公开(公告)号：CN101660211A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910169632.X

申请日：2009-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远

IPC: C40B50/18 ,  C40B40/06 ,  C12Q1/68

CPC classification number: C12Q1/6837 ,  C12Q2565/525 ,  C12Q2565/515 ,  C12Q2565/514 ,  C12Q2565/519 ,  C12Q2563/173 ,  C12Q2525/107 ,  C12Q2563/179 ,  C12Q2537/162 ,  C12Q2537/125

Abstract: 本发明涉及制造具有固定化双链核酸探针的微阵列的方法，包括通过使用光刻法合成核酸而固定核酸和使核酸杂交。可制备具有高样点密度和固定化长探针的微阵列。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。

公开(公告)号：CN101705273A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200910165728.9

申请日：2009-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远

IPC: C12P19/34

CPC classification number: C12Q1/6844 ,  C12Q2531/119 ,  C12Q2527/107 ,  C12Q2537/137

Abstract: 本发明涉及扩增靶核酸序列的方法，该方法包括多重置换扩增和热循环。根据该方法，可有效地扩增靶核酸序列。

公开(公告)号：CN100343960C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN03133019.3

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远 ,  秋冈秀 ,  朴哉彦 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3141

Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。

公开(公告)号：CN1480998A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03133019.3

申请日：2003-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周远 ,  秋冈秀 ,  朴哉彦 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/31612 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3141

Abstract: 本发明公开了一种用催化剂辅助的原子层沉积(ALD)工艺的改进方法，同时还公开了相关的吹扫方法和吹扫程序。所述改进方法通过采用具有至少两个硅原子的硅化合物作为第一反应物，或者采用一种脂族叔胺作为催化剂组分，也可以二者结合使用而在一半导体基片上形成一具有优良性能的二氧化硅层。