公开(公告)号：CN118412359A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410023653.5

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  李允基 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  崔现圭 ,  许在成

IPC: H01L27/146 ,  H01L25/16

Abstract: 提供了图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：第一基底，包括像素区域和与像素区域相邻的外围区域，像素区域包括呈二维阵列的多个像素；第一布线层，在第一基底的下表面上；抗反射层，具有第一折射率，抗反射层在第一基底的上表面上；以及滤色器，在抗反射层上与像素区域对应并且通过无金属栅格图案彼此间隔开。

公开(公告)号：CN117012792A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310456735.4

申请日：2023-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴惠涓 ,  权炯根 ,  金范锡 ,  金智恩 ,  朴巨成 ,  李允基 ,  林夏珍 ,  全宅洙 ,  许在成

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且包括像素阵列区域和边缘区域；在第二表面上的抗反射结构；像素分离部分，在第一衬底中并将像素彼此分离；以及在抗反射结构上的微透镜阵列。该抗反射结构包括顺序堆叠的第一电介质层、钛氧化物层、第二电介质层和第三电介质层。第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包括彼此不同的材料。在边缘区域上，第三电介质层穿透第二电介质层和钛氧化物层以与第一电介质层接触。