公开(公告)号：CN105981138A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201580008260.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 栗田恭三

IPC: H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  C09J7/02 ,  C09J133/20

CPC classification number: B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/306 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B2250/24 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/14 ,  C08L33/10 ,  C08L2312/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J7/385 ,  C09J133/18 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2407/00 ,  C09J2421/00 ,  C09J2423/006 ,  C09J2423/046 ,  C09J2433/00 ,  C09J2467/006 ,  C09J2483/00

Abstract: 半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上。粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。

公开(公告)号：CN110431205B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201880019582.4

申请日：2018-03-28

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 池沼广树 ,  栗田恭三

IPC: C09J7/20 ,  B32B27/00 ,  C09J7/22 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的粘着性层叠膜(50)是用于保护氧化铟锡(ITO)膜的表面的粘着性层叠膜，其具备基材层(10)以及设置于基材层(10)的一面的粘着性树脂层(20)。而且，在本发明的粘着性层叠膜(50)中，P1/P0为1.0以上25以下，P0[N/25mm]表示蒸镀于基材膜的ITO膜与粘着性树脂层(20)之间的剥离强度，P1[N/25mm]表示以粘着性树脂层(20)与蒸镀于基材膜的ITO膜相接触的方式将粘着性层叠膜(50)粘贴于ITO膜，接着将所得的结构体在150℃加热处理60分钟之后的ITO膜与粘着性树脂层(20)之间的剥离强度。

公开(公告)号：CN110431205A

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201880019582.4

申请日：2018-03-28

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 池沼广树 ,  栗田恭三

IPC: C09J7/20 ,  B32B27/00 ,  C09J7/22 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的粘着性层叠膜(50)是用于保护氧化铟锡(ITO)膜的表面的粘着性层叠膜，其具备基材层(10)以及设置于基材层(10)的一面的粘着性树脂层(20)。而且，在本发明的粘着性层叠膜(50)中，P1/P0为1.0以上25以下，P0[N/25mm]表示蒸镀于基材膜的ITO膜与粘着性树脂层(20)之间的剥离强度，P1[N/25mm]表示以粘着性树脂层(20)与蒸镀于基材膜的ITO膜相接触的方式将粘着性层叠膜(50)粘贴于ITO膜，接着将所得的结构体在150℃加热处理60分钟之后的ITO膜与粘着性树脂层(20)之间的剥离强度。

公开(公告)号：CN105981138B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201580008260.6

申请日：2015-02-12

Applicant: 三井化学东赛璐株式会社

Inventor： 栗田恭三

IPC: H01L21/304 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  C08L33/10 ,  C09J7/20 ,  C09J7/38 ,  C09J133/18

Abstract: 半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上。粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。