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公开(公告)号：KR1020160085617A
公开(公告)日：2016-07-18
申请号：KR1020150002839
申请日：2015-01-08
Applicant: (주)제이스 , 한국산업기술대학교산학협력단
Abstract: 본발명은우수한방열특성을갖는 LED용고방열금속 PCB 기판의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는아노다이징공정을수행하여알루미늄기판, 상기알루미늄기판의전면에형성되는알루미늄산화막, 상기알루미늄산화막상에패터닝된 Ni 시드층, 상기 Ni 시드층상에형성된금속배선을포함하는금속 PCB 기판을제조하는방법에관한것이다. 상기알루미늄기판에아노다이징공정을수행하여제조되는금속 PCB 기판은우수한방열특성을가져 LED에적용될수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有LED散热特性优良的金属印刷电路板（PCB）的制造方法，更具体地说，涉及金属PCB的制造方法，其特征在于，包括：铝基板; 形成在铝基板的前表面上的氧化铝层; 在氧化铝层上图案化的Ni籽晶层; 以及形成在Ni籽晶层上的金属线。 通过在铝基板上进行阳极氧化处理而制造的金属PCB具有优异的散热性，使得金属PCB可以应用于LED。
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公开(公告)号：KR101460749B1
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：KR1020130067122
申请日：2013-06-12
Applicant: (주)제이스
Abstract: 본 발명은 메탈 PCB 기판의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄 기판, 상기 기판 표면에 형성된 알루미늄 산화막, 상기 알루미늄 산화막 상에 패터닝된 Ni 시드층, 및 상기 Ni 시드층 상에 형성된 금속 배선을 포함하는 메탈 PCB 기판을 제조하기 위해 최적화된 아노다이징 공정 및 전해 도금 공정을 수행하는 방법에 관한 것이다.
상기 제조된 메탈 PCB 기판은 고내전압 및 방열 특성을 갖는 고효율 메탈 PCB로서 다양한 전자 제품에 응용될 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造金属PCB的方法，更具体地说，涉及一种用于进行优化的阳极氧化处理和电镀工艺的方法，该方法用于制造包含在该板表面上形成的铝氧化层的金属PCB; 在铝氧化层上图案化的Ni籽晶层; 以及形成在Ni籽晶层上的金属线。 制造的金属PCB是具有高耐压和耐热辐射性能的高效金属PCB，可用于各种电子产品。
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公开(公告)号：KR101235350B1
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020100077153
申请日：2010-08-11
Applicant: (주)제이스
IPC: C25D11/04
Abstract: 본 발명은 금속 모재의 표면 처리 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 알루미늄 또는 이의 합금으로 이루어진 금속 모재를 제1 전해액 내에서 1차 양극 산화 공정을 수행하여 제1 양극 산화 피막을 형성하고, 제2 전해액 내에서 2차 양극 산화 공정을 수행하여 제2 양극 산화 피막을 형성하는 단계를 포함하는 금속 모재의 표면 처리 방법에 관한 것이다.
본 발명은 알루미늄 재질의 금속 모재 표면에 2차에 걸친 양극 산화 공정을 수행하여 양극 산화 피막을 형성하고, 상기 피막의 기공 특성을 제어함에 따라 금속의 내플라즈마성, 내열균열성 및 내부식성을 향상시킨다.-
公开(公告)号：KR1020130005013A
公开(公告)日：2013-01-15
申请号：KR1020110066310
申请日：2011-07-05
Applicant: (주)제이스
Abstract: PURPOSE: A jig for anodizing magnesium or magnesium alloy products is provided to safely fix products in an anodizing process and to prevent damage to products due to overcurrent by forming a tip part with an excellent elastic material. CONSTITUTION: A jig(12) for anodizing magnesium or magnesium alloy products comprises a jig part(12a) and a tip part(12b). A current carrying line connected to an electricity applying device(18) is arranged in the jig part. The tip part is connected to the jig part to hold products to be anodized. The tip part is made of magnesium or magnesium alloy.
Abstract translation: 目的：提供用于阳极氧化镁或镁合金产品的夹具，以安全地将产品固定在阳极氧化工艺中，并通过形成具有优异弹性材料的尖端部分来防止由于过电流而损坏产品。 构成：用于阳极氧化镁或镁合金产品的夹具（12）包括夹具部分（12a）和尖端部分（12b）。 连接到电力施加装置（18）的载流线布置在夹具部分中。 尖端部分连接到夹具部分以保持阳极氧化的产品。 尖端部分由镁或镁合金制成。
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公开(公告)号：KR1020120021616A
公开(公告)日：2012-03-09
申请号：KR1020100077153
申请日：2010-08-11
Applicant: (주)제이스
IPC: C25D11/04
Abstract: PURPOSE: A method for treating surface of metal base material is provided to form an oxide coating through two oxidizing processes on the surface of metal base with aluminum material, and to improve plasma-resistance, crack-resistance and corrosion-resistance according to the control of porous characteristics of the coating. CONSTITUTION: A method for treating surface of metal base material comprises: a step of forming a first positive electrode oxide coating through a first oxidizing process to a metal base material consisting of aluminum or alloy thereof at first electrolyte; and a step of forming a second positive electrode oxide coating through a second oxidizing process at second electrolyte. The first electrolyte is sulfuric acid aqueous solution with the density of 15-18 weight%. In the first positive electrode oxide coating, the voltage of 0.1-100 V is applied, and the first positive electrode oxide coating is conducted at the temperature of 5-100°C for 0.5-5 hours. The second electrolyte is aqueous solution consisting of oxalic acid, citric acid, formic acid and boric acid. In the second positive electrode oxide coating, the voltage of 0.1-100 V is applied, and the second positive electrode oxide coating is conducted at the temperature of 5-100°C for 0.5-5 hours.
Abstract translation: 目的：提供一种处理金属基材表面的方法，通过金属基材表面与铝材料的两个氧化工艺形成氧化物涂层，并根据控制提高耐等离子体性，抗裂性和耐腐蚀性 的多孔特性的涂层。 构成：处理金属基材表面的方法包括：通过第一氧化工艺将第一正极氧化物涂层形成为由铝或其合金在第一电解质构成的金属基材的步骤; 以及通过第二电解质的第二氧化工艺形成第二正极氧化物涂层的步骤。 第一电解质是密度为15-18重量％的硫酸水溶液。 在第一正极氧化物涂层中，施加0.1-100V的电压，并且第一正极氧化物涂层在5-100℃的温度下进行0.5-5小时。 第二电解质是由草酸，柠檬酸，甲酸和硼酸组成的水溶液。 在第二正极氧化物涂层中，施加0.1-100V的电压，第二正极氧化物涂层在5-100℃的温度下进行0.5-5小时。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100941691B1
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020090031136
申请日：2009-04-10
Applicant: (주)제이스
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A photosensitve glass wafer and a method for manufacturing the potosensitve glass wafer and a semiconductor probe chip are provided to solve the stability of a signal and the disconnection of conductive patterns by processing a plating of micro via holes. CONSTITUTION: Substrates are contacted to each other and is stacked to a multilayer. The substrate is comprised of a photosensitive glass forming at least one conductive pattern(111). The via hole(120) is formed on the substrate. The via holes are processed through plating so that the substrates at different layers are connected with each other. The single-side of the conductive pattern is exposed to the outside. A junction of the substrate is formed under 500-650°C.
Abstract translation: 目的：提供光敏玻璃晶片和制造光敏玻璃晶片和半导体探针芯片的方法，以通过处理微通孔的电镀来解决信号的稳定性和导电图案的断开。 构成：基板彼此接触并堆叠成多层。 衬底由形成至少一个导电图案（111）的感光玻璃构成。 通孔（120）形成在基板上。 通孔通过电镀处理，使不同层的基板彼此连接。 导电图案的单面暴露于外部。 在500-650℃下形成基板的接合部。
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公开(公告)号：KR100820744B1
公开(公告)日：2008-04-11
申请号：KR1020070089986
申请日：2007-09-05
Applicant: (주)제이스
CPC classification number: C25D11/20 , C25D11/06 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D5/12 , C25D3/12 , C25D11/04 , C25D21/12
Abstract: A method of coating tungsten on a metal matrix is provided to increase life of the vacuum chamber and reduce the pollution level by improving plasma resistance, heat crack resistance and corrosion resistance of aluminum subsidiary materials of a vacuum chamber and electrodes used in fabrication processes of semiconductors and TFT-LCD, and semiconductor and TFT-LCD parts fabricated by the coating method are provided. A method of coating tungsten on a metal matrix comprises the steps of: performing an anodizing process of a metal matrix comprising aluminum or aluminum alloy to form an anodizing film; carrying out an electroplating process or an electroless plating process on the anodizing film of the metal matrix to form a tungsten coating film; and a heat treatment step, wherein the tungsten electroplating is performed by adjusting a temperature of the aqueous solution to a temperature of 75 to 85 deg.C and applying electricity to the aqueous solution at a current density of 1 to 10 A/dm^2 after preparing an aqueous solution with a pH of 6 to 7 containing 5 to 50 g/L of Na2OWO3.H2O, 10 to 30 g/Lof Na2CO3, 1 to 15 g/L of NH4OH, 1 to 5 g/L of CH2OHCOONa, and 20 to 50 g/L of Na3C6H5O7, and the tungsten electroless plating is conducted by adjusting a temperature of the aqueous solution to a temperature of 80 to 90 deg.C after preparing an aqueous solution with a pH of 8 to 10 containing 10 to 30 g/L of Na2WO4.H2O, 5 to 15 g/L of NiCl2.6H2O, 10 to 30 g/L of NaH2PO2.H2O, 5 to 15 g/L of CH2OHCOONa, 5 to 10 g/L of Na3C6H5O7, 5 to 10 g/L of CH4N2S, 10 to 25 g/L of Na2CO3, and 5 to 15% of NH4NF2.
Abstract translation: 提供了在金属基体上涂覆钨的方法，以提高真空室的使用寿命，并通过提高真空室铝辅助材料的等离子体电阻，耐热裂纹性和耐腐蚀性以及在半导体制造工艺中使用的电极来降低污染水平 和TFT-LCD，以及通过涂布方法制造的半导体和TFT-LCD部件。 在金属基体上涂覆钨的方法包括以下步骤：对包含铝或铝合金的金属基体进行阳极氧化处理以形成阳极氧化膜; 对金属基体的阳极氧化膜进行电镀工艺或化学镀处理，形成钨涂膜; 和热处理步骤，其中通过将水溶液的温度调节至75至85℃的温度并且以1至10A / dm 2的电流密度向水溶液施加电力来进行钨电镀 在制备含有5〜50g / L的Na 2 SO 4·H 2 O，10〜30g / L的Na 2 CO 3，1〜15g / L的NH 4 OH，1〜5g / L的CH 2 OHCOON的pH6〜7的水溶液后， 和20〜50g / L的Na 3 C 6 H 5 O 7，并且在制备pH为8〜10的水溶液后，通过将水溶液的温度调节至80〜90℃的温度进行钨化学镀，其含有10〜 30g / L的Na 2 W 4·4H 2 O，5〜15g / L的NiCl 2·6H 2 O，10〜30g / L的NaH 2 PO 2·H 2 O，5〜15g / L的CH 2 OHCOONa，5〜10g / L的Na 3 C 6 H 5 O 7，5 至10g / L的CH 4 N 2 S，10至25g / L的Na 2 CO 3和5至15％的NH 4 NF 2。
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公开(公告)号：KR100824705B1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020070089995
申请日：2007-09-05
Applicant: (주)제이스
IPC: H01J11/34
Abstract: A plasma display panel and a manufacturing method thereof are provided to decrease a power consumption of the PDP(Plasma Display Panel) by decreasing a width of a barrier rib and a distance between the barrier ribs. A plasma display panel includes a lower panel and an upper panel. An address electrode(102), a lower dielectric layer, barrier ribs(107a,107b,107), and a fluorescent layer are formed on a lower substrate(101) in the lower panel. A display electrode, an upper dielectric layer, and a protective layer are formed on an upper substrate. The lower dielectric and the barrier rib are integrated with each other by using an aluminum oxide. A width of the barrier rib lies between 50 and 200 nm. A distance between the barrier ribs lies between 20 and 100 nm.
Abstract translation: 提供了一种等离子体显示面板及其制造方法，通过减小隔壁的宽度和隔壁之间的距离来降低PDP（等离子显示面板）的功耗。 等离子体显示面板包括下面板和上面板。 在下板的下基板（101）上形成有寻址电极（102），下电介质层，阻挡肋（107a，107b，107）和荧光层。 在上基板上形成显示电极，上电介质层和保护层。 下电介质和隔离肋通过使用氧化铝彼此一体化。 隔壁的宽度在50至200nm之间。 阻挡肋之间的距离在20和100nm之间。
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公开(公告)号：KR101469844B1
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020130060835
申请日：2013-05-29
Applicant: (주)제이스
IPC: C25D21/20
CPC classification number: C25D21/22 , B01D39/14 , C02F1/42 , C02F1/4693 , C25D11/08
Abstract: 본 발명은 아노다이징 공정의 청정생산 시스템 및 이의 구동방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 양극 산화 공정을 수행하기 위한 제1처리조, 상기 제1처리조에서 배출되는 황산 폐수용액을 황산 수용액으로 정제하기 위한 이온교환 장치, 이때 상기 이온교환 장치를 통해 정제된 황산 수용액은 제1처리조로 유입되도록 이온교환 장치와 제1처리조는 배관 연결되고, 제1 수세 처리 공정을 수행하기 위한 제2처리조, 상기 제2처리조에서 배출되는 폐수세수를 황산 수용액으로 농축하기 위한 전기투석 장치, 이때 상기 전기투석 장치를 통해 농축된 황산 수용액은 제1처리조로 유입되도록 전기투석 장치와 제1처리조는 배관 연결되고, 제2 수세 처리 공정을 수행하기 위한 제3처리조, 상기 제3처리조에서 배출되는 폐수세수를 여과하기 위한 나노필터, 이때 � �기 나노필터를 통해 여과된 처리수는 제2처리조 및 제3처리조로 유입되도록 나노필터와 제2처리조 및 제3처리조는 배관 연결된 것을 특징으로 하는 아노다이징 공정의 청정생산 시스템 및 이의 구동방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种阳极氧化清洁生产系统及其操作方法。 更具体地说，本发明涉及一种阳极氧化清洁生产系统，包括：一个配置成进行正极氧化过程的第一处理室; 离子交换装置，被配置为将从所述第一处理室排出的含有硫酸的废水净化为硫酸水溶液，所述离子交换装置通过管连接到所述第一处理室，使得在所述离子交换装置中纯化的硫酸水溶液， 交换装置输入到第一处理室中; 第二处理室，被配置为执行第一水洗过程; 一种电渗析装置，其被配置为将从第二处理室排出的废水浓缩到硫酸水溶液中，电渗析装置通过管道连接到第一处理室，使得浓缩在电渗析装置中的硫酸水溶液在第一处理 室; 第三处理室，被配置为执行第二水洗过程; 以及纳滤器，被配置为过滤从所述第三处理室排出的废水，所述纳滤器通过管连接到所述第二处理室和所述第三处理室，使得在所述纳滤器中过滤的处理水被输入到所述第二处理室中，并且所述第三处理 室; 及其操作方法。
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