公开(公告)号：CN106158928B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201510133571.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山口隆志

IPC: H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括衬底，所述衬底的表面层中形成有结晶缺陷；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述结晶缺陷中的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。

公开(公告)号：CN105895707A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201510036944.9

申请日：2015-01-26

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山口隆志

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；形成在所述衬底中的P-N结；形成在所述衬底表面的电极；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述衬底与所述电极接触的区域、以及所述P-N结的结区的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。

公开(公告)号：CN105895707B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201510036944.9

申请日：2015-01-26

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山口隆志

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：衬底；形成在所述衬底中的P‑N结；形成在所述衬底表面的电极；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述衬底与所述电极接触的区域、以及所述P‑N结的结区的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。

公开(公告)号：CN106158928A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510133571.7

申请日：2015-03-25

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 山口隆志

IPC: H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L21/268 ,  H01L21/22 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括衬底，所述衬底的表面层中形成有结晶缺陷；其中，所述衬底中导入有重金属原子，并且，所述结晶缺陷中的所述重金属原子的浓度高于所述衬底中其它区域的所述重金属原子的浓度。根据本发明实施例，能够形成具有高开关速度和低正向电压Vf的半导体装置。