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公开(公告)号：CN109901665B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201811388365.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/08
Abstract: 一种用于调整时钟频率的存储系统，该存储系统包括逻辑电路和锁相环(PLL)电路。逻辑电路使用第一信号确定第一时钟的第一频率并且生成用于调整第一时钟的第一频率的第二信号。锁相环电路接收第二时钟并且使用第二时钟和第二信号生成具有由逻辑电路确定的第一频率的第一时钟。当第二时钟的第二频率变化时，逻辑电路确定第一时钟的第一频率，使得由锁相环电路生成的第一时钟的第一频率基本不变化，并且基于具有由第二信号调整的第一频率的第一时钟运行。
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公开(公告)号：CN109256172B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810763620.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器设备包括输出引脚、模式寄存器、信号生成器，被配置为响应于来自模式寄存器的第一和第二控制信号生成包括随机数据样式和保持数据样式中的一个的检测时钟输出信号，并通过输出引脚输出检测时钟输出信号。随机数据样式包括由存储器设备生成的伪随机数据。保持数据样式是预先存储在存储器设备中的固定样式。检测时钟输出信号被用于时钟和数据恢复操作。
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公开(公告)号：CN109901665A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811388365.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F1/08
Abstract: 一种用于调整时钟频率的存储系统，该存储系统包括逻辑电路和锁相环(PLL)电路。逻辑电路使用第一信号确定第一时钟的第一频率并且生成用于调整第一时钟的第一频率的第二信号。锁相环电路接收第二时钟并且使用第二时钟和第二信号生成具有由逻辑电路确定的第一频率的第一时钟。当第二时钟的第二频率变化时，逻辑电路确定第一时钟的第一频率，使得由锁相环电路生成的第一时钟的第一频率基本不变化，并且基于具有由第二信号调整的第一频率的第一时钟运行。
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公开(公告)号：CN110010171B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201811471990.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种存储设备执行包括多个循环操作的第一训练以对准从存储器控制器接收的主时钟信号和数据时钟信号。一种操作存储设备的方法包括生成指示基于主时钟信号与数据时钟信号的频率比而设置的分割比的分割比信息，并将分割比信息发送到存储器控制器以执行第一训练。第一循环操作包括：从存储器控制器接收基于分割比信息生成的第一相位控制信息；基于分割比分割数据时钟信号以生成分割数据时钟信号；基于第一相位控制信息从多个相位中选择第一相位；生成从分割数据时钟信号移位了第一相位的第一比较目标时钟信号；将第一比较目标时钟信号的相位与主时钟信号的相位进行比较；以及将第一相位比较结果发送到存储器控制器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103544984A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310290656.7
申请日：2013-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G11C5/025 , G11C5/04 , G11C7/1009 , G11C7/1054 , G11C7/1057 , G11C7/1081 , G11C7/222 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/5607 , G11C13/047 , G11C29/022 , G11C29/028 , G11C29/50008
Abstract: 公开了一种诸如磁性随机存取存储器（MRAM）的磁性存储设备，及在其上安装了磁性存储设备的存储模块和存储系统。MRAM包括：磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及提供各种接口功能的接口单元。存储模块包括模块板和安装在模块板上的至少一个MRAM芯片，并且进一步包括管理至少一个MRAM芯片的操作的缓冲器芯片。存储系统包括MRAM和与MRAM通信的存储控制器，并且通过使用连接在MRAM和存储控制器之间的光链路，可以通信电向光转换信号或光向电转换信号。
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公开(公告)号：CN103456356A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310215130.2
申请日：2013-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/1653 , G11C7/12 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/1697
Abstract: 本发明公开了半导体存储器装置和相关的操作方法。一种半导体存储器装置包括单元阵列，该单元阵列包括一个或多个存储体组，其中，该一个或多个存储体组的每一个包括多个存储体，并且该多个存储体的每一个包括多个自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)单元。该半导体存储器装置进一步包括：源极电压生成部件，用于向连接到该多个STT-MRAM单元的该每一个的源极线施加电压；以及命令解码器，用于解码来自外部来源的命令，以便对于该多个STT-MRAM单元执行读取和写入操作。该命令包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)、芯片选择信号(CS)、写入启用信号(WE)和时钟启用信号(CKE)中的至少一个信号的组合。
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公开(公告)号：CN103426461A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310185288.X
申请日：2013-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/165 , G06F12/0246 , G11C11/161 , G11C11/1653 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 公开了一种磁性随机存取存储器（MRAM）、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
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公开(公告)号：CN114974348A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210159293.2
申请日：2022-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 提供了存储装置及存储装置的操作方法。操作方法包括：从存储控制器接收激活‑刷新命令；从激活‑刷新命令解码目标地址和内部命令；以及基于内部命令针对目标地址执行激活操作，并且对目标地址不属于的至少一个块执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN110010171A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811471990.1
申请日：2018-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/22
Abstract: 一种存储设备执行包括多个循环操作的第一训练以对准从存储器控制器接收的主时钟信号和数据时钟信号。一种操作存储设备的方法包括生成指示基于主时钟信号与数据时钟信号的频率比而设置的分割比的分割比信息，并将分割比信息发送到存储器控制器以执行第一训练。第一循环操作包括：从存储器控制器接收基于分割比信息生成的第一相位控制信息；基于分割比分割数据时钟信号以生成分割数据时钟信号；基于第一相位控制信息从多个相位中选择第一相位；生成从分割数据时钟信号移位了第一相位的第一比较目标时钟信号；将第一比较目标时钟信号的相位与主时钟信号的相位进行比较；以及将第一相位比较结果发送到存储器控制器。
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