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公开(公告)号：KR1020160043820A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138523
申请日：2014-10-14
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/24 , H05H1/46
Abstract: 본발명은플라즈마처리장치에관한것으로서, 더욱상세하게는플라즈마챔버에구비되는오링의손상을최소화하는플라즈마처리장치에관한것이다. 본발명에의하면, 내부에플라즈마가형성되는공간을제공하고제1 단부에형성된제1 개방부를구비하는챔버부재; 상기챔버부재의외주면으로부터바깥으로연장되고상기제1 단부쪽을향하는제1 접촉면; 상기제1 개방부를폐쇄하도록상기챔버부재에결합되고, 상기제1 개방부를막는제1 덮개판부와, 상기제1 덮개판부로부터돌출되어서상기챔버부재의외주면을외부에서감싸고그 내면에끝단으로갈수록상기챔버부재의외주면으로부터더 멀어지도록경사진부분이형성된제1 측벽부를구비하는제1 커버부재; 상기챔버부재의외주면, 상기제1 접촉면및 상기제1 측벽부의내면에서경사진부분과밀착하는제1 오링부재; 및상기제1 측벽부의내면, 상기챔버부재의외주면및 상기제1 오링부재의외주면이연결되어서형성된공간을채우는제1 충전부재를포함하는플라즈마처리장치가제공된다.
Abstract translation: 等离子体处理装置技术领域本发明涉及等离子体处理装置，更具体地说，涉及能够使对等离子体室内的O型圈的损伤最小化的等离子体处理装置。 根据本发明的等离子体处理装置包括在其中形成有产生等离子体的空间的室构件，其第一端处设置有第一开口部; 第一接触表面，其从所述室构件的外周表面向外延伸并且朝向所述第一端; 耦合到所述室构件以封闭所述第一开口部并且包括用于封闭所述第一开口部的第一盖板部和从所述第一盖板部突出以围绕所述室构件的外周面的第一侧壁部的第一盖构件 从外部形成有在倾斜部的端部的方向上逐渐远离室部件的外周面的倾斜部， 第一O形环构件，紧密地附着在腔室构件的外周面处的倾斜部分，第一接触表面和第一侧壁部分的内表面; 以及第一填充构件，用于填充彼此连接的由第一侧壁部分的内表面，腔室构件的外周表面和第一O形环构件的外周表面限定的空间。
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公开(公告)号：KR1020140122536A
公开(公告)日：2014-10-20
申请号：KR1020130039338
申请日：2013-04-10
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32192 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及将半导体工艺的副产物加工成等离子体型自由基的等离子体反应器。 等离子体反应器（100）包括：圆柱体部分（110）; 圆柱形电介质物质（120），其包括在所述圆筒体部分（110）的内部，并且具有比所述圆柱体部分（110）高的长度; O形环（130），其安装成接触所述圆柱形电介质物质（120）的外部并安装在所述圆柱形主体部分（110）的上部; 以及包括在圆柱形主体部分（110）和圆柱形介电物质（120）中并且防止在圆柱形介电物质（120）中产生的自由基的帽部分（140）被泄漏到圆柱形介质 介电物质（120）。 在所提供的等离子体反应器中，O形环（130）沉积在由圆柱形电介质物质（120），圆柱形主体部分（110）和帽部分（140）形成的三角形空间中。
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公开(公告)号：KR101455159B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020130039338
申请日：2013-04-10
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Abstract: 반도체 공정 부산물을 플라즈마화된 라디칼로 처리하는 플라즈마 반응기로서, 상기 플라즈마 반응기(100)는, 원통형 바디부(110); 상기 원통형 바디부(110) 내측에 구비되며, 상기 원통형 바디부(110)보다 높은 길이를 갖는 원통형 유전체(120); 상기 원통형 유전체(120)의 외측면과 접촉하여 구비되며, 상기 원통형 바디부(110) 상부에 구비되는 오-링(130);상기 원통형 바디부(110) 및 상기 원통형 유전체(120)에 구비되어, 상기 원통형 유전체(120) 내부에서 발생하는 래디칼이 상기 원통형 유전체(120) 외부로 유출되는 것을 방지하는 캡부(140)를 포함하며, 여기에서 상기 오링(130)은 상기 원통형 유전체(120), 상기 원통형 바디부(110) 및 상기 캡부(140)에 의하여 형성되는 삼각형 공간 내에 안착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 반응기가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101717847B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020150104120
申请日：2015-07-23
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Abstract: 공정챔버로부터발생한배기가스를처리하기위하여상기공정챔버의배기라인과연결되어플라즈마반응이발생하는반응기및 상기반응기로처리가스를공급하기위한처리가스유입라인을플라즈마가스스크러버운전방법으로, 상기공정챔버의운전시작전 0.5 내지 1.5초전 플라즈마를생성시키는단계; 및상기공정챔버의운전시작과동시또는이후상기플라즈마가스스크러버의반응기로처리가스를유입시키는단계를포함하는것을특징으로하는플라즈마가스스크러버운전방법이제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170011462A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150104120
申请日：2015-07-23
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Abstract: 공정챔버로부터발생한배기가스를처리하기위하여상기공정챔버의배기라인과연결되어플라즈마반응이발생하는반응기및 상기반응기로처리가스를공급하기위한처리가스유입라인을플라즈마가스스크러버운전방법으로, 상기공정챔버의운전시작전 0.5 내지 1.5초전 플라즈마를생성시키는단계; 및상기공정챔버의운전시작과동시또는이후상기플라즈마가스스크러버의반응기로처리가스를유입시키는단계를포함하는것을특징으로하는플라즈마가스스크러버운전방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR101645813B1
公开(公告)日：2016-08-05
申请号：KR1020140138523
申请日：2014-10-14
Applicant: (주)트리플코어스코리아
Abstract: 본발명은플라즈마처리장치에관한것으로서, 더욱상세하게는플라즈마챔버에구비되는오링의손상을최소화하는플라즈마처리장치에관한것이다. 본발명에의하면, 내부에플라즈마가형성되는공간을제공하고제1 단부에형성된제1 개방부를구비하는챔버부재; 상기챔버부재의외주면으로부터바깥으로연장되고상기제1 단부쪽을향하는제1 접촉면; 상기제1 개방부를폐쇄하도록상기챔버부재에결합되고, 상기제1 개방부를막는제1 덮개판부와, 상기제1 덮개판부로부터돌출되어서상기챔버부재의외주면을외부에서감싸고그 내면에끝단으로갈수록상기챔버부재의외주면으로부터더 멀어지도록경사진부분이형성된제1 측벽부를구비하는제1 커버부재; 상기챔버부재의외주면, 상기제1 접촉면및 상기제1 측벽부의내면에서경사진부분과밀착하는제1 오링부재; 및상기제1 측벽부의내면, 상기챔버부재의외주면및 상기제1 오링부재의외주면이연결되어서형성된공간을채우는제1 충전부재를포함하는플라즈마처리장치가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160043821A
公开(公告)日：2016-04-22
申请号：KR1020140138524
申请日：2014-10-14
Applicant: (주)트리플코어스코리아
CPC classification number: H01J23/20 , H01J25/50 , H01J2223/18 , H01J2225/50
Abstract: 본발명은효율저하, 과열등의문제없이용량을임의조정할수 있도록하는가변용량마그네트론에관한것으로, 상기가변용량마그네트론은양극바디; 상기양극바디의내부에위치되어, 상기양극바디와함께양극부를구성하는복수개의배인; 상기양극바디의축상에위치하여상기배인의선단면과일정한작용공간을형성하며열전자를방출하는필라멘트; 상기양극바디의내부에위치되어, 상기작용공간에자속을형성시키는상부영구자석과하부영구자석; 및상기양극바디의외부에위치되어, 상기작용공간에형성되는자속을증가시키기위한보조자석을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可变容量的磁控管，其容量可根据需要无问题地控制，例如效率降低，过热等。 可变容量磁控管可以包括：正极截面; 多个叶片，位于正极本体的内侧，与正极本体一起构成正极单元; 位于正极体的轴线上的长丝相对于叶片的前表面形成预定的动作空间，并且发射热量; 位于所述阳极体内的上永磁体和下永磁体，并在所述活动空间内产生磁通量; 以及辅助磁体，其位于阳极体的外部并增加在激活空间中形成的磁通量。
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公开(公告)号：KR101609474B1
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020140138522
申请日：2014-10-14
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01L21/02046 , H01L21/67034
Abstract: 화학기상증착장치가스처리시스템으로, 화학기상증착장치의공정챔버(110); 상기공정챔버(110) 후단에연결된플라즈마진공스크러버(120); 상기플라즈마진공스크러버(120)의후단에연결된펌프(130); 및상기펌프(130) 후단에연결된습식스크러버(140)를포함하며, 상기플라즈마진공스크러버(120)는상기공정챔버(110)로부터유입되는배기가스가세정가스인경우에만상기배기가스를플라즈마처리하는것을특징으로하는화학기상증착장치가스처리시스템이제공된다.
Abstract translation: 本发明公开了一种处理来自化学气相沉积设备的气体的系统，包括：化学气相沉积设备的处理室（110）; 连接到处理室（110）的后端的等离子体真空洗涤器（120）; 连接到真空等离子体洗涤器（120）的后端的泵（130）; 以及连接到所述泵（130）的后端的湿式洗涤器（140）。 当从处理室（110）引入的排气是清洁气体时，等离子体真空洗涤器（120）对废气进行等离子体处理。 根据本发明，可以根据化学气相沉积设备的室的环境使湿式洗涤器的效率最大化。
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公开(公告)号：KR101427720B1
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020130032748
申请日：2013-03-27
Applicant: (주)트리플코어스코리아
IPC: H01P3/123
CPC classification number: H01J37/32229 , H01P5/024 , H03H7/38 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: Provided is a plasma wave guide duct in which magnetrons and microwaves oscillated from the magnetrons move, including: a plurality of step parts which are formed at one side of the inner surface of the wave guide duct; and a block part which is formed at the other side of the inner surface of the wave guide duct and has a certain height. The block part is formed at the opposite side to the boundaries between the step parts. In the present invention, the step parts of which the heights decrease at a certain rate are formed on the wave guide, and the block part having the certain height is prepared on the opposite inner surface of the wave guide duct to the step parts of the wave guide duct. Therefore, the problem of a three-stub system penetrating the wave guide duct, that microwaves leak to the outside and the external system damage problem due to the microwaves heading to the outside can be effectively resolved. Furthermore, since the block part which has the certain height and is prepared on the inner surface of the wave guide duct is placed on the opposite surface to the step parts, the concentration of the microwaves within the wave guide duct of which the height decreases in the progress direction of the microwaves can be maximized.
Abstract translation: 提供了一种等离子体波导管，其中磁控管和微波从磁控管移动，包括：多个台阶部分，其形成在波导管的内表面的一侧; 以及形成在所述波导管的内表面的另一侧并具有一定高度的块部。 块部分形成在台阶部分之间的边界的相对侧。 在本发明中，在波导上形成高度以一定速率降低的阶梯部分，并且具有一定高度的块部件准备在波导管的相对的内表面上， 波导管。 因此，可以有效地解决微波穿透波导管的问题，微波泄漏到外部，并且由于微波往外部的外部系统损坏问题。 此外，由于具有一定高度并且准备在波导管的内表面上的块部被放置在与台阶部分相反的表面上，所以波导管内的微波的浓度在高度下降 微波的进步方向可以最大化。
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