公开(公告)号：CN118055693A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311417245.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  李真旭 ,  闵淙渶 ,  白智叡 ,  李叡璱

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 一种电容器结构包括：下电极、下电极上的介电图案、介电图案上的界面结构、以及界面结构上的上电极。介电图案包括具有4个价电子的金属的氧化物。界面结构包括第一界面图案和第二界面图案，第一界面图案包括掺杂有氮的第一金属氧化物，第二界面图案包括第二金属氧化物。

公开(公告)号：CN119545789A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411142046.7

申请日：2024-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李真旭 ,  闵淙渶 ,  郑圭镐 ,  朴晙晳 ,  白智叡 ,  李叡璱

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜上的上电极。下界面膜包括：第一下界面层，包括掺杂有杂质的金属氧化物；第二下界面层，包括与第一下界面层的材料基本相同的材料并掺杂有氮；和第三下界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮，上界面膜包括：第一上界面层，包括金属氧化物；第二上界面层，包括与第一上界面层的材料相同的材料并掺杂有氮；和第三上界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮。

公开(公告)号：CN119012905A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410371967.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  闵淙渶 ,  白智叡 ,  朴晙晳 ,  李叡璱 ,  李眞旭

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 公开了电容器和包括其的半导体装置。所述电容器可以包括主下电极、在主下电极的表面上的界面结构、在界面结构上包括金属氧化物的主介电层和在主介电层上的上电极。界面结构可以包括第一界面层、第二界面层和第三界面层。第一界面层可以具有导电性，并且可以包括掺杂有五价元素的金属氧化物。第二界面层可以在第一界面层上，并且可以包括在第一界面层的材料中进一步掺杂有氮的材料。第三界面层可以在第二界面层上，并且可以包括掺杂有氮的金属氧化物。包括在第三界面层的金属氧化物中的金属可以包括四价金属。