公开(公告)号：CN110047743B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN107919357B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201710749122.4

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  萧养康 ,  曾伟雄

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。

公开(公告)号：CN104934377A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/845 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/435 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6681 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66795

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN107919357A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710749122.4

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  萧养康 ,  曾伟雄

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。

公开(公告)号：CN110047743A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。