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公开(公告)号：CN102244174A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110108640.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
Abstract: 在半导体发光功能层的一个面形成2个电极的结构的发光元件中，在长度方向上获得均匀的发光强度。半导体发光功能层(20)形成在Si基板(11)上，具有由n型GaN层(第1半导体层)(21)、MQW层(22)和p型GaN层(第2半导体层)(23)构成的层叠结构。在p型GaN层(23)的表面(一个主面)，以从另一个端部(左端部)侧向右端部侧延伸的形态形成有透明电极(31)。在该右端部侧的区域内形成有n侧电极(34)，在左端部侧的区域内形成有p侧电极(33)。透明电极(31)的宽度从左端部向右端部变宽。由此，在接近p侧电极(33)的侧在MQW层(22)内朝上下方向流动的电流的扩展受到透明电极(31)限制。
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公开(公告)号：CN102790070B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210154027.7
申请日：2012-05-17
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其具备LED和保护二极管形成于同一衬底上，且适于倒装芯片安装的构成。作为解决手段，在LED区域（X）形成LED，在保护二极管区域（Y）形成保护二极管。此时，LED阳极（51a）和保护二极管阴极（52b）、LED阴极（52a）和保护二极管阳极（51b）夹着分离槽（Z）分别相对。在P侧电极（51）和n侧电极（52）的厚度同等的情况下，LED区域（X）的LED阳极（51a）、LED阴极（52a）、保护二极管区域（Y）的保护二极管阳极（51b）、保护二极管阴极（52b）的高度相等。
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公开(公告)号：CN102790070A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210154027.7
申请日：2012-05-17
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其具备LED和保护二极管形成于同一衬底上，且适于倒装芯片安装的构成。作为解决手段，在LED区域（X）形成LED，在保护二极管区域（Y）形成保护二极管。此时，LED阳极（51a）和保护二极管阴极（52b）、LED阴极（52a）和保护二极管阳极（51b）夹着分离槽（Z）分别相对。在P侧电极（51）和n侧电极（52）的厚度同等的情况下，LED区域（X）的LED阳极（51a）、LED阴极（52a）、保护二极管区域（Y）的保护二极管阳极（51b）、保护二极管阴极（52b）的高度相等。
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公开(公告)号：CN103730478B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310464248.9
申请日：2013-10-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其将半导体发光元件及其驱动装置配置在同一半导体基板上、且抑制了驱动装置中的错误动作的产生。该半导体发光装置具有：半导体基板，其在主面上定义了发光区域和驱动装置区域；层叠体，其在半导体基板的主面上从发光区域连续地配置到驱动装置区域，且具有依次层叠由外延生长的氮化物半导体构成的n型半导体层、有源层和p型半导体层而成的结构；配置在层叠体上的层间绝缘膜；控制晶体管，其经由层叠体的至少一部分和层间绝缘膜配置在驱动装置区域的上方，控制层叠体中的发光；以及遮光膜，其在层间绝缘膜内配置在控制晶体管与层叠体之间。
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公开(公告)号：CN102738343B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201210074692.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
Abstract: 在半导体发光功能层的一个面上形成2个电极的结构的发光元件中，得到高发光效率，并且在面内得到均匀的发光强度。在发光元件(10)中，(1)n侧触点开口(第1开口部)(42)和p侧触点开口(第2开口部)(41)分别沿着与矩形中对置的2边(上边、下边)平行延伸的2条直线形成，(2)在这2条直线之间，形成多个沿与这2条直线垂直的方向延伸的透明电极(30)之间的空隙(透明电极开口部(31))，由此，进行电流的均匀化而不增加遮光面积，实现了发光的均匀化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103730478A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310464248.9
申请日：2013-10-08
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
IPC: H01L27/15
Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其将半导体发光元件及其驱动装置配置在同一半导体基板上、且抑制了驱动装置中的错误动作的产生。该半导体发光装置具有：半导体基板，其在主面上定义了发光区域和驱动装置区域；层叠体，其在半导体基板的主面上从发光区域连续地配置到驱动装置区域，且具有依次层叠由外延生长的氮化物半导体构成的n型半导体层、有源层和p型半导体层而成的结构；配置在层叠体上的层间绝缘膜；控制晶体管，其经由层叠体的至少一部分和层间绝缘膜配置在驱动装置区域的上方，控制层叠体中的发光；以及遮光膜，其在层间绝缘膜内配置在控制晶体管与层叠体之间。
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公开(公告)号：CN102456796B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110404299.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
Abstract: 本发明的半导体发光装置包括由n型半导体层、有源层和p型半导体层依次层叠而成的层叠体，配置在p型半导体层上的透明电极，配置在透明电极上的电极绝缘膜，配置在电极绝缘膜上且通过贯穿电极绝缘膜、透明电极、p型半导体层和有源层而设置的n侧开口部连接n型半导体层的n侧电极，在电极绝缘膜上与n侧电极隔开配置且通过设置在电极绝缘膜上的条状p侧开口部连接透明电极的p侧电极，以及在电极绝缘膜内部或在透明电极与电极绝缘膜之间、与层叠体的上表面相对地配置且将从有源层出射的光反射的反射层。
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公开(公告)号：CN102738343A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210074692.5
申请日：2012-03-20
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
Abstract: 在半导体发光功能层的一个面上形成2个电极的结构的发光元件中，得到高发光效率，并且在面内得到均匀的发光强度。在发光元件(10)中，(1)n侧触点开口(第1开口部)(42)和p侧触点开口(第2开口部)(41)分别沿着与矩形中对置的2边(上边、下边)平行延伸的2条直线形成，(2)在这2条直线之间，形成多个沿与这2条直线垂直的方向延伸的透明电极(30)之间的空隙(透明电极开口部(31))，由此，进行电流的均匀化而不增加遮光面积，实现了发光的均匀化。
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公开(公告)号：CN102456796A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110404299.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
Abstract: 本发明的半导体发光装置包括由n型半导体层、有源层和p型半导体层依次层叠而成的层叠体，配置在p型半导体层上的透明电极，配置在透明电极上的电极绝缘膜，配置在电极绝缘膜上且通过贯穿电极绝缘膜、透明电极、p型半导体层和有源层而设置的n侧开口部连接n型半导体层的n侧电极，在电极绝缘膜上与n侧电极隔开配置且通过设置在电极绝缘膜上的条状p侧开口部连接透明电极的p侧电极，以及在电极绝缘膜内部或在透明电极与电极绝缘膜之间、与层叠体的上表面相对地配置且将从有源层出射的光反射的反射层。
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公开(公告)号：CN102163671A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110028318.7
申请日：2011-01-26
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 杉森畅尚
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2924/12041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供光半导体装置及其制造方法、光半导体模块，由此去除由来自发光二极管的发光对保护用二极管产生的不良影响。在硅基板(11)上的左侧上形成有构成发光二极管的GaN层(第1半导体层)(12)。在硅基板(生长基板)(11)上的右侧上经由绝缘层(硅氧化膜层)(13)形成有多晶硅层(第2半导体层)(14)。从GaN层(12)的上面发出的光通过透明电极(15)，从未形成发光二极管电极(17)的部位发出到外部。保护用二极管(18)以覆盖形成有保护用二极管的多晶硅层(14)的上面和侧面的形式形成，因而该光由保护用二极管电极(18)遮蔽，不入射到多晶硅层(14)。
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