公开(公告)号：CN1832024B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200510135715.9

申请日：2005-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇旭 ,  张枰汶

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24

Abstract: 公开一种NAND闪存装置，该装置包括经由多条位线连接到页缓冲器的存储单元阵列。页缓冲器存储要在存储单元阵列中编程的输入数据。通过根据输入数据为多条位线建立位线电压并将字线电压施加到存储单元阵列来编程存储单元阵列。通过将位线首先预充电到电源电压然后根据输入数据选择性放电位线来建立位线电压。顺序放电位线，即某些位线在其它位线放电之前放电。

公开(公告)号：CN1832024A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200510135715.9

申请日：2005-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镇旭 ,  张枰汶

IPC: G11C7/00 ,  G11C7/12 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/24

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/24

Abstract: 公开一种NAND闪存装置，该装置包括经由多条位线连接到页缓冲器的存储单元阵列。页缓冲器存储要在存储单元阵列中编程的输入数据。通过根据输入数据为多条位线建立位线电压并将字线电压施加到存储单元阵列来编程存储单元阵列。通过将位线首先预充电到电源电压然后根据输入数据选择性放电位线来建立位线电压。顺序放电位线，即某些位线在其它位线放电之前放电。