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公开(公告)号：CN117080218A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210501624.6
申请日：2022-05-10
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 石井孝明
IPC: H01L27/06
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体装置、制造方法以及电子设备。所述半导体装置形成于半导体基板，具有：有源区域，其设置有开关元件，开关元件具有与高压电路电连接的第一电极和与低压电路电连接的第二电极；二极管区域，其设置有二极管，二极管区域具有分别与第一电极和第二电极连接的第一端和第二端；以及配线，其连接第二电极与第二端；所述第二电极包括多晶硅，所述第二电极的电阻值小于所述二极管被击穿时所述二极管区域的电阻值。通过使与低压侧连接的第二电极的电阻值小于二极管被击穿时的二极管区域的电阻值，能够抑制第二电极的输入信号的降低，从而减小输入信号的传递偏差，进而减小在开关元件的面内的发射极电流密度的偏差。
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