면과제2면그리고 4개의측면(제3면, 제4면, 제5면및 제6면)으로이루어진직육면체로형성되고제1 필터영역, 제2 필터영역및 공통입출력전극영역으로구분되며상기제1 및제2 필터영역들각각에서상기제1면과상기제2면을관통하여형성되는복수개의공진홀을가지는유전체블럭을포함하는듀플렉서유전체필터이개시된다. 본발명의듀플렉서유전체필터에서, 상기공통입출력전극영역에는안테나에연결되는공통입출력전극이형성되어있으며, 상기공통입출력전극내부에는상기제1면과상기제2면을관통하여형성되는공통결합공진홀이형성되어있고, 상기공통결합공진홀의내면에는공통결합공진홀금속막이형성되어있으며, 상기공통결합공진홀금속막은상기공통입출력전극및 상기제2면에형성된상기금속막에전기적으로접속함으로써상기공통결합공진홀에의하여공통결합공진기가형성된다. 본발명의듀플렉서유전체필터는송수신필터를공통결합공진기에의하여결합함으로써송수신필터간의결합이용이하고, 결합량조정이용이하며송수신필터간의격리도확보에유리하다.
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公开(公告)号:KR101892081B1
公开(公告)日:2018-08-27
申请号:KR1020170001160
申请日:2017-01-04
Applicant: (주)웨이브텍
Abstract: 한쪽면이개방되고내부에수용공간을가지는하우징; 상기하우징의개방면을덮는커버; 상기하우징의수용공간내부에수용되는공진소자; 상기커버를관통하여상기공진소자상부에배치되는기본튜닝나사; 및상기하우징의측면벽에수직하게설치되어상기공진소자측면에배치되는하나이상의부가튜닝나사를포함하는주파수튜너블공진기가개시된다. 본발명의주파수튜너블공진기에서, 상기공진소자에대하여상기기본튜닝나사에의하여형성되는등가적기본튜닝캐패시터와상기부가튜닝나사에의하여형성되는등가적부가튜닝캐패시터는병렬로연결된다. 본발명의주파수튜너블공진기는하나의튜닝나사에의하여주파수튜닝을수행하는통상적인공진기에비하여주파수튜닝범위가더욱확장되고또한주파수튜닝을더욱효율적으로수행할수 있게해주는것이다.
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