公开(公告)号：CN105261570B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510404234.7

申请日：2015-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩相旭 ,  朴升源 ,  姜芸炳 ,  赵泰济

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明构思的实施方式提供了半导体封装及其制造方法。该方法包括形成凹槽以使第一半导体芯片彼此分离。形成凹槽包括：在半导体基板的底表面上进行第一切片工艺以在相对于该底表面倾斜的方向上切割半导体基板以及模层的一部分，以及进行第二切片工艺以在基本上垂直于半导体基板的底表面的方向上切割模层。通过第一切片工艺形成在半导体基板中的凹槽的最小宽度可以大于通过第二切片工艺形成在模层中的凹槽的宽度。

公开(公告)号：CN105261570A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510404234.7

申请日：2015-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩相旭 ,  朴升源 ,  姜芸炳 ,  赵泰济

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明构思的实施方式提供了半导体封装及其制造方法。该方法包括形成凹槽以使第一半导体芯片彼此分离。形成凹槽包括：在半导体基板的底表面上进行第一切片工艺以在相对于该底表面倾斜的方向上切割半导体基板以及模层的一部分，以及进行第二切片工艺以在基本上垂直于半导体基板的底表面的方向上切割模层。通过第一切片工艺形成在半导体基板中的凹槽的最小宽度可以大于通过第二切片工艺形成在模层中的凹槽的宽度。