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发明公开
集成电路器件审中-公开

公开(公告)号：CN118116900A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311543364.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东熙 , 金洛焕 , 金桢益 , 申忠桓

IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底上的中间绝缘结构、穿过中间绝缘结构并从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸第一垂直长度的第一接触结构、以及穿过中间绝缘结构的第二接触结构。中间绝缘结构可以具有在第一垂直水平处沿横向方向延伸的顶表面。第二接触结构可以从中间绝缘结构的顶表面朝向衬底延伸大于第一垂直长度的第二垂直长度。第一接触结构可以具有沿着中间绝缘结构的顶表面的延长线平面延伸的第一顶表面。第二接触结构可以具有可在远离衬底的方向上凸出的第二顶表面。

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