公开(公告)号：CN114242739A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111048596.9

申请日：2021-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林杠默 ,  金大训 ,  金昇埴 ,  宋智娟 ,  全在勋 ,  赵东锡

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369

Abstract: 一种图像传感器包括多个单位像素，每个单位像素包括：基板，包括彼此相对的第一侧和第二侧；在基板中的光电转换层；以及在基板的第一侧上的布线结构。布线结构可以包括：第一电容器；与第一电容器间隔开的第二电容器；沿着单位像素的边缘布置的多个边缘通路；以及插设在第一电容器和第二电容器之间的多个中心通路。

公开(公告)号：CN116055906A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202211319784.5

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金石山 ,  徐珉雄 ,  宋智娟 ,  郑絃溶 ,  M.L.朱

IPC: H04N25/59 ,  H04N25/46

Abstract: 一种单位像素包括第一光电转换单元和第二光电转换单元、设置在第一光电转换单元和第一节点之间的第一转移晶体管、通过第一开关晶体管连接到第一节点的第一电容器、以及设置在第二光电转换单元和第一节点之间的第二转移晶体管。包括第一电压电平的信号在第一时间间隔期间被施加到第一转移晶体管和第二转移晶体管，包括第二电压电平的信号在第二时间间隔期间被施加到第一转移晶体管、第二转移晶体管和第一开关晶体管，包括第三电压电平的信号在第三时间间隔期间被施加到第一转移晶体管，包括第一电压电平的信号在第四时间间隔期间被施加到第二转移晶体管和第一开关晶体管。

公开(公告)号：CN115988346A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211261665.9

申请日：2022-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  秋明来 ,  金石山 ,  徐珉雄 ,  宋智娟 ,  郑絃溶

IPC: H04N25/46 ,  H04N25/57

Abstract: 一种图像传感器，包括：像素阵列，多个像素被布置在像素阵列中。多个像素中的每一个包括灵敏度基于外部电压来调整的有机光电二极管、硅光电二极管、第一浮动扩散节点、第二浮动扩散节点、转换增益晶体管和驱动晶体管。由硅光电二极管生成的电荷在第一浮动扩散节点中累积。由有机光电二极管生成的电荷在第二浮动扩散节点中累积。转换增益晶体管的一端连接到第一浮动扩散节点，并且另一端连接到第二浮动扩散节点。驱动晶体管被配置为生成与第一浮动扩散节点的电压对应的像素信号。

公开(公告)号：CN114823753A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210037334.0

申请日：2022-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋智娟 ,  白寅圭 ,  金大训 ,  金昇埴

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：具有第一表面和第二表面的半导体基板；在第一表面上的晶体管；第一下焊盘电极和第二下焊盘电极，在覆盖晶体管的第一层间绝缘膜上彼此间隔开；在第一下焊盘电极和第二下焊盘电极上的模制绝缘层；第一下电极，在穿过模制绝缘层的第一开口内部在第一下焊盘电极上；第二下电极，在穿过模制绝缘层的第二开口内部在第二下焊盘电极上；电介质膜和上电极，在第一下电极和第二下电极上；第一接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第一下焊盘电极；以及第二接触插塞，穿过模制绝缘层并且连接到第二下焊盘电极。