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公开(公告)号：CN1812096B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200510120457.7
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
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公开(公告)号：CN1925185A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126609.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0014 , B82Y10/00 , G11C13/0016 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608 , H01L51/0591
Abstract: 一种非易失性有机阻抗存储器件，包括第一电极、第二电极以及插入第一和第二电极之间的聚酰亚胺层。该聚酰亚胺层具有使得聚酰亚胺层的阻抗随着第一和第二电极之间的电势差改变的厚度。
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公开(公告)号：CN101393203A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810149226.2
申请日：2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G01N33/50
CPC classification number: G01N27/4145 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , G01N27/4146 , H01L51/0595 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 实例性实施方式涉及用纳米级材料作为晶体管沟道的生物传感器及其制造方法。根据实例性实施方式的生物传感器包括多个绝缘膜。第一信号线和第二信号线可插入到多个绝缘膜之间。半导体纳米结构可设置在多个绝缘膜上，半导体纳米结构具有电连接到第一信号线的第一侧和电连接到第二信号线的第二侧。多个探针可耦合到半导体纳米结构。根据实例性实施方式的生物传感器可具有减少的分析时间。
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公开(公告)号：CN1925184A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610125682.4
申请日：2006-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件及其制造方法。包括由电阻转换材料形成的氧化物层的非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上由过渡金属形成的纳米线层；所述氧化物层，包括过渡金属氧化物且形成于所述纳米线层上；以及形成于所述氧化物层上的上电极。根据本发明，通过在氧化物层上使电流路径一致可以稳定复位电流。
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公开(公告)号：CN101083300A
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200710108211.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C2211/5614 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L51/0026 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0042 , H01L51/0046
Abstract: 一种有机存储器件可以包括有机材料层和富勒烯层的叠层，以在第一和第二电极之间提供数据存储元件。该数据存储元件可以包括第一电极上形成的有机材料层以及该有机材料层和第二电极之间的富勒烯层。还论述了制造有机存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN1812096A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510120457.7
申请日：2005-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 一种使用二元金属氧化物层作为数据存储材料层的交叉点非易失性存储器件，包括在衬底中布置的间隔掺杂线。多个间隔的上电极横跨掺杂线，以便在上电极重叠掺杂线的地点形成交叉点。下电极被布置在掺杂线和上电极之间的交叉点处。二元金属氧化物层被设置在上电极和下电极之间，以及被设为数据存储材料层。掺杂区被设置在下电极和掺杂线之间，以及与掺杂线一起形成二极管。掺杂区具有与掺杂线相反的极性。
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公开(公告)号：CN105092035A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510233081.4
申请日：2015-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01J3/28 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G01J3/36 , G01J3/44 , G01J3/4412 , G01N21/554 , G01N21/648 , G01N21/658 , G01N2021/258 , Y10S977/953
Abstract: 本发明提供了一种光谱传感器、包括该光谱传感器的光谱传感器模块和光谱仪以及进行光谱分析的方法，其中该光谱传感器包括：纳米天线阵列，包括具有不同的共振波段的多个纳米天线；和光学探测器阵列，其包括分别检测来自所述多个纳米天线的光的多个光学探测器。
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公开(公告)号：CN101083300B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710108211.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C13/025 , G11C2211/5614 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , H01L51/0026 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0042 , H01L51/0046
Abstract: 一种有机存储器件可以包括有机材料层和富勒烯层的叠层，以在第一和第二电极之间提供数据存储元件。该数据存储元件可以包括第一电极上形成的有机材料层以及该有机材料层和第二电极之间的富勒烯层。还论述了制造有机存储器件的方法。
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