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公开(公告)号：CN109508467A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN119720914A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411239261.9
申请日：2024-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , G06F30/398 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 提供一种预测半导体布局内的潜在缺陷诱发因素的计算设备。所述计算设备包括：机器学习模块，其计算对应于在基于多个半导体布局图像及对应实际测量数据经训练之后的所述多个半导体布局图像当中的至少一个第一半导体布局图像的预测测量数据，及图像解释模块，其基于利用积分梯度IG方式的图像回归模型而产生所述预测测量数据的属性地图图像，预先分析所述属性地图图像并检测所述属性地图图像内具有对所述预测测量数据具有高敏感度的属性值的元素作为潜在缺陷诱发因素。
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公开(公告)号：CN109508467B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201810937129.3
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/28
Abstract: 一种对工艺腔中的气体的流动进行仿真的计算系统及其方法。计算系统包括：存储器，被配置成存储指令及喷嘴库；以及处理器，被配置成存取所述存储器且执行所述指令。所述指令使所述计算系统：基于所述喷嘴库选择至少一个喷嘴单元作为所选择的至少一个喷嘴单元，并将所述所选择的至少一个喷嘴单元放置在对应的位置坐标处；为所述工艺腔创建多个体积网孔；以及基于所述工艺腔中的所述多个体积网孔对所述工艺腔中通过所述所选择的至少一个喷嘴单元的气体的流动进行仿真。所述喷嘴库包括关于多个喷嘴单元的信息，所述多个喷嘴单元中的每一者中形成有多个体积网孔。所述喷嘴单元具有彼此不同的形状。
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公开(公告)号：CN116187155A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211500153.3
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G16C60/00 , G06F111/04
Abstract: 一种为设计模拟器生成最佳输入数据的方法，该设计模拟器响应于与输入参数有关的输入数据提供与输出参数有关的输出数据。该方法包括：生成包括样本输入数据和样本输出数据的训练数据；根据使用训练数据训练的估计模型从输入参数中选择影响多个输出参数的至少一个基本输入参数；并根据与至少一个基本输入参数对应的基本输入数据和样本输出数据生成最佳输入数据。
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公开(公告)号：CN110066988A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910034623.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118690718A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410252037.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/398 , H04L43/0894 , G06F17/18
Abstract: 提供了一种用于估计关于产品的缺陷的核密度函数的阈值的方法、设备和系统。该方法包括：自举采样操作，通过使用根据样本数据的数量从多个带宽估计方法当中选择的带宽估计方法来为样本数据集估计最佳核带宽，基于最佳核带宽来估计与核密度函数的尾部区域相对应的阈值，以及基于多个阈值来提供用于对阈值的不确定性进行量化的定量值。
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公开(公告)号：CN117473849A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310627024.9
申请日：2023-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体装置仿真系统和方法。所述方法包括：使用半导体装置仿真器来生成与仿真的半导体装置相关联的网格；从与网格相关联的信息提取节点；使用与网格相关联的信息来提取连接在节点之间的边；关于节点和边生成图信息；将图信息施加到图神经网络(GNN)学习模型；以及响应于施加到仿真的半导体装置的状态信息的变化，使用GNN学习模型来预测网格的变化。
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公开(公告)号：CN106467961A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610647795.4
申请日：2016-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/02
Abstract: 提供了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：处理室；舟皿，位于处理室中，舟皿容纳位于舟皿中的多个基底；喷嘴，向处理室供应源气体以在每个基底上形成薄膜，喷嘴包括多个T形的喷嘴管，每个T形的喷嘴管包括具有闭合端的第一管和结合到第一管的中间部的第二管。
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公开(公告)号：CN119337804A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410716467.X
申请日：2024-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392 , H01L21/66 , G06F30/398
Abstract: 本公开涉及用于变换测量数据的装置、方法和系统。用于变换测量数据的示例装置包括：通信器，其被配置为接收第一测量数据，该第一测量数据包括对其执行了化学机械抛光(CMP)工艺的半导体芯片上的台阶高度值，并且接收布局数据，该布局数据包括半导体芯片中所包括的布局；以及处理器，其被配置为基于布局数据将第一测量数据变换为第二测量数据，该第二测量数据包括沉积有金属的半导体芯片的台阶高度值。
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公开(公告)号：CN117436232A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310820669.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/20 , G06F18/214 , G06F18/27
Abstract: 一种用于半导体设计工艺中的仿真的神经网络的建模方法被提供。在神经网络的建模方法中，第一回归模型基于第一样本数据和第一仿真结果数据而被训练。第一回归模型用于根据第一样本数据预测第一仿真结果数据。第一样本数据表示半导体装置的制造工艺的条件和半导体装置的特性中的至少一个。第一仿真结果数据通过对第一样本数据执行仿真而被获得。响应于第一回归模型的一致性低于目标一致性，第一回归模型基于与第一样本数据不同的第二样本数据而被重新训练。第二样本数据与第一回归模型的一致性降低因素相关联，第一回归模型的一致性降低因素是第一回归模型的预测失败的原由。
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