公开(公告)号：KR101834860B1

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：KR1020160134113

申请日：2016-10-17

Applicant: (주)인투칩스

Inventor： 송규상 ,  김수선 ,  백남일 ,  이상복

IPC: H03B5/36

CPC classification number: H03B5/366 ,  H03B5/364 ,  H03B2201/038

Abstract: 본발명은입출력단사이에수정진동자와병렬로연결되고, PMOS와 NMOS로구성되는 CMOS 인버터; 상기 CMOS 인버터의입력단과연결되는제1 커패시터; 상기 CMOS 인버터의출력단과연결되는제2 커패시터; 상기입출력단사이에연결되는궤환저항및 상기 PMOS에전원전압을제공하는전원전압부를포함하고, 상기전원전압부와 PMOS 사이에연결되어전원전압을정전압으로변환하는정전압부및 상기전원전압부와 CMOS 인버터의출력단사이에연결되어 CMOS 인버터의 NMOS 트랜스컨덕턱스를증가시키는스타트-업저항을포함하여, 낮은소비전류로동작하면서고속의스타트-업시간으로동작하는고속스타트-업을갖는저전류수정발진기를개시한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种CMOS反相器，其包括在输入和输出级之间与石英晶体并联连接的PMOS晶体管和NMOS晶体管， 耦合到CMOS反相器的输入的第一电容器; 连接到CMOS反相器的输出端子的第二电容器; 以及电源电压单元，用于向所述PMOS提供电源电压，其中所述恒压单元连接在所述电源电压单元和所述PMOS之间以将所述电源电压转换为恒定电压， 包括电阻，快速启动，而在低电流消耗起动操作被耦合在逆变器输出之间增加了CMOS反相器快速启动的时间操作的NMOS跨导电teokseu - 具有最多低电流的晶体振荡器 它公开了。