公开(公告)号：CN110752212B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H10B10/00

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110310986B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN106601666B

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN106601666A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610893808.6

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张锺光 ,  吴怜默 ,  安学润 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  成百民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295 ,  H01L2029/7858 ,  H01L21/823475

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：栅极结构，在基底上；源极/漏极层，在基底的与栅极结构相邻的部分上；第一接触塞，接触源极/漏极层的上表面；第二接触塞，接触栅极结构和第一接触塞的上表面。第二接触塞的底表面具有不接触第一接触塞的上表面的第一部，第一部高于栅极结构的上表面。

公开(公告)号：CN109801971B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201811345083.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄寅灿 ,  申宪宗 ,  郑圣宪 ,  李斗铉 ,  全辉璨 ,  安学润

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN109801971A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811345083.2

申请日：2018-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄寅灿 ,  申宪宗 ,  郑圣宪 ,  李斗铉 ,  全辉璨 ,  安学润

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：基板，包括第一有源图案，第一有源图案从基板的顶表面垂直地突出；第一源极/漏极图案，填充形成在第一有源图案的上部分中的第一凹陷；第一金属硅化物层，在第一源极/漏极图案上，第一金属硅化物层包括位于第一源极/漏极图案的第一表面上的第一部分和第二部分；以及第一接触，与第一金属硅化物层的第二部分接触。第一部分的厚度可以不同于第二部分的厚度。

公开(公告)号：CN110752212A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110310986A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN110085586A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910067000.6

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  李相贤 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。