公开(公告)号：CN115732547A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210859821.5

申请日：2022-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在珍 ,  金莹俊 ,  朴薰荣 ,  尹泰景 ,  李殷沃

IPC: H01L29/423 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开涉及一种栅极结构，包括：第一栅电极，包括金属；栅极阻挡图案，在第一栅电极上，并且包括金属氮化物；以及第二栅电极，在栅极阻挡图案上。栅极结构被掩埋在衬底的上部中。栅极阻挡图案具有平坦的上表面和不平坦的下表面。

公开(公告)号：CN118678661A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311351564.5

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志勋 ,  金度亨 ,  金莹俊 ,  金泽中 ,  吴然珠 ,  李在珍 ,  张东珠 ,  张书荧

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：有源图案，所述有源图案设置在衬底上并且被器件隔离图案包围；以及字线，所述字线在与所述衬底的底表面平行的第一方向上与所述有源图案和所述器件隔离图案交叉，并且包括在所述第一方向上彼此相邻的第一栅电极和第二栅电极。所述第二栅电极的第二功函数大于所述第一栅电极的第一功函数。

公开(公告)号：CN115066877A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202180013633.4

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇光 ,  金敬勲 ,  朴滢植 ,  申东洛 ,  尹映祯 ,  李在珍

IPC: H04M1/724 ,  H01R24/60

Abstract: 公开了电子装置的实施例。电子装置可以包括：包括至少一个配置信道(CC)引脚的USB Type‑C连接器；以及可操作地连接到USB Type‑C连接器的处理器。处理器可以被配置为：通过使用USB驱动器获得连接的音频输出装置的第一信息；通过USB框架将音频输出装置的第一信息和/或音频卡信息发送到音频框架；控制音频框架访问与音频卡信息相对应的接口；以及当在访问接口的同时通过USB驱动器获得音频输出装置的至少一部分第二信息时，通过USB框架将至少一部分第二信息发送到音频框架，以激活该接口。除了所公开的实施例之外的各种附加实施例是可能的。

公开(公告)号：CN115066877B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202180013633.4

申请日：2021-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇光 ,  金敬勲 ,  朴滢植 ,  申东洛 ,  尹映祯 ,  李在珍

IPC: H04M1/724 ,  H01R24/60

Abstract: 公开了电子装置的实施例。电子装置可以包括：包括至少一个配置信道(CC)引脚的USB Type‑C连接器；以及可操作地连接到USB Type‑C连接器的处理器。处理器可以被配置为：通过使用USB驱动器获得连接的音频输出装置的第一信息；通过USB框架将音频输出装置的第一信息和/或音频卡信息发送到音频框架；控制音频框架访问与音频卡信息相对应的接口；以及当在访问接口的同时通过USB驱动器获得音频输出装置的至少一部分第二信息时，通过USB框架将至少一部分第二信息发送到音频框架，以激活该接口。除了所公开的实施例之外的各种附加实施例是可能的。

公开(公告)号：CN116759449A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202211496039.8

申请日：2022-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹泰景 ,  金莹俊 ,  朴薰莹 ,  李殷沃 ,  李在珍 ,  张东珠

IPC: H01L29/423

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成限定有源区的器件隔离层，并且形成与有源区相交并掩埋在衬底中的栅极线。栅极线的形成包括：在衬底中形成与有源区交叉的沟槽，形成填充沟槽的导电层，并且对导电层执行热处理工艺。导电层包括第一金属的氮化物。导电层中的氮原子通过热处理工艺朝向导电层的侧表面和下表面扩散。

公开(公告)号：CN114203672A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110884964.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在珍 ,  H.金 ,  朴在花 ,  林东灿

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供布线结构、其制造方法以及具有其的集成电路芯片。一种布线结构包括：填充金属；在填充金属上的包括钴(Co)的覆盖金属，该覆盖金属具有沿着填充金属的侧表面和沿着填充金属的下表面的第一部分、以及沿着填充金属的上表面的第二部分；在覆盖金属的第一部分的外表面上的阻挡金属；以及在覆盖金属的第二部分的外表面上的封盖金属，该封盖金属包括钴(Co)合金，其中填充金属具有比覆盖金属和阻挡金属高的传导率。