公开(公告)号：CN101335301A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810088615.9

申请日：2008-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  朴宰撤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

公开(公告)号：CN101335301B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200810088615.9

申请日：2008-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  朴宰撤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

公开(公告)号：CN101328409A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810131709.X

申请日：2008-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  朴永洙 ,  李银河 ,  朴宰撤

IPC: C09K13/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: C09K13/06 ,  H01L21/467 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种氧化物类TFT及制造方法、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法。具体地讲，提供了一种锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管，该锌氧化物类薄膜晶体管可包括栅极、处于栅极上的栅极绝缘层、包含锌氧化物且可处于栅极绝缘层的一部分上的沟道，以及与沟道的各侧面接触的源极和漏极。锌(Zn)氧化物类薄膜晶体管还可包括处于源极与漏极之间的沟道中的凹槽，可利用锌氧化物类蚀刻剂来形成该凹槽。