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公开(公告)号：CN113497053A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110056565.1
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 三维半导体存储器件可以包括：水平结构，可以位于衬底的上表面上，并且可以包括顺序堆叠在所述衬底的所述上表面上的第一水平图案和第二水平图案；堆叠结构，包括堆叠在所述水平结构上的电极；垂直图案，延伸穿过所述电极并且连接到所述第一水平图案；和分隔结构，与所述堆叠结构和所述水平结构相交并且突出到所述衬底的所述上表面中。最下面的电极可以具有彼此面对的第一内侧壁，所述分隔结构介于所述第一内侧壁之间。所述第二水平图案可以具有彼此面对的第二内侧壁，所述分隔结构介于所述第二内侧壁之间。所述第一内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离可以小于所述第二内侧壁之间的在所述第一方向上的最大距离。
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