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公开(公告)号：CN101114667A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710149418.9
申请日：2007-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/28 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L27/3274 , H01L27/3276 , H01L51/0545 , H01L51/102
Abstract: 一种便于控制TFT的开关动作的有机薄膜晶体管(“TFT”)基板。有机TFT基板包括：基板上的栅极线，与栅极线在同一平面的像素电极，与栅极线绝缘的数据线，包括连接到栅极线的栅极电极、连接到数据线并与栅极线绝缘的源极电极、连接到像素电极并且与栅极电极绝缘的漏极电极和与源极和漏极电极的每一个相接触的有机半导体层的有机TFT，和在栅极线与栅极电极上的栅极绝缘层。本发明还涉及有机薄膜晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN1617367A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410100501.3
申请日：2004-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/00 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L51/0002 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0516 , H01L51/0545
Abstract: 本申请公开了一种有机薄膜晶体管，包括：衬底、栅电极、有机绝缘层、有机活性层和源/漏电极，其中有机绝缘层与有机活性层之间的界面是具有浮雕结构的界面。依照本发明，不管是否使用有机绝缘材料，都可得到电性能增强的有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN101012334A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610063978.8
申请日：2006-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L83/00 , C08K5/56 , H01B3/18 , H01B3/46 , H01L51/05 , H01L51/40 , C08L29/00 , C08L47/00 , C08L71/00
CPC classification number: H01L51/052 , H01L21/02126 , H01L21/02175 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0055 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明涉及一种有机绝缘体组合物，具有此有机绝缘体组合物的有机绝缘膜，具有此有机绝缘膜的有机薄膜晶体管，具有此有机薄膜晶体管的电子设备，以及形成这些产品的方法。本发明还涉及包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，该化合物可以用于改进有机薄膜晶体管的载流子迁移率和滞后现象。提供包括氟化硅烷化合物的有机绝缘体组合物，以及使用该组合物的有机薄膜晶体管。使用此有机绝缘体组合物可以改进此有机薄膜晶体管的滞后和物理特性，例如阈值电压和/或载流子迁移率。此有机薄膜晶体管可有效用于包括液晶显示器(LCD)和/或光电设备在内的各种电子设备的制造。
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公开(公告)号：CN102199425A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110069115.2
申请日：2011-03-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: C09K11/70
CPC classification number: H01L21/02628 , C09K11/623 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/02568 , H01L21/02601
Abstract: 本发明涉及制造量子点的方法，所述方法包括：在溶剂中混合II族前体和III族前体以制备第一混合物；在约200℃～约350℃的温度下加热所述第一混合物；在将所述第一混合物保持在约200℃～约350℃的温度下的同时，将V族前体和VI族前体添加到所述第一混合物中以制备第二混合物；和将所述第二混合物保持在约200℃～约350℃的温度下以形成量子点。
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公开(公告)号：CN1945845A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610131728.3
申请日：2006-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/283 , G02F1/133788 , G02F1/136227
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管阵列面板及其制备方法，该阵列面板包含基板、置于基板上的第一信号线、与第一信号线交叉的第二信号线、连接到第一信号线的源电极、与源电极分离的漏电极、连接到源电极和漏电极的有机半导体部件、连接到漏电极的像素电极、以及置于像素电极上并具有光致排列的钝化层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1530404A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028338.4
申请日：2004-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/17 , C08K3/041 , C08K9/04 , C09D7/70 , C09D109/06 , C09D129/04 , G03F7/0382 , Y10S977/746 , Y10S977/753 , Y10S977/842 , Y10T428/24893 , Y10T428/24994
Abstract: 本发明公开了一种通过用可聚合的官能团，如环氧乙烷和酸酐基团对碳纳米管的表面进行改性，然后将表面改性的碳纳米管或者进行光蚀刻或者进行热固化处理来制备碳纳米管负片图案或具有互穿聚合物网络(IPN)的聚合碳纳米管复合材料的方法。通过本发明，可以很容易地在各种基材表面制备所需的碳纳米管图案，并且可以在没有其它聚合物的情况下制备硬化性能得到提高的聚合碳纳米管复合材料。
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公开(公告)号：CN1511863A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124730.4
申请日：2003-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 本文公开一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该聚合物的主链中含有一种表示n－型半导体性能的单元与一种表示p－型半导体性能的单元相结合，和使用该聚合物的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN102201506A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110068816.4
申请日：2011-03-22
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: H01L33/06 , H01L33/26 , C08F293/00 , C08F8/34
CPC classification number: C09K11/025 , C08F8/06 , C09K11/08 , C08F116/34
Abstract: 本发明公开了一种量子点-嵌段共聚物混合物及其制备和分散方法，以及一种包括量子点-嵌段共聚物混合物的发光装置及其制造方法。量子点-嵌段共聚物混合物包括：量子点；围绕量子点的嵌段共聚物，其中，嵌段共聚物具有包含硫(S)的官能团并与量子点形成化学键。
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公开(公告)号：CN1891732B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200510081923.5
申请日：2005-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 一种示例性的有机半导体共聚物，包括具有聚噻吩结构和受电子单元的聚合重复结构。该受电子单元具有至少一个受电子杂芳族结构，在杂芳族结构中带有至少一个吸电子的亚胺氮，或者包含C2-30杂芳族结构的噻吩-亚芳基。本发明还披露了合成方法和结合有所披露的有机半导体作为如沟道层的电子器件。
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公开(公告)号：CN101123265A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140400.2
申请日：2007-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板，该阵列面板包括：基底；数据线，形成在基底上；栅极线，与数据线交叉并且包括栅电极；源电极，连接到数据线；漏电极，面对源电极。有机半导体通过具有开口的绝缘层接触源电极和漏电极，所述开口限定有机半导体的位置。绝缘层包含具有含氟化合物的丙烯酸感光树脂。本发明公开了制造上述薄膜晶体管阵列面板的方法。
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