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公开(公告)号:CN115942750A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210980368.3
申请日:2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括:在衬底上形成模结构,该模结构包括在第一方向上交替且重复地堆叠的电极间绝缘膜和牺牲膜;形成在第一方向上穿透模结构的沟道孔;在沟道孔内形成垂直沟道结构;去除牺牲膜以形成暴露垂直沟道结构的沟槽,该沟槽在垂直于第一方向的第二方向上延伸;以及使用湿沉积工艺形成分别填充沟槽的金属线,每个金属线形成为单层。
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公开(公告)号:CN119999184A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202380069804.4
申请日:2023-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 金志晩 , 姜德真 , 具本奭 , 权五允 , 朴京洙 , 朴世赫 , 白宗宪 , 徐圣源 , 苏秉石 , 辛美来 , 李元熙 , 李宗锡 , 李熙万 , 郑圣运 , 郑惠英 , 车泰焕
Abstract: 公开了一种显示设备。该显示设备可以包括:通信接口;显示器;以及至少一个处理器,其连接到通信接口和显示器,并控制显示设备,其中,处理器可以:在通过通信接口从电子设备接收到第一图案图像时,控制显示器显示第一图案图像;在通过通信接口从电子设备接收到控制信号时,基于控制信号控制显示器显示单色图像;以及在通过通信接口从电子设备接收到用于校正显示设备的均匀性的校正信息时,基于校正信息控制显示器显示内容。
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