公开(公告)号：CN1260796C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200310124073.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银圣 ,  高秉天 ,  文彰烈 ,  全国镇

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  B23K31/00 ,  B81B3/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2203/035 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种倒装芯片半导体器件的侧面焊接方法，其中可以获得稳固的焊接并对表面粗糙度不敏感，该方法包括：在其上形成有半导体器件的下衬底的焊接线上形成UBM，在位于下衬底上的UBM上镀敷焊料，在上衬底中形成沟槽以在相应于焊料的位置的位置上与下衬底接触并在沟槽中形成第二UBM，通过在沟槽中嵌入焊料把上衬底和下衬底结合到一起，和在比焊料熔点高的温度下加热上衬底和下衬底使朝向沟槽侧面润湿焊料以把上衬底和下衬底焊接到一起。本发明还公开一种MEMS器件封装件和采用该侧面焊接方法的封装方法。其中该焊接线形成为围绕在该下衬底上形成的所述半导体器件。

公开(公告)号：CN1507023A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310124073.3

申请日：2003-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李银圣 ,  高秉天 ,  文彰烈 ,  全国镇

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  B23K31/00 ,  B81B3/00 ,  B81B5/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2203/035 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种倒装芯片半导体器件的侧面焊接方法，其中可以获得稳固的焊接并对表面粗糙度不敏感，该方法包括：在其上形成有半导体器件的下衬底的焊接线上形成UBM，在位于下衬底上的UBM上镀敷焊料，在上衬底中形成沟槽以在相应于焊料的位置的位置上与下衬底接触并在沟槽中形成第二UBM，通过在沟槽中嵌入焊料把上衬底和下衬底结合到一起，和在比焊料熔点高的温度下加热上衬底和下衬底使朝向沟槽侧面润湿焊料以把上衬底和下衬底焊接到一起。本发明还公开一种MEMS器件封装件和采用该侧面焊接方法的封装方法。