公开(公告)号：CN111415956B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201910846661.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵炳珠 ,  李德喜

IPC: H10B63/00

Abstract: 公开了可变电阻存储器装置及其制造方法。所述可变电阻存储器装置可以包括：多个存储器单元，均包括可变电阻图案和开关图案；多条导线，存储器单元连接到所述多条导线；底电极，将导线中的至少一条连接到可变电阻图案；以及间隔件图案，形成在底电极上以与可变电阻图案接触。间隔件图案包括掺杂有杂质的介电材料。

公开(公告)号：CN114551448A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111414765.6

申请日：2021-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳琼善 ,  李德喜 ,  李准原 ,  崔允硕

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/764

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底上的有源图案；埋置在有源图案的上部的栅极结构；有源图案上的位线结构；位线结构的侧壁上的间隔件结构；接触间隔件结构的接触插塞结构；绝缘中间层结构，其部分地穿过所述接触插塞结构、所述间隔件结构和所述位线结构的上部；以及所述接触插塞结构上的电容器。所述间隔件结构包括具有空气的空气间隔件。所述绝缘中间层结构包括第一绝缘中间层以及第二绝缘中间层。所述第二绝缘中间层可包括与所述第一绝缘中间层的材料不同的绝缘材料。所述第二绝缘中间层的下表面覆盖所述空气间隔件的顶部，并且所述第一绝缘中间层的最下表面被所述第二绝缘中间层覆盖。

公开(公告)号：CN111415956A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201910846661.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵炳珠 ,  李德喜

IPC: H01L27/24

Abstract: 公开了可变电阻存储器装置及其制造方法。所述可变电阻存储器装置可以包括：多个存储器单元，均包括可变电阻图案和开关图案；多条导线，存储器单元连接到所述多条导线；底电极，将导线中的至少一条连接到可变电阻图案；以及间隔件图案，形成在底电极上以与可变电阻图案接触。间隔件图案包括掺杂有杂质的介电材料。